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  • 010-62104931 QQ:2880824479QQ:1344056792
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  • 深圳市惠诺德电子有限公司

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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 深圳市瑞天芯科技有限公司

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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市赛矽电子有限公司

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  • 批号最新 
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  • 0755-83040896 QQ:3397630681
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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 深圳市澳亿芯电子

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  • 深圳市创思克科技有限公司

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  • -0755-88910020 QQ:1092793871
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  • 深圳市隆鑫创展电子有限公司

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  • 0755-82812278 QQ:2355878626QQ:2850299242
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  • 深圳市特拉特科技有限公司

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  • 数量18000 
  • 厂家RHOM 
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  • 批号22+ 
  • 原装正品,品质保证,值得你信赖
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  • 0755-82531732 QQ:709809857
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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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  • 数量47131 
  • 厂家ROHM 
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  • 批号17+ 
  • 原厂指定分销商,有意请来电或QQ洽谈
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    QQ:916896414QQ:916896414 复制
  • 0755-82772151 QQ:1091796029QQ:916896414
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  • 深圳市恒佳微电子有限公司

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  • 正品原装 支持最低价
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  • 755-82533156 QQ:864187665QQ:1807086236
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产品型号BD780的Datasheet PDF文件预览

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by BD777/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . designed for general purpose amplifier and high–speed switching applications.  
High DC Current Gain  
= 1400 (Typ) @ I = 2.0 Adc  
Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 10 mAdc  
h
FE  
C
*Motorola Preferred Device  
V
V
V
= 45 Vdc (Min) — BD776  
= 60 Vdc (Min) — BD777, 778  
= 80 Vdc (Min) — BD780  
CEO(sus)  
CEO(sus)  
CEO(sus)  
DARLINGTON  
4–AMPERE  
COMPLEMENTARY  
SILICON  
Reverse Voltage Protection Diode  
Monolithic Construction with Built–in Base–Emitter output Resistor  
POWER TRANSISTORS  
45, 60, 80 VOLTS  
15 WATTS  
MAXIMUM RATINGS  
BD777  
BD778  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol BD776  
BD780  
80  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
45  
45  
60  
60  
CEO  
V
80  
CB  
V
EB  
5.0  
Collector Current —  
Continuous Peak  
I
C
4.0  
6.0  
Base Current  
I
B
100  
mAdc  
Total Device Dissipation  
P
D
15  
0.12  
Watts  
W/ C  
T
C
= 25 C – Derate above 25 C  
CASE 77–08  
TO–225AA TYPE  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J stg  
65 to +150  
C
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristics  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
8.34  
83.3  
C/W  
θJC  
θJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
R
C/W  
16  
1.6  
1.2  
0.8  
12  
8.0  
4.0  
0.4  
0
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
140  
160  
T, TEMPERATURE (°C)  
Figure 1. Power Derating  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 7  
Motorola, Inc. 1995
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)  
(I = 10 mAdc, I = 0)  
BD776  
BD777, BD778  
BD780  
V
45  
60  
80  
Vdc  
CEO(sus)  
O
B
Collector Cutoff Current  
I
µAdc  
CEO  
CBO  
(V  
CE  
(V  
CE  
(V  
CE  
= 20 Vdc, I = 0)  
BD776  
BD777, BD778  
BD780  
100  
100  
100  
B
= 30 Vdc, I = 0)  
B
= 40 Vdc, I = 0)  
B
Collector Cutoff Current  
I
µAdc  
µAdc  
(V  
CB  
(V  
CB  
= Rated, V  
= Rated, V  
, I = 0)  
, I = 0, I = 100°C)  
E
1.0  
100  
CEO(sus)  
CEO(sus)  
E
C
Emitter Cutoff Current (V  
= 5.0 Vdc, I = 0)  
I
EBO  
1.0  
BE  
C
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain (I = 2.0 Adc, V  
= 3.0 Vdc)  
H
750  
C
CE  
FE  
Collector–Emitter Saturation Voltage (I = 1.5 Adc, I = 6 mAdc)  
V
1.5  
2.5  
2.3  
2.0  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
C
B
CE(Sat)  
BE(Sat)  
Base Emitter Saturation Voltage (I = 1.5 Adc, I = 6 mAdc)  
V
C
B
Base–Emitter On Voltage (I = 1.5 Adc,V  
CE  
= 3 Vdc)  
V
C
BE(On)  
Output Diode Voltage Drop (I  
EC  
= 2.0 Adc)  
V
EC  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Current Gain Bandwidth Product (I = 1.0 Adc, V  
= 2.0 Vdc)  
f
T
20  
MHz  
C
CE  
Symbol  
Min  
Typ  
Unit  
Turn–On Time (I = 250 mA/V  
CE  
= 2 V)  
= 2 V)  
BD775–777  
BD776–778–780  
t
250  
150  
ns  
C
on  
Turn–Off Time (I = 250 mA, V  
C
BD775–777  
BD776–778–780  
t
600  
400  
ns  
CE  
off  
10  
3000  
2000  
1500  
100 µs  
777  
5.0  
500 µs  
2.0  
1.0  
1.0 ms  
= 150  
5.0 ms  
1000  
700  
BD776, 778, 780  
T
°C  
dc  
J
0.5  
BONDING WIRE LIMITED  
THERMALLY LIMITED @ T = 25°C  
C
(SINGLE PULSE)  
500  
400  
T
= 25°C  
J
SECONDARY BREAKDOWN LIMITED  
0.1  
300  
V
CE  
= 2.0 Vdc  
CURVES APPLY BELOW RATED V  
CEO  
0.05  
200  
BD775, 776  
BD777, 778  
BD780  
0.02  
0.01  
100  
1.0  
2.0  
V
3.0 5.0  
7.0 10  
20  
30  
50 70 100  
0.2  
0.3  
0.5  
0.7  
1.0  
2.0  
3.0 4.0 5.0  
, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)  
CE  
I
, COLLECTOR CURRENT (AMP)  
C
Figure 2. Active Region Safe Operating Area  
Figure 3. Typical DC Current Gain  
COLLECTOR  
COLLECTOR  
PNP  
NPN  
BD776  
BD778  
BD780  
BD777  
BD779  
BASE  
BASE  
150  
150  
EMITTER  
EMITTER  
Figure 4. Darlington Circuit Schematic  
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data  
PACKAGE DIMENSIONS  
–B–  
NOTES:  
F
C
U
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI  
Y14.5M, 1982.  
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.  
Q
M
INCHES  
MILLIMETERS  
–A–  
DIM  
A
B
C
D
F
MIN  
MAX  
0.435  
0.305  
0.105  
0.026  
0.130  
MIN  
10.80  
7.50  
2.42  
0.51  
2.93  
MAX  
11.04  
7.74  
2.66  
0.66  
3.30  
1
2
3
0.425  
0.295  
0.095  
0.020  
0.115  
H
K
G
H
J
K
M
Q
R
S
0.094 BSC  
2.39 BSC  
0.050  
0.015  
0.575  
5
0.095  
0.025  
0.655  
1.27  
0.39  
14.61  
5
2.41  
0.63  
16.63  
TYP  
TYP  
J
V
G
0.148  
0.045  
0.025  
0.145  
0.040  
0.158  
0.055  
0.035  
0.155  
–––  
3.76  
1.15  
0.64  
3.69  
1.02  
4.01  
1.39  
0.88  
3.93  
–––  
R
M
M
M
0.25 (0.010)  
A
B
S
U
V
D 2 PL  
STYLE 1:  
PIN 1. EMITTER  
M
M
M
0.25 (0.010)  
A
B
2. COLLECTOR  
3. BASE  
CASE 77–08  
TO–225AA TYPE  
ISSUE V  
3
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data  
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BD777/D  
配单直通车
BD7820FP产品参数
型号:BD7820FP
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:ROHM CO LTD
零件包装代码:TO-252
包装说明:TO-252,
针数:4
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.81
JESD-30 代码:R-PSSO-G5
长度:6.5 mm
功能数量:1
端子数量:5
工作温度TJ-Max:125 °C
工作温度TJ-Min:
最大输出电压 1:5 V
最小输出电压 1:1 V
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TO-252
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
认证状态:Not Qualified
调节器类型:ADJUSTABLE POSITIVE SINGLE OUTPUT LDO REGULATOR
座面最大高度:2.5 mm
表面贴装:YES
端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm
端子位置:SINGLE
宽度:5.5 mm
Base Number Matches:1
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