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    • BD678G..图

    • 北京中其伟业科技有限公司

       该会员已使用本站16年以上
    • BD678G..
    • 数量7500 
    • 厂家ON 
    • 封装TO-126 
    • 批号16+ 
    • 特价,原装正品,绝对公司现货库存,原装特价!
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    • 010-62104891 QQ:2880824479

    产品型号BD678LEADFREE的Datasheet PDF文件预览

    BD676 BD682  
    BD678 BD684  
    BD680  
    www.centralsemi.com  
    SILICON  
    DESCRIPTION:  
    PNP DARLINGTON  
    POWER TRANSISTORS  
    The CENTRAL SEMICONDUCTOR BD676 series are  
    silicon PNP Darlington power transistors designed for  
    audio and video output applications.  
    MARKING: FULL PART NUMBER  
    TO-126 CASE  
    MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
    A
    SYMBOL BD676 BD678 BD680 BD682 BD684 UNITS  
    Collector-Base Voltage  
    Collector-Emitter Voltage  
    Emitter-Base Voltage  
    Continuous Collector Current  
    Peak Collector Current  
    Continuous Base Current  
    Power Dissipation  
    Operating and Storage Junction Temperature  
    Thermal Resistance  
    Thermal Resistance  
    V
    V
    V
    45  
    45  
    60  
    60  
    80  
    80  
    5.0  
    4.0  
    6.0  
    100  
    40  
    100  
    100  
    120  
    120  
    V
    V
    V
    A
    A
    mA  
    W
    °C  
    °C/W  
    °C/W  
    CBO  
    CEO  
    EBO  
    I
    C
    I
    CM  
    I
    P
    B
    D
    T , T  
    -65 to +150  
    3.12  
    100  
    J
    stg  
    JC  
    JA  
    Θ
    Θ
    ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
    A
    SYMBOL  
    TEST CONDITIONS  
    MIN  
    TYP  
    MAX  
    UNITS  
    I
    I
    I
    I
    V
    V
    V
    V
    =Rated V  
    =0.6Rated V  
    =½Rated V  
    =5.0V  
    200  
    μA  
    mA  
    μA  
    mA  
    V
    V
    V
    V
    V
    CBO  
    CBO  
    CEO  
    EBO  
    CEO  
    CEO  
    CEO  
    CEO  
    CEO  
    CE(SAT)  
    BE(ON)  
    FE  
    CB  
    CB  
    CE  
    EB  
    CBO  
    CBO,  
    CEO  
    T =150°C  
    2.0  
    500  
    5.0  
    C
    BV  
    BV  
    BV  
    BV  
    BV  
    V
    V
    h
    h
    I =50mA (BD676)  
    45  
    60  
    80  
    100  
    120  
    C
    I =50mA (BD678)  
    C
    I =50mA (BD680)  
    C
    I =50mA (BD682)  
    C
    I =50mA (BD684)  
    C
    I =1.5A, I =6.0mA (BD676: I =2.0A)  
    2.5  
    2.5  
    V
    V
    C
    B
    C
    C
    C
    V
    V
    V
    =3.0V, I =1.5A (BD676: I =2.0A)  
    CE  
    CE  
    CE  
    C
    =3.0V, I =1.5A (BD676: I =2.0A)  
    750  
    10  
    C
    =3.0V, I =1.5A,  
    fe  
    C
    f=1.0MHz (BD676: I =2.0A)  
    C
    fh  
    V
    V
    V
    V
    =3.0V, I =1.5A (BD676: I =2.0A)  
    60  
    kHz  
    A
    A
    μs  
    μs  
    fe  
    (SB)  
    (SB)  
    on  
    CE  
    CE  
    CE  
    CC  
    C
    C
    I
    I
    t
    t
    =50V, tp=20ms  
    0.8  
    1.0  
    =40V, tp=20ms (BD676)  
    =30V, I  
    =I  
    =1.5A  
    =6.0mA  
    0.3  
    1.5  
    1.5  
    5.0  
    Con  
    I
    off  
    Bon Boff  
    R1 (13-March 2014)  
    BD676 BD682  
    BD678 BD684  
    BD680  
    SILICON  
    PNP DARLINGTON  
    POWER TRANSISTORS  
    TO-126 CASE - MECHANICAL OUTLINE  
    LEAD CODE:  
    1) Emitter  
    2) Collector  
    3) Base  
    MARKING: FULL PART NUMBER  
    R1 (13-March 2014)  
    www.centralsemi.com  
    配单直通车
    BD678LEADFREE产品参数
    型号:BD678LEADFREE
    是否无铅： 不含铅
    是否Rohs认证： 符合
    生命周期：Active
    零件包装代码：SIP
    包装说明：PLASTIC PACKAGE-3
    针数：3
    Reach Compliance Code：not_compliant
    ECCN代码：EAR99
    HTS代码：8541.29.00.95
    风险等级：5.18
    最大集电极电流 (IC)：4 A
    集电极-发射极最大电压：60 V
    配置：DARLINGTON
    最小直流电流增益 (hFE)：750
    JEDEC-95代码：TO-126
    JESD-30 代码：R-PSFM-T3
    JESD-609代码：e3
    元件数量：1
    端子数量：3
    封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
    封装形状：RECTANGULAR
    封装形式：FLANGE MOUNT
    峰值回流温度（摄氏度）：260
    极性/信道类型：PNP
    认证状态：Not Qualified
    表面贴装：NO
    端子面层：MATTE TIN (315)
    端子形式：THROUGH-HOLE
    端子位置：SINGLE
    处于峰值回流温度下的最长时间：10
    晶体管应用：AMPLIFIER
    晶体管元件材料：SILICON
    标称过渡频率 (fT)：1 MHz
    Base Number Matches：1
    •  
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