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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • BD733U2EFJ-CE2图
  • 现代芯城(深圳)科技有限公司

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  • 深圳市宇川湘科技有限公司

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  • 深圳市鹏和科技有限公司

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  • 封装ROHM 
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  • 只做原装现货 支持实单
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  • 755-83990319 QQ:604309946QQ:1261585635

产品型号BD734的Datasheet PDF文件预览

INCHANGE Semiconductor  
isc Product Specification  
isc Silicon PNP Power Transistor  
BD734  
DESCRIPTION  
·DC Current Gain -  
: hFE = 40(Min.)@ IC= -20mA  
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-  
: V(BR)CEO= -25V(Min.)  
·Complement to Type BD733  
APPLICATIONS  
·Designed for amplifier and switching applications.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
PARAMETER  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
VALUE  
UNIT  
V
-25  
-25  
-5  
V
V
Collector Current-Continuous  
Collector Current-Peak  
Base Current-Continuous  
-4  
A
ICM  
-7  
A
IB  
-1  
A
Collector Power Dissipation  
@ Ta=25℃  
2
PC  
W
Collector Power Dissipation  
@ TC=25℃  
40  
TJ  
Junction Temperature  
150  
-55~150  
Storage Temperature Range  
Tstg  
isc Websitewww.iscsemi.cn  
INCHANGE Semiconductor  
isc Product Specification  
isc Silicon PNP Power Transistor  
BD734  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
TC=25unless otherwise specified  
SYMBOL  
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
VCE(  
PARAMETER  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
CONDITIONS  
MIN  
-25  
-25  
-5  
MAX  
UNIT  
V
IC= -30mA; IB= 0  
IC= -0.1mA; IE= 0  
IE= -1mA; IC= 0  
V
V
IC= -2A; IB= -0.2A  
IC= -2A; VCE= -1V  
VCE= -25V; VBE= 0  
IC= -20mA; VC-4
IC= -2A; VCE= -1V  
-0.6  
-1.1  
-0.2  
V
)
sat  
V
VBE(  
)
on  
ICES  
Collector Cutoff Current  
mA  
hFE-1  
DC Current Gain  
40  
50  
hFE-2  
DC Current Gain  
2
isc Websitewww.iscsemi.cn  
配单直通车
BD7411G产品参数
型号:BD7411G
是否无铅:不含铅
是否Rohs认证:符合
生命周期:Active
IHS 制造商:ROHM CO LTD
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.75
Is Samacsys:N
其他特性:SEATED HEIGHT-MAX
主体宽度:1.6 mm
主体高度:1.25 mm
主体长度或直径:2.9 mm
滞后:0.4 mT
JESD-609代码:e2
最大磁场范围:5.6 mT
最小磁场范围:1.5 mT
安装特点:SURFACE MOUNT
最大工作电流:4 mA
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
输出范围:0.40-4.60V
输出类型:VOLTAGE OUTPUT
封装形状/形式:RECTANGULAR
传感器/换能器类型:MAGNETIC FIELD SENSOR,HALL EFFECT
最大供电电压:5.5 V
最小供电电压:4.5 V
表面贴装:YES
端子面层:Tin/Copper (Sn/Cu)
端接类型:SOLDER
Base Number Matches:1
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