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    • BSZ0904NSI图

    • 深圳市芯脉实业有限公司

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    • 数量402 
    • 厂家INFINEON 
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    • 批号22+ 
    • 新到现货、一手货源、当天发货、bom配单
    • QQ:1435424310QQ：1435424310 复制
    • 0755-84507451 QQ:1435424310
    • BSZ0904NSI图

    • 深圳市广百利电子有限公司

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    • BSZ0904NSI 现货库存
    • 数量18500 
    • 厂家Infineon(英飞凌) 
    • 封装PG-TSDSON-8 
    • 批号23+ 
    • ★★全网低价，原装原包★★
    • QQ:1483430049QQ：1483430049 复制
    • 0755-83235525 QQ:1483430049
    • BSZ0904NSI图

    • 深圳市科时进电子有限公司

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    • BSZ0904NSI 现货库存
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    • 厂家INFINEON/英飞凌 
    • 封装PG-TDSON-8 
    • 批号21+ 
    • 全新进口现货▊一手货源▊热卖支持实单▊bom配单专家
    • QQ:2355850215QQ：2355850215 复制
    • 0755-83997989 QQ:2355850215
    • BSZ0904NSI图

    • 集好芯城

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    • BSZ0904NSI
    • 数量15313 
    • 厂家INFINEON/英飞凌 
    • 封装PG-TSDSON-8 
    • 批号最新批次 
    • 原装原厂 现货现卖
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    • 0755-83239307 QQ:3008092965QQ:3008092965
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    • 首天国际（深圳）科技有限公司

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    • 数量5000 
    • 厂家Infineon Technologies 
    • 封装标准封装 
    • 批号2024+ 
    • 百分百原装正品，现货库存
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    • 0755-82807802 QQ:528164397QQ:1318502189
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    • 首天国际（深圳）集团有限公司

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    • 数量5000 
    • 厂家Infineon Technologies 
    • 封装标准封装 
    • 批号2024+ 
    • 百分百原装正品，现货库存
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    • 昂富（深圳）电子科技有限公司

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    • 数量1495 
    • 厂家INFINEON 
    • 封装TDSON-8 
    • 批号24+ 
    • 一站式BOM配单,短缺料找现货,怕受骗,就找昂富电子.
    • QQ:GTY82dX7
    • 0755-23611557【陈妙华 QQ:GTY82dX7
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    • 深圳市西源信息科技有限公司

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    • 数量8800 
    • 厂家INFINEON/英飞凌 
    • 封装TDSON-8 
    • 批号最新批号 
    • 原装现货零成本有接受价格就出
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    • 0755-84876394 QQ:3533288158QQ:408391813
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    • 北京首天国际有限公司

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    • 数量3000 
    • 厂家INFINEON 
    • 封装 
    • 批号2024+ 
    • 百分百原装正品，现货库存
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    • 010-62565447 QQ:528164397QQ:1318502189
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    • 北京元坤伟业科技有限公司

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    • 数量5000 
    • 厂家Infineon Technologies 
    • 封装贴/插片 
    • 批号2024+ 
    • 百分百原装正品，现货库存
    • QQ:857273081QQ：857273081 复制
      QQ:1594462451QQ：1594462451 复制
    • 010-62104791 QQ:857273081QQ:1594462451
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    • 深圳市惊羽科技有限公司

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    • BSZ0904NSI
    • 数量83500 
    • 厂家INFINEON-英飞凌 
    • 封装TSON-8 
    • 批号▉▉：2年内 
    • ▉▉￥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
    • QQ:43871025QQ：43871025 复制
    • 131-4700-5145---Q-微-恭-候---有-问-秒-回 QQ:43871025
    • BSZ0904NSI图

    • 深圳市惊羽科技有限公司

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    • BSZ0904NSI
    • 数量9328 
    • 厂家INFINEON-英飞凌 
    • 封装DFN-8.贴片 
    • 批号▉▉：2年内 
    • ▉▉￥6.6元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
    • QQ:43871025QQ：43871025 复制
    • 131-4700-5145---Q-微-恭-候---有-问-秒-回 QQ:43871025
    • BSZ0904NSI图

    • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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    • BSZ0904NSI
    • 数量3395 
    • 厂家INFINEON/英飞凌 
    • 封装NA/ 
    • 批号23+ 
    • 原装现货，当天可交货，原型号开票
    • QQ:3007977934QQ：3007977934 复制
      QQ:3007947087QQ：3007947087 复制
    • 0755-82546830 QQ:3007977934QQ:3007947087
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    • 北京元坤伟业科技有限公司

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    • BSZ0904NSI
    • 数量5000 
    • 厂家Infineon Technologies 
    • 封装贴/插片 
    • 批号2024+ 
    • 百分百原装正品，现货库存
    • QQ:857273081QQ：857273081 复制
      QQ:1594462451QQ：1594462451 复制
    • 010-62104931 QQ:857273081QQ:1594462451
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    • 深圳市高捷芯城科技有限公司

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    • BSZ0904NSI
    • 数量11318 
    • 厂家Infineon(英飞凌) 
    • 封装TSDSON-8-FL(3 
    • 批号23+ 
    • 支持大陆交货，美金交易。原装现货库存。
    • QQ:3007977934QQ：3007977934 复制
      QQ:3007947087QQ：3007947087 复制
    • 0755-83062789 QQ:3007977934QQ:3007947087
    • BSZ0904NSI图

    • 深圳市一呈科技有限公司

       该会员已使用本站9年以上
    • BSZ0904NSI
    • 数量3210 
    • 厂家Infineon(英飞凌) 
    • 封装PG-TSDSON-8 
    • 批号23+ 
    • ▉原厂渠道▉支持实单
    • QQ:3003797048QQ：3003797048 复制
      QQ:3003797050QQ：3003797050 复制
    • 0755-82779553 QQ:3003797048QQ:3003797050
    • BSZ0904NSI-HXY图

    • 现代芯城（深圳）科技有限公司

       该会员已使用本站15年以上
    • BSZ0904NSI-HXY
    • 数量56000 
    • 厂家一级代理 
    • 封装一级代理 
    • 批号一级代理 
    • 一级代理正品采购
    • QQ:3007226851QQ：3007226851 复制
      QQ:3007226849QQ：3007226849 复制
    • 0755-82542579 QQ:3007226851QQ:3007226849
    • BSZ0904NSI图

    • 深圳市英德州科技有限公司

       该会员已使用本站2年以上
    • BSZ0904NSI
    • 数量55000 
    • 厂家Infineon(英飞凌) 
    • 封装PG-TSDSON-8 
    • 批号1年内 
    • 全新原装 货源稳定 长期供应 提供配单
    • QQ:2355734291QQ：2355734291 复制
    • -0755-88604592 QQ:2355734291
    • BSZ0904NSI图

    • 深圳市芯福林电子有限公司

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    • BSZ0904NSI
    • 数量85000 
    • 厂家INFINEON 
    • 封装QFN 
    • 批号23+ 
    • 真实库存全新原装正品！代理此型号
    • QQ:2881495753QQ：2881495753 复制
    • 0755-23605827 QQ:2881495753
    • BSZ0904NSI图

    • 深圳市正纳电子有限公司

       该会员已使用本站15年以上
    • BSZ0904NSI
    • 数量26700 
    • 厂家Infineon(英飞凌) 
    • 封装▊原厂封装▊ 
    • 批号▊ROHS环保▊ 
    • 十年以上分销商原装进口件服务型企业0755-83790645
    • QQ:2881664479QQ：2881664479 复制
    • 755-83790645 QQ:2881664479
    • BSZ0904NSI图

    • 深圳市创芯联科技有限公司

       该会员已使用本站9年以上
    • BSZ0904NSI
    • 数量13000 
    • 厂家Infineon 
    • 封装QFN-8 3.3 3.3 PG-TSD 
    • 批号2234+ 
    • 原厂货源/正品保证，诚信经营，欢迎询价
    • QQ:1219895042QQ：1219895042 复制
      QQ:3061298850QQ：3061298850 复制
    • 0755-23606513 QQ:1219895042QQ:3061298850
    • BSZ0904NSI图

    • 深圳市西源信息科技有限公司

       该会员已使用本站9年以上
    • BSZ0904NSI
    • 数量8800 
    • 厂家INFINEON 
    • 封装11856 
    • 批号最新批号 
    • 原装现货零成本有接受价格就出
    • QQ:840638855QQ：840638855 复制
    • 0755-84876394 QQ:840638855
    • BSZ0904NSIATMA1图

    • 深圳市和谐世家电子有限公司

       该会员已使用本站13年以上
    • BSZ0904NSIATMA1
    • 数量6526 
    • 厂家Infineon Technologies 
    • 封装PG-TSDSON-8-FL 
    • 批号最新批号 
    • 全新原装假一贴十！
    • QQ:1158840606QQ：1158840606 复制
    • 0755+84501032 QQ:1158840606
    • BSZ0904NSI图

    • 深圳市芯脉实业有限公司

       该会员已使用本站11年以上
    • BSZ0904NSI
    • 数量402 
    • 厂家INFINEON 
    • 封装QFN 
    • 批号22+ 
    • 新到现货、一手货源、当天发货、bom配单
    • QQ:1435424310QQ：1435424310 复制
    • 0755-84507451 QQ:1435424310
    • BSZ0904NSIATMA1图

    • 深圳市华来深电子有限公司

       该会员已使用本站13年以上
    • BSZ0904NSIATMA1
    • 数量8560 
    • 厂家INFINEO 
    • 封装PG-TSDS 
    • 批号17+ 
    • 受权代理！全新原装现货特价热卖！
    • QQ:1258645397QQ：1258645397 复制
      QQ:876098337QQ：876098337 复制
    • 0755-83238902 QQ:1258645397QQ:876098337
    • BSZ0904NSI图

    • 深圳市捷立辉科技有限公司

       该会员已使用本站10年以上
    • BSZ0904NSI
    • 数量29686 
    • 厂家INFINEON/英飞凌 
    • 封装TSDSON-8 
    • 批号21+ 
    • 进口原装现货，公司真实库存ON代理渠道
    • QQ:1803576909QQ：1803576909 复制
    • -0755-82792948 QQ:1803576909
    • BSZ0904NSI图

    • 深圳市金亿瑞科技有限公司

       该会员已使用本站8年以上
    • BSZ0904NSI
    • 数量3500 
    • 厂家INFINEON 
    • 封装N/A 
    • 批号20+ 
    • 只做原装，可提供13点增值税发票
    • QQ:2881971192QQ：2881971192 复制
      QQ:3630460351QQ：3630460351 复制
    • 13530074872 QQ:2881971192QQ:3630460351
    • BSZ0904NSIATMA1图

    • 深圳市惠诺德电子有限公司

       该会员已使用本站7年以上
    • BSZ0904NSIATMA1
    • 数量29500 
    • 厂家Infineon Technologies 
    • 封装MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON 
    • 批号21+ 
    • 只做原装现货代理
    • QQ:1211267741QQ：1211267741 复制
      QQ:1034782288QQ：1034782288 复制
    • 159-7688-9073 QQ:1211267741QQ:1034782288
    • BSZ0904NSI图

    • 万三科技(深圳)有限公司

       该会员已使用本站2年以上
    • BSZ0904NSI
    • 数量660000 
    • 厂家Infineon(英飞凌) 
    • 封装原厂原装 
    • 批号23+ 
    • 支持实单/只做原装
    • QQ:3008961398QQ：3008961398 复制
    • 0755-21006672 QQ:3008961398
    • BSZ0904NSI图

    • 深圳市正纳电子有限公司

       该会员已使用本站2年以上
    • BSZ0904NSI
    • 数量10963 
    • 厂家Infineon(英飞凌) 
    • 封装N/A 
    • 批号22+ 
    • 只做原装 欢迎询价 ***
    • QQ:2881664480QQ：2881664480 复制
    • 0755-82524192 QQ:2881664480
    • BSZ0904NSIATMA1图

    • 深圳市宇川湘科技有限公司

       该会员已使用本站6年以上
    • BSZ0904NSIATMA1
    • 数量12660 
    • 厂家INFINEON 
    • 封装PG-TSDSON-8 
    • 批号23+ 
    • 原装正品现货，郑重承诺只做原装！
    • QQ:2885348305QQ：2885348305 复制
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    • 0755-84534256 QQ:2885348305QQ:2885348305
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    • 深圳市隆鑫创展电子有限公司

       该会员已使用本站15年以上
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    • 数量30000 
    • 厂家TI 
    • 封装DSBGA12 
    • 批号2022+ 
    • 电子元器件一站式配套服务QQ:122350038
    • QQ:2355878626QQ：2355878626 复制
      QQ:2850299242QQ：2850299242 复制
    • 0755-82812278 QQ:2355878626QQ:2850299242
    • BSZ0904NSI图

    • 深圳市瑞天芯科技有限公司

       该会员已使用本站7年以上
    • BSZ0904NSI
    • 数量20000 
    • 厂家INFINEON 
    • 封装QFN 
    • 批号22+ 
    • 深圳现货库存，保证原装正品
    • QQ:1940213521QQ：1940213521 复制
    • 15973558688 QQ:1940213521
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    • 深圳市恒意创鑫电子有限公司

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    • BSZ0904NSI
    • 数量9000 
    • 厂家INFINEON/英飞凌 
    • 封装TDSON-8 
    • 批号22+ 
    • 全新原装公司现货，支持实单
    • QQ:1493457560QQ：1493457560 复制
    • 0755-83235429 QQ:1493457560
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    • 深圳市创思克科技有限公司

       该会员已使用本站2年以上
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    • 数量350 
    • 厂家INFENION 
    • 封装QFN 
    • 批号15+ 
    • 全新原装挺实单欢迎来撩/可开票
    • QQ:1092793871QQ：1092793871 复制
    • -0755-88910020 QQ:1092793871
    • BSZ0904NSI图

    • 深圳市宗天技术开发有限公司

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    • BSZ0904NSI
    • 数量100 
    • 厂家INFINEON 
    • 封装DFN 
    • 批号23+ 
    • 特价清仓，绝对原厂原装，支持实单！
    • QQ:3556538366QQ：3556538366 复制
    • 0755-88601145 QQ:3556538366
    • BSZ0904NSI图

    • 深圳市芯福林电子有限公司

       该会员已使用本站15年以上
    • BSZ0904NSI
    • 数量98500 
    • 厂家INFINEON/英飞凌 
    • 封装TDSON-8 
    • 批号23+ 
    • 真实库存全新原装正品！专业配单
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    产品型号BSZ0904NSI的概述

    芯片BSZ0904NSI的概述 BSZ0904NSI是一款高效能的MOSFET（场效应晶体管），属于N沟道MOSFET系列。该器件在电源管理和电源转换应用中表现出色，因其具有低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于各种电子设备中。BSZ0904NSI的设计旨在满足现代电子产品对高效率、低功耗和紧凑尺寸的需求。 BSZ0904NSI的应用领域不仅局限于电源管理，还包括电机驱动、线性稳压器和逆变器等。这种MOSFET的工作电压范围通常适合低电压应用，同时其良好的热管理特性使其可以在较高的功率条件下稳定工作。 芯片BSZ0904NSI的详细参数 BSZ0904NSI的主要技术参数如下： - 类型：N沟道MOSFET - 最大漏极-源极电压 (Vds)：40 V - 最大持续漏极电流 (Id)：90 A - 脉冲漏极电流 (Idm)：160 A - 导通电阻 (Rds(on))：< 3.7 mΩ（...

    产品型号BSZ0904NSI的Datasheet PDF文件预览

    n-Channel Power MOSFET  
    OptiMOS™  
    BSZ0904NSI  
    Data Sheet  
    2.0, 2011-03-29  
    Final  
    Industrial & Multimarket  
    OptiMOS™ Power-MOSFET  
    BSZ0904NSI  
    1
    Description  
    OptiMOS™30V products are class leading power MOSFETs for highest power  
    density and energy efficient solutions. Ultra low gate and output charges together  
    with lowest on state resistance in small footprint packages make OptiMOS™ 30V  
    the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in  
    Servers, Datacom and Telecom applications. Super fast switching Control FETs  
    together with low EMI Sync FETs provide solutions that are easy to design in.  
    OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle your  
    most challenging applications giving full flexibility in optimizing space, efficiency  
    and cost. OptiMOS™ products are designed to meet and exceed the energy  
    efficiency and power density requirements of the sharpened next generation  
    voltage regulation standards in computing applications.  
    S 1  
    S 2  
    S 3  
    G 4  
    8 D  
    7 D  
    Features  
    6 D  
    5 D  
    •
    •
    •
    •
    •
    •
    •
    •
    •
    •
    Optimized SyncFET for high performance buck converters  
    100% avalanche tested  
    N-channel  
    Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V  
    Ultra low gate (Qg) and output charge (Qoss) for given RDS(on)  
    Qualified according to JEDEC1) for target applications  
    Superior thermal resistance  
    Pb-free plating; RoHS compliant  
    Halogen-free according to IEC61249-2-21  
    Integrated monolitic Schottky-like diode  
    Applications  
    •
    •
    •
    •
    On board power for server  
    Power managment for high performance computing  
    Synchronous rectification  
    High power density point of load converters  
    Table 1  
    Parameter  
    VDS  
    Key Performance Parameters  
    Value  
    30  
    Unit  
    Related Links  
    V
    IFX OptiMOS webpage  
    IFX OptiMOS product brief  
    IFX OptiMOS spice models  
    IFX Design tools  
    RDS(on),max  
    4
    mΩ  
    A
    ID  
    40  
    QOSS  
    12  
    nC  
    Qg.typ  
    17  
    Type  
    Package  
    Marking  
    BSZ0904NSI  
    PG-TSDSON-8 (fused  
    leads)  
    0904NSI  
    1) J-STD20 and JESD22  
    Final Data Sheet  
    1
    2.0, 2011-03-29  
    OptiMOS™ Power-MOSFET  
    BSZ0904NSI  
    2
    Maximum ratings  
    at Tj = 25 °C, unless otherwise specified.  
    Table 2  
    Maximum ratings  
    Parameter  
    Symbol  
    Values  
    Unit Note / Test Condition  
    Min. Typ. Max.  
    Continuous drain current  
    ID  
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    40  
    40  
    40  
    40  
    18  
    A
    VGS=10 V, TC=25 °C  
    V
    V
    V
    V
    GS=10 V, TC=100 °C  
    GS=4.5 V, TC=25 °C  
    GS=4.5 V, TC=100 °C  
    GS=10 V, TA=25 °C,  
    R
    thJA=60 K/W1))  
    Pulsed drain current2)  
    ID,pulse  
    IAS  
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    160  
    20  
    TC=25 °C  
    Avalanche current, single pulse3)  
    Avalanche energy, single pulse  
    Gate source voltage  
    -
    EAS  
    VGS  
    Ptot  
    -
    20  
    mJ  
    V
    ID=20 A,RGS=25 Ω  
    -20  
    -
    20  
    Power dissipation  
    37  
    W
    TC=25 °C  
    TA=25 °C, RthJA=60 K/W1))  
    -
    2.1  
    150  
    Operating and storage temperature Tj,Tstg  
    -55  
    °C  
    IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
    55/150/56  
    1) Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70 µm thick) copper area for drain connection.  
    PCB is vertical in still air.  
    2) See figure 3 for more detailed information  
    3) See figure 13 for more detailed information  
    3
    Thermal characteristics  
    Table 3  
    Thermal characteristics  
    Symbol  
    Parameter  
    Values  
    Typ.  
    Unit  
    Note /  
    Test Condition  
    Min.  
    Max.  
    3.4  
    20  
    Thermal resistance, junction - case RthJC  
    RthJA  
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    K/W  
    top  
    Device on PCB  
    60  
    6 cm2 cooling area1)  
    1) Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70 µm thick) copper area for drain connection.  
    PCB is vertical in still air  
    Final Data Sheet  
    2
    2.0, 2011-03-29  
    OptiMOS™ Power-MOSFET  
    BSZ0904NSI  
    Electrical characteristics  
    4
    Electrical characteristics  
    Electrical characteristics, at Tj=25 °C, unless otherwise specified.  
    Table 4  
    Static characteristics  
    Symbol  
    Parameter  
    Values  
    Unit  
    Note / Test Condition  
    Min.  
    Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS 30  
    Typ.  
    -
    Max.  
    -
    -
    V
    VGS=0 V, ID=10 mA  
    Breakdown voltage temperature dV(BR)DSS  
    -
    15  
    mV/k ID=10 mA, reference to  
    coeficient  
    /dTj  
    25°C  
    Gate threshold voltage  
    Zero gate voltage drain current  
    VGS(th)  
    IDSS  
    1
    -
    -
    -
    2.2  
    0.5  
    VDS=VGS, ID=250 µA  
    µA  
    VDS=24 V, VGS=0 V,  
    Tj=25 °C  
    -
    1
    -
    VDS=24 V, VGS=0 V,  
    Tj=125 °C  
    Gate-source leakage current  
    IGSS  
    -
    10  
    100  
    nA  
    VGS=20 V, VDS=0 V  
    VGS=4.5 V, ID=30 A  
    VGS=10 V, ID=30 A  
    Drain-source on-state resistance RDS(on)  
    -
    4.6  
    3.3  
    0.9  
    82  
    5.7  
    mΩ  
    -
    4
    -
    Gate resistance  
    RG  
    gfs  
    -
    Ω
    Transconductance  
    41  
    -
    S
    |VDS|>2|ID|RDS(on)max  
    ID=30 A  
    ,
    Table 5  
    Dynamic characteristics  
    Parameter  
    Symbol  
    Values  
    Unit  
    Note /  
    Test Condition  
    Min.  
    Typ.  
    1100  
    460  
    64  
    Max.  
    Input capacitance  
    Output capacitance  
    Reverse transfer capacitance  
    Turn-on delay time  
    Rise time  
    Ciss  
    Coss  
    Crss  
    td(on)  
    tr  
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    pF  
    ns  
    VGS=0 V, VDS=15 V,  
    f=1 MHz  
    3.3  
    4.4  
    16  
    VDD=15 V, VGS=10 V,  
    ID=30 A, RG= 1.6 Ω  
    Turn-off delay time  
    Fall time  
    td(off)  
    tf  
    3
    Final Data Sheet  
    3
    2.0, 2011-03-29  
    OptiMOS™ Power-MOSFET  
    BSZ0904NSI  
    Electrical characteristics  
    Table 6  
    Gate charge characteristics1)  
    Symbol  
    Parameter  
    Values  
    Typ.  
    Unit  
    Note /  
    Test Condition  
    Min.  
    Max.  
    Gate to source charge  
    Gate charge at threshold  
    Gate to drain charge  
    Switching charge  
    Qgs  
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2.9  
    1.7  
    2.9  
    4.1  
    8.5  
    2.7  
    17  
    -
    nC  
    VDD=15 V,  
    ID=30 A,  
    VGS=0 to 4.5 V  
    Qg(th)  
    Qgd  
    Qsw  
    Qg  
    -
    -
    -
    Gate charge total  
    8.1  
    Gate plateau voltage  
    Gate charge total  
    Vplateau  
    Qg  
    -
    -
    V
    nC  
    VDD=15 V,  
    ID=30 A,  
    VGS=0 to 10V  
    Gate charge total, sync. FET  
    Output charge  
    Qg(sync)  
    Qoss  
    -
    -
    6.8  
    12  
    -
    -
    VDS=0.1 V,  
    VGS=0 to 4.5 V  
    VDD=15 V, VGS=0 V  
    1) See figure 16 for gate charge parameter definition  
    Table 7  
    Reverse diode characteristics  
    Symbol  
    Parameter  
    Values  
    Unit  
    Note /  
    Test Condition  
    Min.  
    Typ.  
    Max.  
    37  
    Diode continuous forward current Is  
    -
    -
    -
    -
    A
    TC=25 °C  
    Diode pulse current  
    IS,pulse  
    -
    160  
    0.7  
    Diode forward voltage  
    VSD  
    0.56  
    V
    VGS=0 V, IF=3 A,  
    Tj=25 °C  
    Reverse recovery charge  
    Qrr  
    -
    2
    -
    nC  
    VR=15 V, IF=Is,  
    diF/dt=400 A/µs  
    Final Data Sheet  
    4
    2.0, 2011-03-29  
    OptiMOS™ Power-MOSFET  
    BSZ0904NSI  
    Electrical characteristics diagrams  
    5
    Electrical characteristics diagrams  
    Table 8  
    1 Power dissipation  
    2 Drain current  
    Ptot = f(TC)  
    ID=f(TC); parameter:VGS  
    Table 9  
    3 Safe operating area TC=25 °C  
    4 Max. transient thermal impedance  
    ID=f(VDS); TC=25 °C; D=0; parameter: Tp  
    Z(thJC)=f(tp); parameter: D=tp/T  
    Final Data Sheet  
    5
    2.0, 2011-03-29  
    OptiMOS™ Power-MOSFET  
    BSZ0904NSI  
    Electrical characteristics diagrams  
    Table 10  
    5 Typ. output characteristics TC=25 °C  
    6 Typ. drain-source on-state resistance  
    ID=f(VDS); Tj=25 °C; parameter: VGS  
    RDS(on)=f(ID); Tj=25 °C; parameter: VGS  
    Table 11  
    7 Typ. transfer characteristics  
    8 Typ. forward transconductance  
    ID=f(VGS); |VDS|>2|ID|RDS(on)max  
    gfs=f(ID); Tj=25 °C  
    Final Data Sheet  
    6
    2.0, 2011-03-29  
    OptiMOS™ Power-MOSFET  
    BSZ0904NSI  
    Electrical characteristics diagrams  
    Table 12  
    9 Drain-source on-state resistance  
    10 Typ. gate threshold voltage  
    R
    DS(on)=f(Tj); ID=30 A; VGS=10 V  
    VGS(th)=f(Tj); VGS=VDS; ID=10 mA  
    Table 13  
    12 Forward characteristics of reverse diode  
    11 Typ. capacitances  
    C=f(VDS); VGS=0 V; f=1 MHz  
    IF=f(VSD); parameter: Tj  
    Final Data Sheet  
    7
    2.0, 2011-03-29  
    OptiMOS™ Power-MOSFET  
    BSZ0904NSI  
    Electrical characteristics diagrams  
    Table 14  
    13 Avalanche characteristics  
    14 Typ. gate charge  
    IAS=f(tAV); RGS=25 Ω; parameter: Tj(start)  
    VGS=f(Qgate); ID=30 A pulsed; parameter: VDD  
    Table 15  
    15 Drain-source leakage current  
    16 Gate charge waveforms  
    IDSS=f(VDS); VGS=0 V  
    Final Data Sheet  
    8
    2.0, 2011-03-29  
    OptiMOS™ Power-MOSFET  
    BSZ0904NSI  
    Package outlines  
    6
    Package outlines  
    Figure 1  
    Outlines PG-TSDSON-8 (fused leads), dimensions in mm/inches  
    Final Data Sheet  
    9
    2.0, 2011-03-29  
    OptiMOS™ Power-MOSFET  
    BSZ0904NSI  
    Revision History  
    7
    Revision History  
    Revision History: 2011-03-29, 2.0  
    Previous Revision:  
    Revision Subjects (major changes since last revision)  
    0.1  
    2.0  
    Release of target data sheet  
    Release Final version  
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    Edition 2011-03-29  
    Published by  
    Infineon Technologies AG  
    81726 Munich, Germany  
    © 2011 Infineon Technologies AG  
    All Rights Reserved.  
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    and liabilities of any kind, including without limitation, warranties of non-infringement of intellectual property rights  
    of any third party.  
    Information  
    For further information on technology, delivery terms and conditions and prices, please contact the nearest  
    Infineon Technologies Office (www.infineon.com).  
    Warnings  
    Due to technical requirements, components may contain dangerous substances. For information on the types in  
    question, please contact the nearest Infineon Technologies Office.  
    The Infineon Technologies component described in this Data Sheet may be used in life-support devices or  
    systems and/or automotive, aviation and aerospace applications or systems only with the express written approval  
    of Infineon Technologies, if a failure of such components can reasonably be expected to cause the failure of that  
    life-support, automotive, aviation and aerospace device or system or to affect the safety or effectiveness of that  
    device or system. Life support devices or systems are intended to be implanted in the human body or to support  
    and/or maintain and sustain and/or protect human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health of the  
    user or other persons may be endangered.  
    Final Data Sheet  
    10  
    2.0, 2011-03-29  
    配单直通车
    BSZ0904NSI产品参数
    型号:BSZ0904NSI
    是否无铅： 不含铅
    是否Rohs认证： 符合
    生命周期：Active
    包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-N3
    针数：8
    Reach Compliance Code：not_compliant
    ECCN代码：EAR99
    风险等级：5.65
    雪崩能效等级（Eas）：20 mJ
    外壳连接：DRAIN
    配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    最小漏源击穿电压：30 V
    最大漏极电流 (Abs) (ID)：40 A
    最大漏极电流 (ID)：18 A
    最大漏源导通电阻：0.0057 Ω
    FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    JESD-30 代码：R-PDSO-N3
    JESD-609代码：e3
    湿度敏感等级：1
    元件数量：1
    端子数量：3
    工作模式：ENHANCEMENT MODE
    最高工作温度：150 °C
    封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
    封装形状：RECTANGULAR
    封装形式：SMALL OUTLINE
    峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
    极性/信道类型：N-CHANNEL
    最大功率耗散 (Abs)：37 W
    最大脉冲漏极电流 (IDM)：160 A
    子类别：FET General Purpose Power
    表面贴装：YES
    端子面层：Matte Tin (Sn)
    端子形式：NO LEAD
    端子位置：DUAL
    处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
    晶体管应用：SWITCHING
    晶体管元件材料：SILICON
    Base Number Matches：1
    •  
    • 供货商
    • 型号 *
    • 数量*
    • 厂商
    • 封装
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