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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 封装SOT-343 
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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • BF2040WE6814XT
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  • 厂家INFINEON 
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥0.9元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
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  • 深圳市福田区恒科电子商行

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  • 封装SOT-343 
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  • 数量236000 
  • 厂家INFINEON-英飞凌 
  • 封装SOT-343-4 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥0.5元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 真实库存全新原装正品!代理此型号
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  • 批号23+ 
  • 优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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  • 深圳市恒达亿科技有限公司

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  • 厂家Infineon 
  • 封装SOT343 
  • 批号23+ 
  • 全新原装公司现货销售!
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  • 数量5000 
  • 厂家INFINEON 
  • 封装SOT343 
  • 批号2024+ 
  • 百分百原装正品,现货库存
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  • 深圳市高捷芯城科技有限公司

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  • 批号23+ 
  • 支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • BF2040W E6814
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  • 厂家INFINEON 
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  • 绝对原装正品全新进口深圳现货
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  • 数量82000 
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  • 批号2024 
  • 深圳原装现货库存,欢迎咨询合作
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  • BF2040WH6814
  • 数量32000 
  • 厂家Infineon(英飞凌) 
  • 封装SOT-343 
  • 批号1年内 
  • 原厂渠道 正品保障 长期供应
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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • BF2040W
  • 数量85000 
  • 厂家INF 
  • 封装21+ 
  • 批号23+ 
  • 真实库存全新原装正品!代理此型号
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • BF2040WE6327
  • 数量78800 
  • 厂家INFINEON-英飞凌 
  • 封装SOT-343 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
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  • 深圳市正纳电子有限公司

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  • BF2040W
  • 数量26700 
  • 厂家Infineon(英飞凌) 
  • 封装▊原厂封装▊ 
  • 批号▊ROHS环保▊ 
  • 十年以上分销商原装进口件服务型企业0755-83790645
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  • 755-83790645 QQ:2881664479
  • BF2040W H6814图
  • 深圳市宏世佳电子科技有限公司

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  • BF2040W H6814
  • 数量5185 
  • 厂家INFINEON 
  • 封装SOT-343 
  • 批号2023+ 
  • 全新原厂原装产品、公司现货销售
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  • 深圳市芳益电子科技有限公司

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  • 数量7800 
  • 厂家INFINEON 
  • 封装SOT343 
  • 批号2023+ 
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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 封装SOT343 
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  • 深圳市华来深电子有限公司

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  • 厂家INF 
  • 封装SOT-343 
  • 批号17+ 
  • 受权代理!全新原装现货特价热卖!
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  • 深圳市亿智腾科技有限公司

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  • 数量18560 
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  • 深圳市金亿瑞科技有限公司

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  • 数量3000 
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  • 只做原装,可提供13点增值税发票
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 数量660000 
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  • 批号23+ 
  • 支持实单/只做原装
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  • 深圳市诚达吉电子有限公司

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  • 数量31982 
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  • 封装SOT343 
  • 批号2024+ 
  • 原装正品 一手现货 假一赔百
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  • 深圳市正纳电子有限公司

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  • 数量11740 
  • 厂家Infineon(英飞凌) 
  • 封装N/A 
  • 批号22+ 
  • 只做原装 欢迎询价 ***
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产品型号BF2040W的概述

芯片BF2040W的概述 BF2040W是一款高性能的微控制器芯片,常被广泛应用于嵌入式系统、物联网设备以及各种智能控制应用。该芯片具备强大的处理能力、丰富的接口以及良好的功耗控制特性。BF2040W主要基于ARM Cortex-M系列核心架构,能够满足许多实时处理和嵌入式应用的需求,特别是在功耗敏感的场合中表现尤为突出。 芯片BF2040W的详细参数 BF2040W的具体参数包括: - 核心架构: ARM Cortex-M4 - 主频: 最高可达120MHz - 闪存: 512KB内置闪存 - SRAM: 128KB内置SRAM - 外设接口: 包括UART、SPI、I2C等多种通信接口 - ADC: 12位ADC,最多支持16通道 - PWM模块: 支持多个PWM输出通道 - 定时器: 多达6个定时器,可用于实时控制 - 工作电压: 1.8V至3.6V - 工作温度范围: -40°...

产品型号BF2040W的Datasheet PDF文件预览

BF 2040W  
Silicon N-Channel MOSFET Tetrode  
Preliminary data  
For low noise, high gain controlled  
input stages up to 1GHz  
Operating voltage 5V  
ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution  
Type  
Marking Ordering Code  
Pin Configuration  
Package  
BF 2040W NCs  
Q62702-F1776  
1 = D  
2 = S  
3 = G1 4 = G2 SOT-343  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
V
Drain-source voltage  
Continuos drain current  
V
14  
DS  
I
40  
mA  
D
Gate 1/gate 2 peak source current  
±I  
10  
7
G1/2SM  
Gate 1 (external biasing)  
+V  
V
G1SE  
Total power dissipation, T = 94 °C  
P
T
T
200  
mW  
°C  
S
tot  
Storage temperature  
Channel temperature  
-55 ...+150  
150  
stg  
ch  
Thermal Resistance  
Channel - soldering point  
R
280  
K/W  
thchs  
Semiconductor Group  
Semiconductor Group  
1
Jun-05-1998  
1998-11-01  
1
BF 2040W  
Electrical Characteristics at T = 25°C, unless otherwise specified.  
A
Parameter  
Symbol  
Values  
typ. max.  
Unit  
min.  
DC characteristics  
Drain-source breakdown voltage  
V
-
12  
8.5  
8.5  
-
-
-
V
(BR)DS  
I = 650 µA, -V  
= 4 V, - V  
= 4 V  
G2S  
D
G1S  
Gate 1 - source breakdown voltage  
+I = 10 mA, V = 0 V, V = 0 V  
+V  
+V  
-
(BR)G1SS  
(BR)G2SS  
G1SS  
G1S  
G2S  
DS  
Gate 2 - source breakdown voltage  
±I = 10 mA, V = V = 0  
-
-
G2S  
G1S  
DS  
Gate 1 source current  
= 5 V, V = 0 V  
+I  
-
-
50  
50  
-
nA  
V
G1S  
G2S  
Gate 2 source leakage current  
= 5 V, V = 0 V, V = 0 V  
+I  
-
G2SS  
V
G2S  
G1S  
DS  
Drain current  
= 5 V, V  
I
I
-
-
µA  
mA  
V
DSS  
V
= 0 V, V  
= 4 V  
DS  
G1S  
G2S  
Drain-source current  
= 5 V, V = 4 V, R = 40 k  
-
15  
0.6  
0.7  
-
DSX  
V
DS  
G2S  
G1  
Gate 2-source pinch-off voltage  
= 5 V, I = 20 µA  
V
V
0.3  
0.3  
-
G2S(p)  
G1S(p)  
V
DS  
D
Gate 1-source pinch-off voltage  
= 5 V, V = 4 V, I = 20 µA  
-
V
DS  
G2S  
D
AC characteristics  
Forward transconductance  
g
-
-
45  
-
-
mS  
pF  
fs  
V
= 5 V, I = 15 mA, V  
= 4 V  
DS  
D
G2S  
Gate 1 input capacitance  
= 5 V, I = 15 mA, V  
C
3.7  
g1ss  
V
= 4 V,  
DS  
D
G2S  
f = 1 MHz  
Output capacitance  
C
-
-
2.3  
2
-
-
dss  
V
= 5 V, I = 15 mA, V  
= 4 V,  
DS  
D
G2S  
f = 1 MHz  
Noise figure  
F
dB  
V
= 5 V, I = 15 mA, f = 800 MHz  
D
DS  
Semiconductor Group  
Semiconductor Group  
2
Jun-05-1998  
1998-11-01  
2
配单直通车
BF2040W产品参数
型号:BF2040W
生命周期:Transferred
IHS 制造商:SIEMENS A G
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.3
Is Samacsys:N
其他特性:LOW NOISE
外壳连接:SOURCE
配置:SINGLE
最大漏极电流 (ID):0.04 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G4
元件数量:1
端子数量:4
工作模式:DUAL GATE, DEPLETION MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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