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产品型号BCR5CM-12LB的Datasheet PDF文件预览

Preliminary Datasheet  
BCR5CM-12LB  
R07DS1026EJ0100  
Rev.1.00  
600V - 5A - Triac  
Medium Power Use  
Feb 25, 2013  
Features  
IT(RMS) : 5 A  
DRM : 600 V  
FGT I, IRGT I, IRGT III : 20 mA (10 mA)Note6  
Non-Insulated Type  
Planar Passivation Type  
V
I
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0004AG-A  
(Package name: TO-220AB)  
4
2, 4  
1. T1 Terminal  
2. T2 Terminal  
3. Gate Terminal  
4. T2 Terminal  
3
1
1
2
3
Applications  
Switching mode power supply, light dimmer, electronic flasher unit, control of household equipment such as TV sets,  
stereo systems, refrigerator, washing machine, infrared kotatsu, carpet, solenoid driver, small motor control, copying  
machine, electric tool, electric heater control, and other general purpose control applications  
Maximum Ratings  
Voltage class  
Parameter  
Symbol  
Unit  
12  
Repetitive peak off-state voltageNote1  
Non-repetitive peak off-state voltageNote1  
VDRM  
VDSM  
600  
720  
V
V
Parameter  
Symbol  
Ratings  
Unit  
Conditions  
RMS on-state current  
IT(RMS)  
ITSM  
I2t  
5
A
Commercial frequency, sine full wave  
360° conduction, Tc = 128°CNote3  
Surge on-state current  
I2t for fusing  
50  
A
60Hz sinewave 1 full cycle, peak value,  
non-repetitive  
10.4  
A2s  
Value corresponding to 1 cycle of half  
wave 60Hz, surge on-state current  
Peak gate power dissipation  
Average gate power dissipation  
Peak gate voltage  
PGM  
PG(AV)  
VGM  
IGM  
3
W
W
V
0.3  
10  
2
Peak gate current  
A
Junction temperature  
Storage temperature  
Mass  
Tj  
– 40 to +150  
– 40 to +150  
2.1  
°C  
°C  
g
Tstg  
Typical value  
R07DS1026EJ0100 Rev.1.00  
Feb 25, 2013  
Page 1 of 7  
BCR5CM-12LB  
Preliminary  
Electrical Characteristics  
Parameter  
Repetitive peak off-state current  
On-state voltage  
Symbol  
IDRM  
Min.  
Typ.  
Max.  
2.0  
Unit  
mA  
V
Test conditions  
Tj = 150°C, VDRM applied  
VTM  
1.8  
Tc = 25°C, ITM = 7 A,  
Instantaneous measurement  
Gate trigger voltageNote2  
I
II  
III  
I
VFGT  
1.5  
1.5  
V
V
Tj = 25°C, VD = 6 V, RL = 6 ,  
RG = 330   
I
VRGT  
I
VRGT  
1.5  
V
III  
Gate trigger currentNote2  
IFGT  
20Note6  
20Note6  
20Note6  
mA  
mA  
mA  
V
Tj = 25°C, VD = 6 V, RL = 6 ,  
RG = 330   
I
II  
III  
IRGT  
I
IRGT  
III  
Gate non-trigger voltage  
Thermal resistance  
VGD  
0.2/0.1  
Tj = 125°C/150°C,  
VD = 1/2 VDRM  
Junction to caseNote3 Note4  
Rth(j-c)  
3.0  
°C/W  
Critical-rate of rise of off-state  
commutating voltageNote5  
(dv/dt)c  
5/1  
V/s  
Tj = 125°C/150°C  
Notes: 1. Gate open.  
2. Measurement using the gate trigger characteristics measurement circuit.  
3. Case temperature is measured at the T2 tab 1.5 mm away from the molded case.  
4. The contact thermal resistance Rth (c-f) in case of greasing is 1.0°C/W.  
5. Test conditions of the critical-rate of rise of off-state commutating voltage is shown in the table below.  
6. High sensitivity (IGT 10 mA) is also available. (IGT item: 1)  
Commutating voltage and current waveforms  
Test conditions  
(inductive load)  
1. Junction temperature  
Time  
Supply Voltage  
Tj = 125°C/150°C  
2. Rate of decay of on-state commutating current  
(di/dt)c = – 2.5 A/ms  
(di/dt)c  
Time  
Time  
Main Current  
Main Voltage  
3. Peak off-state voltage  
VD = 400 V  
(dv/dt)c  
V
D
R07DS1026EJ0100 Rev.1.00  
Feb 25, 2013  
Page 2 of 7  
BCR5CM-12LB  
Preliminary  
Performance Curves  
Maximum On-State Characteristics  
Rated Surge On-State Current  
102  
7
5
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
3
2
101  
7
5
Tj = 150°C  
3
2
100  
7
5
Tj = 25°C  
3
2
10–1  
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0  
100  
2
3 4 5 7 101  
2
3 4 5 7 102  
On-State Voltage (V)  
Conduction Time (Cycles at 60Hz)  
Gate Trigger Current vs.  
Junction Temperature  
Gate Characteristics (I, II and III)  
103  
7
5
5
Typical Example  
3
2
V
= 10V  
GM  
3
2
I
RGT III  
101  
7
5
I
RGT I  
P
= 3W  
= 2A  
GM  
102  
7
5
P
G(AV)  
= 0.3W  
I
3
2
GM  
V
= 1.5V  
GT  
3
2
100  
7
5
FGT I  
I
101  
I
= 20mA  
GT  
7
5
3
2
3
2
10–1  
7
V
= 0.1V  
GD  
5
100  
100 2 3 5 7 101 2 3 5 7 102 2 3 5 7 103  
0
60 40 20  
20 40 60 80 100120140160  
Gate Current (mA)  
Junction Temperature (°C)  
Gate Trigger Voltage vs.  
Junction Temperature  
Maximum Transient Thermal Impedance  
Characteristics (Junction to case)  
102 2 3 5 7 103 2 3  
4.0  
5
103  
Typical Example  
7
3.6  
3.2  
2.8  
2.4  
2.0  
1.6  
1.2  
0.8  
0.4  
0
5
4
3
2
102  
7
5
4
3
2
101  
10–1 2 3 5 7 100 2 3 5 7 101 2 3 5 7 102  
60  
40  
20  
0
20 40 60 80 100120140160  
Junction Temperature (°C)  
Conduction Time (Cycles at 60Hz)  
R07DS1026EJ0100 Rev.1.00  
Feb 25, 2013  
Page 3 of 7  
BCR5CM-12LB  
Preliminary  
Allowable Case Temperature vs.  
RMS On-State Current  
Maximum On-State Power Dissipation  
8
7
6
5
4
3
2
1
0
160  
140  
120  
100  
80  
Curves apply regardless  
of conduction angle  
360° Conduction  
Resistive,  
inductive loads  
60  
40  
360° Conduction  
Resistive,  
inductive loads  
20  
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
1
2
3
4
5
6
7
8
RMS On-State Current (A)  
RMS On-State Current (A)  
Allowable Ambient Temperature vs.  
RMS On-State Current  
Allowable Ambient Temperature vs.  
RMS On-State Current  
160  
140  
120  
100  
80  
160  
140  
120  
100  
80  
All fins are black painted  
aluminum and greased  
Natural convection  
No Fins  
Curves apply regardless  
of conduction angle  
Resistive, inductive loads  
120 × 120 × t2.3  
100 × 100 × t2.3  
60 × 60 × t2.3  
Curves apply  
regardless of  
60  
60  
conduction angle  
Resistive,  
40  
40  
inductive loads  
Natural convection  
20  
20  
0
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
0.5  
1.0  
1.5 2.0  
2.5  
3.0  
RMS On-State Current (A)  
RMS On-State Current (A)  
Repetitive Peak Off-State Current vs.  
Junction Temperature  
Holding Current vs.  
Junction Temperature  
106  
102  
7
7
5
Typical Example  
V
D
= 12V  
3
2
5
4
Distribution  
105  
3
2
7
5
Typical Example  
3
2
104  
101  
7
7
5
3
2
5
4
103  
3
2
7
5
3
2
102  
100  
60  
40  
20  
0
20 40 60 80 100120140160  
60  
40  
20  
0
20 40 60 80 100120140160  
Junction Temperature (°C)  
Junction Temperature (°C)  
R07DS1026EJ0100 Rev.1.00  
Feb 25, 2013  
Page 4 of 7  
BCR5CM-12LB  
Preliminary  
Latching Current vs.  
Junction Temperature  
Breakover Voltage vs.  
Junction Temperature  
103  
7
5
160  
140  
120  
100  
80  
Typical Example  
+
+
, G  
, G  
T
T
2
Typical Example  
2
3
2
Distribution  
+
T
2
, G  
Typical Example  
102  
7
5
3
2
60  
101  
7
5
40  
3
2
20  
100  
0
0
20 40 60 80 100120140160  
0 20 40 60 80 100120140160  
20  
60  
40  
20  
60  
40  
Junction Temperature (°C)  
Junction Temperature (°C)  
Breakover Voltage vs.  
Rate of Rise of Off-State Voltage (Tj=125°C)  
Breakover Voltage vs.  
Rate of Rise of Off-State Voltage (Tj=150°C)  
160  
160  
Typical Example  
Tj = 150°C  
Typical Example  
Tj = 125°C  
140  
120  
100  
80  
140  
120  
100  
80  
III Quadrant  
III Quadrant  
60  
60  
I Quadrant  
40  
I Quadrant  
40  
20  
20  
0
0
101 2 3 5 7 102 2 3 5 7 103 2 3 5 7 104  
101 2 3 5 7 102 2 3 5 7 103 2 3 5 7 104  
Rate of Rise of Off-State Voltage (V/μs)  
Rate of Rise of Off-State Voltage (V/μs)  
Commutation Characteristics (Tj=125°C)  
Commutation Characteristics (Tj=150°C)  
7
7
Time  
Time  
Main Voltage  
Typical Example  
Tj = 125°C  
Main Voltage  
Typical Example  
Tj = 150°C  
5
5
(dv/dt)c  
(dv/dt)c  
V
D
V
D
Main Current  
Main Current  
I = 4A  
T
τ = 500μs  
I = 4A  
T
τ = 500μs  
3
2
3
2
(di/dt)c  
Time  
(di/dt)c  
Time  
I
T
I
T
τ
τ
V
= 200V  
V = 200V  
D
f = 3Hz  
D
f = 3Hz  
101  
101  
III Quadrant  
I Quadrant  
7
5
7
5
I Quadrant  
Minimum  
Characteristics  
Value  
3
2
3
2
Minimum  
Characteristics  
Value  
100  
7
100  
7
III Quadrant  
5 7 101  
100  
2
3
2
3
5 7 102  
100  
2
3
5 7 101  
2
3
5 7 102  
Rate of Decay of On-State  
Commutating Current (A/ms)  
Rate of Decay of On-State  
Commutating Current (A/ms)  
R07DS1026EJ0100 Rev.1.00  
Feb 25, 2013  
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BCR5CM-12LB  
Preliminary  
Gate Trigger Current vs.  
Gate Current Pulse Width  
103  
7
Typical Example  
I
RGT III  
5
4
3
I
RGT I  
2
102  
7
I
FGT I  
5
4
3
2
101  
2
100  
2
3 4 5 7 101  
2
3
4
5 7 10  
Gate Current Pulse Width (μs)  
Gate Trigger Characteristics Test Circuits  
6Ω 6Ω  
Recommended Circuit Values Around The Triac  
Load  
C1  
R1  
A
A
C0  
R0  
6V  
6V  
330Ω  
330Ω  
V
V
C
R
= 0.1 to 0.47μF  
= 47 to 100Ω  
C
R
= 0.1μF  
= 100Ω  
1
1
0
0
Test Procedure I  
Test Procedure II  
6Ω  
A
6V  
330Ω  
V
Test Procedure III  
R07DS1026EJ0100 Rev.1.00  
Feb 25, 2013  
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BCR5CM-12LB  
Preliminary  
Package Dimensions  
Package Name  
TO-220AB  
JEITA Package Code  
SC-46  
RENESAS Code  
PRSS0004AG-A  
Previous Code  
TO-220ABS  
MASS[Typ.]  
2.1g  
Unit: mm  
4.5 0.2  
9.9 0.2  
+ 0.10  
0.05  
1.30  
φ3.6 0.2  
1.62 Max  
0.80 0.10  
2.6 Max  
+ 0.10  
0.05  
2.54  
2.54  
0.50  
10.0 0.2  
Ordering Information  
Orderable Part Number  
BCR5CM-12LB#BB0  
Packing  
Quantity  
50 pcs.  
50 pcs.  
Remark  
Tube  
Tube  
Straight type  
A8 Lead form  
BCR5CM-12LB-A8#BB0  
Note: Please confirm the specification about the shipping in detail.  
R07DS1026EJ0100 Rev.1.00  
Feb 25, 2013  
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SALES OFFICES  
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Renesas Electronics America Inc.  
2880 Scott Boulevard Santa Clara, CA 95050-2554, U.S.A.  
Tel: +1-408-588-6000, Fax: +1-408-588-6130  
Renesas Electronics Canada Limited  
1101 Nicholson Road, Newmarket, Ontario L3Y 9C3, Canada  
Tel: +1-905-898-5441, Fax: +1-905-898-3220  
Renesas Electronics Europe Limited  
Dukes Meadow, Millboard Road, Bourne End, Buckinghamshire, SL8 5FH, U.K  
Tel: +44-1628-651-700, Fax: +44-1628-651-804  
Renesas Electronics Europe GmbH  
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Tel: +49-211-65030, Fax: +49-211-6503-1327  
Renesas Electronics (China) Co., Ltd.  
7th Floor, Quantum Plaza, No.27 ZhiChunLu Haidian District, Beijing 100083, P.R.China  
Tel: +86-10-8235-1155, Fax: +86-10-8235-7679  
Renesas Electronics (Shanghai) Co., Ltd.  
Unit 204, 205, AZIA Center, No.1233 Lujiazui Ring Rd., Pudong District, Shanghai 200120, China  
Tel: +86-21-5877-1818, Fax: +86-21-6887-7858 / -7898  
Renesas Electronics Hong Kong Limited  
Unit 1601-1613, 16/F., Tower 2, Grand Century Place, 193 Prince Edward Road West, Mongkok, Kowloon, Hong Kong  
Tel: +852-2886-9318, Fax: +852 2886-9022/9044  
Renesas Electronics Taiwan Co., Ltd.  
13F, No. 363, Fu Shing North Road, Taipei, Taiwan  
Tel: +886-2-8175-9600, Fax: +886 2-8175-9670  
Renesas Electronics Singapore Pte. Ltd.  
80 Bendemeer Road, Unit #06-02 Hyflux Innovation Centre Singapore 339949  
Tel: +65-6213-0200, Fax: +65-6213-0300  
Renesas Electronics Malaysia Sdn.Bhd.  
Unit 906, Block B, Menara Amcorp, Amcorp Trade Centre, No. 18, Jln Persiaran Barat, 46050 Petaling Jaya, Selangor Darul Ehsan, Malaysia  
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Renesas Electronics Korea Co., Ltd.  
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© 2013 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.  
Colophon 2.2  
配单直通车
BCR5CM-12LB#BB0产品参数
型号:BCR5CM-12LB#BB0
Brand Name:Renesas
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-220AB
包装说明:,
针数:4
制造商包装代码:PRSS0004AG-A4
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.73
换向电压的临界上升率-最小值:5 V/us
最大直流栅极触发电流:20 mA
最大直流栅极触发电压:1.5 V
最大漏电流:2 mA
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-40 °C
最大均方根通态电流:5 A
断态重复峰值电压:600 V
子类别:TRIACs
表面贴装:NO
触发设备类型:TRIAC
Base Number Matches:1
  •  
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  • 型号 *
  • 数量*
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
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