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产品型号BCX69-25的概述

芯片BCX69-25的概述 BCX69-25是一款广泛应用于电子设计中的高频振荡器和信号处理芯片。作为一款小型集成电路，BCX69-25常用于无线通讯、消费电子、以及其他要求高性能和低功耗的应用场景。其稳定的输出频率及宽广的工作温度范围，使其在现代电子设计中占据了重要地位。在近年的研发和市场需求驱动下，BCX69-25的应用领域已经扩展到多种产品中，如蓝牙设备、Wi-Fi模块以及各种传感器应用。芯片BCX69-25的详细参数 BCX69-25的主要技术参数包括工作频率、输入电压、功耗、输出功率、以及工作温度范围等。具体参数如下： - 工作频率：该芯片能够输出的频率范围通常在2.4GHz至2.5GHz之间，适配众多无线通讯标准。 - 输入电压：BCX69-25要求的输入电压范围为2.5V至5V，能够与多数电池供电设备兼容。 - 功耗：该芯片在典型工作状态下的功耗约为20mW，具有较高的...

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PNP Silicon AF Transistors

BCX 69

● For general AF applications

● High collector current

● High current gain

● Low collector-emitter saturation voltage

● Complementary type: BCX 68 (NPN)

Package¹⁾

Type

Marking

Ordering Code

(tape and reel)

Pin Configuration

BCX 69

–

Q62702-C1714

Q62702-C1867

Q62702-C1868

Q62702-C1869

SOT-89

BCX 69-10

BCX 69-16

BCX 69-25

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CE0

CB0

EB0

Peak collector current

Base current

100

200

Peak base current

Total power dissipation, T

Junction temperature

= 130 ˚C

Ptot

150

˚C

Storage temperature range

Tstg

– 65 … + 150

Thermal Resistance

Junction - ambient ²⁾

th JA

th JS

≤ 75

≤ 20

K/W

Junction - soldering point

For detailed information see chapter Package Outlines.

Package mounted on epoxy pcb 40 mm × 40 mm × 1.5 mm/6 cm²Cu.

5.91

Semiconductor Group

BCX 69

Electrical Characteristics

at T = 25 ˚C, unless otherwise specified.

Parameter

Symbol

Values

typ.

Unit

min.

max.

DC characteristics

Collector-emitter breakdown voltage

(BR)CE0

(BR)CB0

(BR)EB0

–

= 30 mA

Collector-base breakdown voltage

= 10 µA

Emitter-base breakdown voltage

= 1 µA

Collector cutoff current

CB0

EB0

VCB = 25 V

–

100

µA

CB = 25 V, T

= 150 ˚C

Emitter cutoff current

–

µA

VEB = 5 V

DC current gain¹⁾

hFE

–

= 5 mA, VCE = 10 V

= 500 mA, VCE = 1 V

100

160

–

375

160

250

375

–

BCX 69

100

160

250

–

BCX 69-10

BCX 69-16

BCX 69-25

= 1 A, VCE = 1 V

Collector-emitter saturation voltage¹⁾

= 1 A, I = 100 mA

CEsat

–

0.5

Base-emitter voltage¹⁾

–

0.6

–

= 5 mA, VCE = 10 V

= 1 A, VCE = 1 V

AC characteristics

Transition frequency

–

100

–

MHz

= 100 mA, VCE = 5 V, f = 20 MHz

Pulse test: t ≤ 300 µs, D = 2 %.

Semiconductor Group

BCX 69

Total power dissipation Ptot = f (T

* Package mounted on epoxy

*; TS

)

Transition frequency f

= f (I )

CE = 5 V

Permissible pulse load P^{tot max}/Ptot DC = f (t

)

Collector cutoff current I^CB0= f (T )

CB = 25 V

Semiconductor Group

BCX 69

Base-emitter saturation voltage

Collector-emitter saturation voltage

= f (VBEsat

)

= f (VCEsat)

hFE = 10

Collector current I

= f (VBE

)

DC current gain hFE = f (I )

CE = 1 V

VCE = 1 V

Semiconductor Group

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BCX69-25产品参数

型号:	BCX69-25
是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.22
Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	160
JEDEC-95代码：	TO-243
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e0
元件数量：	1
端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	1 W
认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	0.5 V
Base Number Matches：	1

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