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首天国际（深圳）科技有限公司
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柒号芯城电子商务（深圳）有限公司
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深圳市中利达电子科技有限公司
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深圳市芯福林电子有限公司
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北京元坤伟业科技有限公司
BLV1046
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深圳市楷兴电子科技有限公司
BLV1046

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厂家PHILIPS/???
封装NA
批号21+
????
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北京齐天芯科技有限公司
BLV1046

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厂家PHILIPS
封装高频管
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原装正品，假一罚十
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上海熠富电子科技有限公司
BLV1046

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厂家PHILIPS
封装MODULE
批号2023
上海原装现货库存，欢迎查询！
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深圳市汇满鑫电子科技有限公司
BLV1046

数量2021
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封装回收公司呆料回收此型号寻找代理渠道
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深圳市一线半导体有限公司
BLV1046/P

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深圳市一线半导体有限公司
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BLV108

N沟纵向MOSFET

描述:

N沟增强型VDMOS，高速开关，无二次击穿

产品应用：

ꢀ

电话机电路

继电器电路

驱动电路等

工作条件 (T=25℃)

符号

参数

极限值

200

单位

V_DSS

V_GSS

I_D

漏源电压

栅源电压

漏电流

+ 20

300

P_D

Power Dissipation for Dual Operation

Tj, T_SDG结温度和存储温度

热特性

-55 to +150

^oC

R_{th j-a}

Thermal Resistance, Junction to Ambient

125

K/W

电学特性 T_A=25^oC

符号

参数

测试条件

最小典型最大单位

BV_DSS

V_GS= 0V

I_D=10uA

源漏击穿电压

200

0.4

I_DSS

V_DS= 160V

V_GS= 0V

V_DS= 0V

零栅压时的漏极电流

栅和衬底之间的漏电流

阈值电压

+100

1.8

I_GSS

V_GS= ±20

V_DSV_GS

V_GS= 2.8

V_{GS (th)}

R_{DS (on)}

I_D=1mA

,I_D=100mA

导通电阻

Ω

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- 1 -

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8/18/2006

BLV108

交流特性

Ciss

输入电容

输出电容

反馈电容

120

V_DS=25V，V_GS=0V

f = 1MHz

Coss

Crss

开关特性

t_on

Turn-On时间

Turn-Off时间

V_DD=50V, I_D=250mA

V_GS=0 to 10V

t_off

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BLV11产品参数

型号:	BLV11
是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred
IHS 制造商：	NORTH AMERICAN PHILIPS DISCRETE PRODUCTS DIV
包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.64
Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	3 A
配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	10
JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	200 °C
极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	36 W
子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)：	800 MHz
Base Number Matches：	1

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