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    • BLV101A图

    • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

       该会员已使用本站16年以上
    • BLV101A
    • 数量12500 
    • 厂家PHILIPS 
    • 封装 
    • 批号2023+ 
    • 绝对原装全新正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
    • QQ:364510898QQ：364510898 复制
      QQ:515102657QQ：515102657 复制
    • 0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:364510898QQ:515102657
    • BLV101A图

    • 北京齐天芯科技有限公司

       该会员已使用本站15年以上
    • BLV101A
    • 数量6000 
    • 厂家PHILIPS 
    • 封装高频管 
    • 批号2024+ 
    • 原装正品，假一罚十
    • QQ:2880824479QQ：2880824479 复制
      QQ:1344056792QQ：1344056792 复制
    • 010-62104931 QQ:2880824479QQ:1344056792
    • BLV101A图

    • 深圳市芯福林电子有限公司

       该会员已使用本站15年以上
    • BLV101A
    • 数量98500 
    • 厂家PHILIPS 
    • 封装 
    • 批号23+ 
    • 真实库存全新原装正品！代理此型号
    • QQ:2881495751QQ：2881495751 复制
    • 0755-88917743 QQ:2881495751
    • BLV101A图

    • 上海熠富电子科技有限公司

       该会员已使用本站15年以上
    • BLV101A
    • 数量560 
    • 厂家PHILIPS 
    • 封装MODULE 
    • 批号2023 
    • 上海原装现货库存，欢迎查询！
    • QQ:2719079875QQ：2719079875 复制
      QQ:2300949663QQ：2300949663 复制
    • 15821228847 QQ:2719079875QQ:2300949663
    • BLV101A图

    • 深圳市创思克科技有限公司

       该会员已使用本站2年以上
    • BLV101A
    • 数量8800 
    • 厂家NXP/恩智浦 
    • 封装SMD 
    • 批号20+ 
    • 全新原装原厂实力挺实单欢迎来撩
    • QQ:1092793871QQ：1092793871 复制
    • -0755-88910020 QQ:1092793871
    • BLV101A图

    • 深圳市一线半导体有限公司

       该会员已使用本站11年以上
    • BLV101A
    • 数量22000 
    • 厂家原厂品牌 
    • 封装原厂外观 
    • 批号 
    • 全新原装部分现货其他订货
    • QQ:2881493920QQ：2881493920 复制
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    产品型号BLV101A的Datasheet PDF文件预览

    DISCRETE SEMICONDUCTORS  
    DATA SHEET  
    Line-ups  
    RF Power Transistors for UHF  
    1996 Feb 12  
    File under Discrete Semiconductors, SC08b  
    Philips Semiconductors  
    RF Power Transistors for UHF  
    Line-ups  
    INTRODUCTION  
    In this section, we present information on recommended circuit line-ups in the main RF power application areas.  
    A comprehensive range of output power levels is indicated, together with our recommended types in the particular line-up  
    configuration. The necessary drive power level for each line-up is indicated in the first column.  
    More detailed application information can be found in the application reports book “Bipolar and MOS Transmitting  
    Transistors”.  
    AM AIRCRAFT TRANSMITTERS (100 to 400 MHz)  
    Bipolar  
    INPUT  
    POWER  
    (mW)  
    PL(carr)  
    (W)  
    VCE  
    (V)  
    S = stud  
    F = flange  
    1st STAGE  
    BLW89  
    2nd STAGE  
    2 × BLW90  
    3rd STAGE  
    40  
    60  
    2 × BLX94C  
    2 × BLU60/28  
    2 × BLU60/28  
    40  
    60  
    28  
    28  
    28  
    S
    BLW89  
    BLW90  
    2 × BLW91  
    S/F  
    S/F  
    500  
    2 × BLX94C  
    120  
    PowerMOS  
    INPUT  
    POWER  
    (mW)  
    PL(carr)  
    (W)  
    VCE  
    (V)  
    1st STAGE  
    2nd STAGE  
    3rd STAGE  
    30  
    25  
    BLF521(1)  
    BLF521(1)  
    BLF521(1)  
    BLF521(1)  
    BLF522(1)  
    BLF543  
    BLF543  
    BLF544  
    BLF545  
    BLF546  
    BLF547  
    BLF548  
    40  
    80  
    28  
    28  
    28  
    28  
    30  
    100  
    150  
    100  
    Note  
    1. VDS = 12.5 V.  
    PORTABLE and MOBILE TRANSMITTERS (400 to 512 MHz)  
    Bipolar  
    INPUT  
    POWER  
    (mW)  
    PL  
    (W)  
    VCE  
    (V)  
    1st STAGE  
    BLV90  
    2nd STAGE  
    BLU99  
    3rd STAGE  
    45  
    15  
    3
    7.5  
    13  
    BFR96S  
    BLU99  
    BLU99  
    BLU99  
    BLU99  
    BLW81  
    10  
    20  
    45  
    60  
    400  
    280  
    400  
    BLU20/12  
    BLU20/12  
    BLU20/12  
    BLU45/12  
    BLU60/12  
    13  
    13  
    1996 Feb 12  
    2
    Philips Semiconductors  
    RF Power Transistors for UHF  
    Line-ups  
    PowerMOS  
    INPUT  
    PL  
    (W)  
    VCE  
    (V)  
    POWER  
    (mW)  
    1
    st STAGE  
    2nd STAGE  
    BLF522  
    3rd STAGE  
    50  
    BLF521  
    5
    12.5  
    BASE STATIONS (400 to 470 MHz)  
    Bipolar  
    INPUT  
    POWER  
    (mW)  
    PL  
    (W)  
    VCE  
    (V)  
    1st STAGE  
    2nd STAGE  
    3rd STAGE  
    40  
    BLW89  
    BLW90  
    BLW91  
    BLX94C  
    BLX94C  
    BLU60/28  
    30  
    60  
    28  
    28  
    220  
    PowerMOS  
    INPUT  
    POWER  
    (mW)  
    PL  
    (W)  
    VCE  
    (V)  
    1st STAGE  
    2nd STAGE  
    3rd STAGE  
    35  
    40  
    BLF521(1)  
    BLF521(1)  
    BLF521(1)  
    BLF521(1)  
    BLF522(1)  
    BLF543  
    BLF544  
    BLF544  
    BLF545  
    BLF546  
    BLF548  
    BLF547  
    40  
    80  
    28  
    28  
    28  
    28  
    150  
    45  
    150  
    100  
    Note  
    1. VDS = 12.5 V.  
    ANALOG CELLULAR (900 MHz)  
    Bipolar  
    INPUT  
    POWER  
    (mW)  
    PL  
    (W)  
    VCE  
    (V)  
    1st STAGE  
    BFG10W/X  
    2nd STAGE  
    3rd STAGE  
    10  
    1
    BLT71/8  
    BLT80  
    1.2  
    1.2  
    1.2  
    1.2  
    4.8  
    6
    BFG540/X  
    BFG540/X  
    BFG520W/X  
    BLT81  
    BLT71  
    BLT61  
    1
    BLT70  
    4.8  
    3.6  
    1
    BFG10W/X  
    1996 Feb 12  
    3
    Philips Semiconductors  
    RF Power Transistors for UHF  
    Line-ups  
    DIGITAL CELLULAR (900 MHz)  
    Bipolar  
    INPUT  
    POWER  
    (mW)  
    PL  
    (W)  
    VCE  
    (V)  
    1
    st STAGE  
    2nd STAGE  
    BFG10W/X  
    3rd STAGE  
    BLT72  
    1
    1
    1
    BFG540W/X  
    BFG540W/X  
    BFG540W/X  
    3(1)  
    3
    3.5(1)  
    4.8  
    3.6  
    6
    BFG10W/X  
    BFG10W/X  
    BLT62  
    BLT82  
    Note  
    1. Pulsed.  
    PORTABLE TRANSMITTERS (860 to 960 MHz))  
    Bipolar  
    INPUT  
    POWER  
    (mW)  
    PL  
    (W)  
    VCE  
    (V)  
    1st STAGE  
    2nd STAGE  
    3rd STAGE  
    1
    BFG540  
    BFG91A  
    BLT80  
    BLT80  
    BLT81  
    1.2  
    3
    6
    15  
    BLT92/SL  
    7.5  
    MOBILE TRANSMITTERS (860 to 960 MHz)  
    Bipolar  
    INPUT  
    POWER  
    (mW)  
    PL  
    (W)  
    VCE  
    (V)  
    S = stud  
    F = flange  
    1st STAGE  
    BLU86  
    2nd STAGE  
    3rd STAGE  
    BLV93  
    4th STAGE  
    110  
    100  
    100  
    BLV91/SL  
    BLV92  
    8
    13  
    13  
    13  
    S/F  
    S/F  
    S/F  
    BLV90  
    BLU86  
    BLV94  
    BLV93  
    15  
    22  
    BLV91/SL  
    BLV95  
    1996 Feb 12  
    4
    Philips Semiconductors  
    RF Power Transistors for UHF  
    Line-ups  
    BASE STATIONS (860 to 960 MHz) CLASS AB OPERATION  
    Bipolar  
    INPUT  
    POWER  
    (mW)  
    PL  
    (W)  
    VCE  
    (V)  
    f
    1st STAGE  
    2nd STAGE  
    3rd STAGE  
    4th STAGE  
    (MHz)  
    270  
    220  
    65  
    BLV103(1)  
    BLV103(1)  
    BLV99/SL(2)  
    BLV99/SL  
    BLV99/SL  
    BGY916  
    BLV103(1)  
    BLV103(1)  
    BLV99/SL  
    BLV99/SL  
    BLV99/SL  
    BLV99/SL  
    BLV103(1)  
    BLV934  
    BLV935  
    BLV910  
    BLV100(3)  
    BLV100(3)  
    BLV958  
    BLV920  
    BLV920  
    BLV103  
    BLV103  
    BLV103  
    BLV103  
    BLV934  
    30  
    30  
    26  
    26  
    26  
    25  
    25  
    26  
    26  
    26  
    25  
    25  
    25  
    25  
    26  
    960  
    960  
    960  
    900  
    960  
    960  
    960  
    960  
    900  
    960  
    900  
    900(4)  
    960  
    BLV946  
    40  
    64  
    BLV101A  
    BLV101B  
    45  
    100  
    25  
    45  
    75  
    75  
    BLV958  
    75  
    75  
    2 × BLV946  
    BLV98CE  
    BLV97CE  
    BLV945A  
    BLV945A  
    BLV950  
    80  
    25  
    2 × BLV101A  
    2 × BLV101B  
    BLV950  
    85  
    30  
    85  
    35  
    120  
    150 (PEP)  
    150  
    20  
    BLV950  
    250  
    Notes  
    1. BLV904 is a comparable transistor in a SMD package.  
    2. BLV902 is a comparable transistor in a SMD package.  
    3. BLV909 is a comparable transistor in a SMD package.  
    4. dIM = −30 dB.  
    1996 Feb 12  
    5
    Philips Semiconductors  
    RF Power Transistors for UHF  
    Line-ups  
    DIGITAL CELLULAR (1800 MHz)  
    Bipolar  
    INPUT  
    POWER  
    (mW)  
    PL  
    (W)  
    VCE  
    (V)  
    1
    st STAGE  
    2nd STAGE  
    3rd STAGE  
    2
    1
    BFG540W/X  
    BFG540W/X  
    BFG10W/X  
    BFG10W/X  
    BLT14  
    BLT13  
    1.6  
    2
    4.8  
    6
    BASE STATIONS (1800 to 1900 MHz)  
    Bipolar  
    PL  
    (W)  
    VCE  
    (V)  
    1st STAGE  
    LLE18010X  
    2nd STAGE  
    LLE18040X  
    3rd STAGE  
    LLE18150X  
    4th STAGE  
    15  
    50  
    50  
    75  
    90  
    24  
    24  
    26  
    24  
    24  
    LLE18010X  
    BGY1916  
    LLE18040X  
    LFE20500X  
    LLE18040X  
    LLE18040X  
    LLE18150X  
    2 × LLE18300X  
    LLE18010X  
    LLE18010X  
    LLE18150X  
    LLE18300X  
    2 × LXE18400X  
    2 × LFE20500X  
    BASE STATIONS (1900 to 2000 MHz)  
    Bipolar  
    PL  
    (W)  
    VCE  
    (V)  
    1st STAGE  
    LLE18010X  
    2nd STAGE  
    LLE18040X  
    3rd STAGE  
    4th STAGE  
    LLE18150X  
    LLE18150X  
    15  
    50  
    50  
    75  
    90  
    24  
    24  
    26  
    24  
    24  
    LLE18010X  
    BGY1816  
    LLE18040X  
    LFE18500X  
    LLE18040X  
    LLE18040X  
    2 × LLE18300X  
    LLE18010X  
    LLE18010X  
    LLE18150X  
    LLE18300X  
    2 × LXE18400X  
    2 × LFE18500X  
    BASE STATIONS (1800 to 2000 MHz) CLASS AB OPERATION  
    Bipolar  
    INPUT  
    POWER  
    (mW)  
    PL  
    (W)  
    VCE  
    (V)  
    1st STAGE  
    2nd STAGE  
    3rd STAGE  
    25  
    60  
    BGY1816; BGY1916  
    BLV2040(1)  
    BLV2040(1)  
    15  
    15  
    25  
    50  
    26  
    26  
    26  
    26  
    BLV2042(1)  
    BLV2044  
    BLV2045  
    2 × BLV2045  
    120  
    250  
    BLV2044  
    BLV2044  
    BLV2042(1)  
    Note  
    1. In a SOT409 SMD package.  
    1996 Feb 12  
    6
    配单直通车
    BLV101A产品参数
    型号:BLV101A
    生命周期：Transferred
    IHS 制造商：NORTH AMERICAN PHILIPS DISCRETE PRODUCTS DIV
    包装说明：,
    Reach Compliance Code：unknown
    风险等级：5.61
    Is Samacsys：N
    最大集电极电流 (IC)：10 A
    配置：Single
    最小直流电流增益 (hFE)：15
    最高工作温度：200 °C
    极性/信道类型：NPN
    最大功率耗散 (Abs)：100 W
    子类别：Other Transistors
    表面贴装：YES
    Base Number Matches：1
    •  
    • 供货商
    • 型号 *
    • 数量*
    • 厂商
    • 封装
    • 批号
    • 交易说明
    • 询价
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