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    • BD7220FV-CE2图

    • 现代芯城（深圳）科技有限公司

       该会员已使用本站15年以上
    • BD7220FV-CE2
    • 数量46000 
    • 厂家一级代理 
    • 封装一级代理 
    • 批号一级代理 
    • 一级代理正品采购
    • QQ:3007226851QQ：3007226851 复制
      QQ:3007226849QQ：3007226849 复制
    • 0755-82542579 QQ:3007226851QQ:3007226849
    • BD722图

    • 深圳市芯福林电子有限公司

       该会员已使用本站15年以上
    • BD722
    • 数量65000 
    • 厂家N/A 
    • 封装原厂封装 
    • 批号23+ 
    • 真实库存全新原装正品！代理此型号
    • QQ:2881495753QQ：2881495753 复制
    • 0755-23605827 QQ:2881495753
    • BD7220FV-CE2图

    • 万三科技(深圳)有限公司

       该会员已使用本站2年以上
    • BD7220FV-CE2
    • 数量660000 
    • 厂家ROHM(罗姆) 
    • 封装原厂原装 
    • 批号23+ 
    • 支持实单/只做原装
    • QQ:3008961398QQ：3008961398 复制
    • 0755-21006672 QQ:3008961398
    • BD722图

    • 深圳市一线半导体有限公司

       该会员已使用本站16年以上
    • BD722
    • 数量16582 
    • 厂家PHILIPS 
    • 封装TO-126 
    • 批号 
    • 全新原装部分现货其他订货
    • QQ:2881493920QQ：2881493920 复制
      QQ:2881493921QQ：2881493921 复制
    • 0755-88608801多线 QQ:2881493920QQ:2881493921
    • BD722图

    • 深圳市一线半导体有限公司

       该会员已使用本站11年以上
    • BD722
    • 数量16582 
    • 厂家PHILIPS 
    • 封装TO-126 
    • 批号 
    • 全新原装部分现货其他订货
    • QQ:2881493920QQ：2881493920 复制
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    • 0755-88608801多线 QQ:2881493920QQ:2881493921

    产品型号BD722的Datasheet PDF文件预览

    INCHANGE Semiconductor  
    isc Product Specification  
    isc Silicon PNP Power Transistor  
    BD722  
    DESCRIPTION  
    ·DC Current Gain-  
    : hFE= 40@ IC= -0.5A  
    ·Collector-Emitter Breakdown Voltage -  
    : V(BR)CEO= -80V(Min)  
    ·Complement to type BD721  
    APPLICATIONS  
    ·Designed for use in audio output and general purpose  
    amplifier applications.  
    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)  
    SYMBOL  
    VCBO  
    VCEO  
    VEBO  
    IC  
    PARAMETER  
    Collector-Base Voltage  
    Collector-Emitter Voltage  
    Emitter-Base Voltage  
    VALUE  
    UNIT  
    V
    -80  
    -80  
    V
    -5  
    V
    Collector Current-Continuous  
    Collector Current-Peak  
    Base Current-Continuous  
    -4  
    A
    ICM  
    -7  
    A
    IB  
    -1  
    A
    Collector Power Dissipation  
    @ TC=25℃  
    PC  
    30  
    W
    ℃
    ℃
    TJ  
    Junction Temperature  
    150  
    -65~150  
    Storage Temperature Range  
    Tstg  
    THERMAL CHARACTERISTICS  
    SYMBOL  
    PARAMETER  
    MAX  
    UNIT  
    Thermal Resistance,Junction to Case  
    Thermal Resistance,Junction to Ambient  
    3.5  
    ℃/W  
    ℃/W  
    Rth j-c  
    100  
    Rth j-a  
    isc Website：www.iscsemi.cn  
    INCHANGE Semiconductor  
    isc Product Specification  
    isc Silicon PNP Power Transistor  
    BD722  
    ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
    TC=25℃ unless otherwise specified  
    SYMBOL  
    V(BR)CEO  
    VCE(  
    PARAMETER  
    CONDITIONS  
    MIN  
    TYP.  
    MAX UNIT  
    Collector-Emitter Breakdown Voltage  
    Collector-Emitter Saturation Voltage  
    Base-Emitter On Voltage  
    IC= -30mA ; IB= 0  
    -80  
    V
    IC= -2A; IB= -0.2A  
    IC= -2A; VCE= -4V  
    VCB= -80V; IE= 0  
    -1.0  
    -1.4  
    -50  
    -1  
    V
    )
    sat  
    V
    VBE(  
    )
    on  
    μA  
    mA  
    mA  
    mA  
    ICBO  
    Collector Cutoff Current  
    VCB= -40V; IE= 0; TC= 150℃  
    VCE= -40V; IB= 0  
    ICEO  
    IEBO  
    hFE-1  
    hFE-2  
    fT  
    Collector Cutoff Current  
    Emitter Cutoff Current  
    DC Current Gain  
    -0.1  
    -0.2  
    VEB= -5V; IC= 0  
    IC= -0.5A; VCE= -4V  
    IC= -2A; VCE= -4V  
    IC= -0.5A; VCE= -4V  
    40  
    20  
    3
    DC Current Gain  
    Current-Gain—Bandwidth Product  
    MHz  
    Switching Times  
    Turn-On time  
    0.1  
    0.4  
    μs  
    μs  
    ton  
    IC= -1A; IB1= -IB2= -0.1A;  
    VCC= -20V  
    Turn-Off time  
    toff  
    2
    isc Website：www.iscsemi.cn  
    配单直通车
    BD7411G产品参数
    型号:BD7411G
    是否无铅：不含铅
    是否Rohs认证：符合
    生命周期：Active
    IHS 制造商：ROHM CO LTD
    Reach Compliance Code：compliant
    风险等级：5.75
    Is Samacsys：N
    其他特性：SEATED HEIGHT-MAX
    主体宽度：1.6 mm
    主体高度：1.25 mm
    主体长度或直径：2.9 mm
    滞后：0.4 mT
    JESD-609代码：e2
    最大磁场范围：5.6 mT
    最小磁场范围：1.5 mT
    安装特点：SURFACE MOUNT
    最大工作电流：4 mA
    最高工作温度：85 °C
    最低工作温度：-40 °C
    输出范围：0.40-4.60V
    输出类型：VOLTAGE OUTPUT
    封装形状/形式：RECTANGULAR
    传感器/换能器类型：MAGNETIC FIELD SENSOR,HALL EFFECT
    最大供电电压：5.5 V
    最小供电电压：4.5 V
    表面贴装：YES
    端子面层：Tin/Copper (Sn/Cu)
    端接类型：SOLDER
    Base Number Matches：1
    •  
    • 供货商
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