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    产品型号BD743A-S的Datasheet PDF文件预览

    BD743, BD743A, BD743B, BD743C  
    NPN SILICON POWER TRANSISTORS  
    Designed for Complementary Use with the  
    BD744 Series  
    TO-220 PACKAGE  
    (TOP VIEW)  
    90 W at 25°C Case Temperature  
    15 A Continuous Collector Current  
    20 A Peak Collector Current  
    1
    2
    3
    B
    C
    E
    Customer-Specified Selections Available  
    This series is obsolete and  
    not recommended for new designs.  
    Pin 2 is in electrical contact with the mounting base.  
    MDTRACA  
    absolute maximum ratings at 25°C case temperature (unless otherwise noted)  
    RATING  
    SYMBOL  
    VALUE  
    UNIT  
    BD743  
    50  
    BD743A  
    BD743B  
    BD74
    D743  
    70  
    Collector-base voltage (IE = 0)  
    Collector-emitter voltage (IB = 0)  
    VCBO  
    V
    90  
    110  
    45  
    D743A  
    BD743B  
    D743C  
    60  
    VCEO  
    V
    80  
    100  
    Emitter-base voltage  
    VEBO  
    IC  
    ICM  
    IB  
    5
    V
    A
    Continuous collector current  
    Peak collector current (see Note 1)  
    Continuous base current  
    15  
    20  
    A
    5
    A
    Continuous device dissipation at (or bel25astemperature (see Note 2)  
    Continuous device dissipation at (elow5°C ee air temperature (see Note 3)  
    Unclamped inductive load eny (sNote
    Ptot  
    Ptot  
    90  
    2
    W
    W
    mJ  
    °C  
    °C  
    °C  
    °C  
    2
    ½LIC  
    90  
    Operating free air temperature ge  
    TA  
    Tj  
    -65 to +150  
    -65 to +150  
    -65 to +150  
    250  
    Operating junction temperature range  
    Storage temperature range  
    Tstg  
    TL  
    Lead temperature 3.2 mm from case for 10 seconds  
    NOTES: 1. This value applies for tp ≤ 0.3 ms, duty cycle ≤ 10%.  
    2. Derate linearly to 150°C case temperature at the rate of 0.72 W/°C.  
    3. Derate linearly to 150°C free air temperature at the rate of 16 mW/°C.  
    4. This rating is based on the capability of the transistor to operate safely in a circuit of: L = 20 mH, IB(on) = 0.4 A, RBE = 100 Ω,  
    VBE(off) = 0, RS = 0.1 Ω, VCC = 20 V.  
    AUGUST 1978 - REVISED SEPTEMBER 2002  
    Specifications are subject to change without notice.  
    1
    BD743, BD743A, BD743B, BD743C  
    NPN SILICON POWER TRANSISTORS  
    electrical characteristics at 25°C case temperature (unless otherwise noted)  
    PARAMETER  
    TEST CONDITIONS  
    MIN  
    TYP  
    MAX  
    UNIT  
    BD743  
    45  
    60  
    Collector-emitter  
    BD743A  
    BD743B  
    BD743C  
    BD743  
    V(BR)CEO  
    IC  
    =
    30 mA  
    IB = 0  
    (see Note 5)  
    V
    breakdown voltage  
    80  
    100  
    VCE  
    VCE  
    VCE  
    =
    50 V  
    70 V  
    90 V  
    VBE = 0  
    0.1  
    0.1  
    0.1  
    0.1  
    5
    =
    =
    VBE = 0  
    VBE = 0  
    VBE = 0  
    VBE = 0  
    VBE = 0  
    VBE = 0  
    VBE = 0  
    BD743A  
    BD743B  
    BD743C  
    BD743  
    Collector cut-off  
    current  
    VCE = 110 V  
    ICBO  
    mA  
    VCE  
    VCE  
    VCE  
    =
    =
    =
    50 V  
    70 V  
    90 V  
    TC = 125°C  
    TC = 125°C  
    TC = 125°C  
    TC = 125°C  
    BD743A  
    BD743B  
    BD743C  
    BD743/743A  
    BD743B/743C  
    5
    5
    VCE = 110 V  
    5
    Collector cut-off  
    current  
    VCE  
    VCE  
    =
    =
    30 V  
    60 V  
    IB = 0  
    B = 0  
    0.1  
    0.1  
    ICEO  
    IEBO  
    mA  
    mA  
    I
    Emitter cut-off  
    current  
    VEB  
    =
    5 V  
    IC = 0  
    0.5  
    VCE  
    VCE  
    VCE  
    =
    =
    =
    4 V  
    4 V  
    IC  
    IC  
    =
    =
    1 A  
    5 A  
    40  
    20  
    5
    Forward current  
    transfer ratio  
    hFE  
    (see Notes 5 and 6)  
    150  
    4 V  
    I
    C = 15 A  
    IC 5 A  
    C = 15 A  
    IC 5 A  
    C = 15 A  
    Collector-emitter  
    saturation voltage  
    Base-emitter  
    IB  
    IB  
    =
    =
    0.5 A  
    5 A  
    =
    1
    3
    1
    3
    VCE(sat)  
    VBE  
    (see Notes 5 and 6)  
    (sNotes d 6)  
    = 1 z  
    V
    V
    I
    VCE  
    VCE  
    =
    =
    4 V  
    =
    voltage  
    4 V  
    I
    Small signal forward  
    current transfer ratio  
    Small signal forward  
    current transfer ratio  
    hfe  
    VCE  
    VCE  
    =
    =
    10 V  
    10 V  
    IC  
    =
    =
    1 A  
    1 A  
    25  
    5
    |hfe|  
    f = 1 MHz  
    NOTES: 5. These parameters must be mered sing pulse echniques, tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2%.  
    6. These parameters must bmead uvotage-sensing contacts, separate from the current carrying contacts.  
    thermal characteristics  
    PARAMETER  
    Junction to case thermal resistance  
    Junction to free air thermal resistance  
    MIN  
    MIN  
    TYP  
    MAX  
    UNIT  
    RθJC  
    RθJA  
    1.4  
    °C/W  
    °C/W  
    62.5  
    resistive-load-switching characteristics at 25°C case temperature  
    †
    PARAMETER  
    TEST CONDITIONS  
    TYP  
    MAX  
    UNIT  
    td  
    tr  
    ts  
    tf  
    Delay time  
    Rise time  
    Storage time  
    Fall time  
    20  
    ns  
    ns  
    ns  
    ns  
    I
    C = 5 A  
    IB(on) = 0.5 A  
    IB(off) = -0.5 A  
    350  
    500  
    400  
    V
    BE(off) = -4.2 V  
    RL = 6 Ω  
    tp = 20 µs, dc ≤ 2%  
    †
    Voltage and current values shown are nominal; exact values vary slightly with transistor parameters.  
    AUGUST 1978 - REVISED SEPTEMBER 2002  
    Specifications are subject to change without notice.  
    2
    BD743, BD743A, BD743B, BD743C  
    NPN SILICON POWER TRANSISTORS  
    TYPICAL CHARACTERISTICS  
    TYPICAL DC CURRENT GAIN  
    vs  
    COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE  
    vs  
    COLLECTOR CURRENT  
    COLLECTOR CURRENT  
    TCS637AA  
    TCS637AB  
    100  
    10  
    IC  
    TC = 125°C  
    = 10  
    IB  
    TC = 25°C  
    TC = -55°C  
    tp = 300µs, duty cycle < 2%  
    1·0  
    0·1  
    TC = -55°C  
    TC = 25°C  
    VCE = 4 V  
    TC = 125°C  
    tp = 300 µs, duty cycle < 2%  
    10  
    0·1  
    0·01  
    1·0  
    10  
    100  
    ·0  
    10  
    100  
    IC - Collector Current - A  
    IC - Collector Current - A  
    Figure 1.  
    Figure 2.  
    BASE-EMITTER VOLTAGE  
    vs  
    COLLECTOR CURRENT  
    TCS637AC  
    10  
    VCE = 4 V  
    tp = 300µs, duty cycle < 2%  
    1·0  
    TC = -55°C  
    TC = 25°C  
    TC = 125°C  
    0·1  
    0·1  
    1·0  
    10  
    100  
    IC - Collector Current - A  
    Figure 3.  
    AUGUST 1978 - REVISED SEPTEMBER 2002  
    Specifications are subject to change without notice.  
    3
    BD743, BD743A, BD743B, BD743C  
    NPN SILICON POWER TRANSISTORS  
    MAXIMUM SAFE OPERATING REGIONS  
    MAXIMUM FORWARD-BIAS  
    SAFE OPERATING AREA  
    SAS637AA  
    100  
    10  
    tp = 1 ms,  
    d = 0.1 = 10%  
    tp = 10 ms,  
    d = 0.1 = 10%  
    tp = 50 ms,  
    d = 0.1 = 10%  
    DC Operation  
    1·0  
    0·1  
    BD743  
    BD743A  
    BD743B  
    BD743C  
    0·01  
    1·0  
    10  
    10
    0  
    VCE - Collector-Emir VoltaV  
    Figre 4
    THERMAINFRMATION  
    MAXIMUM POWER DISSIPATION  
    vs  
    CASE TEMPERATURE  
    TIS637AA  
    0  
    90  
    80  
    70  
    60  
    50  
    40  
    30  
    20  
    10  
    0
    0
    25  
    50  
    75  
    100  
    125  
    150  
    TC - Case Temperature - °C  
    Figure 5.  
    AUGUST 1978 - REVISED SEPTEMBER 2002  
    Specifications are subject to change without notice.  
    4
    配单直通车
    BD743A-S产品参数
    型号:BD743A-S
    是否无铅： 不含铅
    是否Rohs认证： 符合
    生命周期：Obsolete
    零件包装代码：TO-220AB
    包装说明：PLASTIC, TO-220, FM-3
    针数：3
    Reach Compliance Code：not_compliant
    ECCN代码：EAR99
    HTS代码：8541.29.00.95
    风险等级：5.69
    外壳连接：COLLECTOR
    最大集电极电流 (IC)：15 A
    集电极-发射极最大电压：60 V
    配置：SINGLE
    最小直流电流增益 (hFE)：5
    JEDEC-95代码：TO-220AB
    JESD-30 代码：R-PSFM-T3
    JESD-609代码：e1
    元件数量：1
    端子数量：3
    最高工作温度：150 °C
    封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
    封装形状：RECTANGULAR
    封装形式：FLANGE MOUNT
    峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
    极性/信道类型：NPN
    最大功率耗散 (Abs)：90 W
    认证状态：Not Qualified
    子类别：Other Transistors
    表面贴装：NO
    端子面层：TIN SILVER COPPER
    端子形式：THROUGH-HOLE
    端子位置：SINGLE
    处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
    晶体管应用：SWITCHING
    晶体管元件材料：SILICON
    Base Number Matches：1
    •  
    • 供货商
    • 型号 *
    • 数量*
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