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    • BSZ0911LSATMA1图

    • 北京天阳诚业科贸有限公司

       该会员已使用本站9年以上
    • BSZ0911LSATMA1
    • 数量50 
    • 厂家INFINEON 
    • 封装NA 
    • 批号22+ 
    • 京北通宇商城可查价BT137-600G
    • QQ:2881974897QQ：2881974897 复制
    • 0534-7058533 QQ:2881974897
    • BSZ0911LSATMA1图

    • 深圳市惠诺德电子有限公司

       该会员已使用本站7年以上
    • BSZ0911LSATMA1
    • 数量29500 
    • 厂家Infineon Technologies 
    • 封装MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON 
    • 批号21+ 
    • 只做原装现货代理
    • QQ:1211267741QQ：1211267741 复制
      QQ:1034782288QQ：1034782288 复制
    • 159-7688-9073 QQ:1211267741QQ:1034782288
    • BSZ0911LSATMA1图

    • 万三科技(深圳)有限公司

       该会员已使用本站2年以上
    • BSZ0911LSATMA1
    • 数量660000 
    • 厂家Infineon(英飞凌) 
    • 封装原厂原装 
    • 批号23+ 
    • 支持实单/只做原装
    • QQ:3008961398QQ：3008961398 复制
    • 0755-21006672 QQ:3008961398
    • BSZ0911LSATMA1图

    • 深圳市宇川湘科技有限公司

       该会员已使用本站6年以上
    • BSZ0911LSATMA1
    • 数量12660 
    • 厂家INFINEON 
    • 封装PG-TDSON-8 
    • 批号23+ 
    • 原装正品现货，郑重承诺只做原装！
    • QQ:2885348305QQ：2885348305 复制
      QQ:2885348305QQ：2885348305 复制
    • 0755-84534256 QQ:2885348305QQ:2885348305
    • BSZ0911LSATMA1图

    • 深圳市隆鑫创展电子有限公司

       该会员已使用本站15年以上
    • BSZ0911LSATMA1
    • 数量30000 
    • 厂家NXP 
    • 封装LQFP100 
    • 批号2022+ 
    • 电子元器件一站式配套服务QQ:122350038
    • QQ:2355878626QQ：2355878626 复制
      QQ:2850299242QQ：2850299242 复制
    • 0755-82812278 QQ:2355878626QQ:2850299242

    产品型号BSZ096N10LS5的Datasheet PDF文件预览

    BSZ096N10LS5  
    MOSFET  
    OptiMOSTM5ꢀPower-Transistor,ꢀ100ꢀV  
    TSDSON-8ꢀFLꢀ(S3O8)  
    Features  
    •ꢀIdealꢀforꢀhighꢀfrequencyꢀswitching  
    •ꢀOptimizedꢀtechnologyꢀforꢀDC/DCꢀconverters  
    •ꢀExcellentꢀgateꢀchargeꢀxꢀRDS(on)ꢀproductꢀ(FOM)  
    •ꢀN-channel,ꢀLogicꢀlevel  
    •ꢀ100%ꢀavalancheꢀtested  
    •ꢀPb-freeꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant  
    •ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDEC1)ꢀꢀforꢀtargetꢀapplications  
    •ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21  
    Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
    S 1  
    S 2  
    S 3  
    G 4  
    8 D  
    7 D  
    Parameter  
    Value  
    100  
    9.6  
    62  
    Unit  
    VDS  
    V
    6 D  
    5 D  
    RDS(on),max  
    ID  
    mΩ  
    A
    QOSS  
    30  
    nC  
    nC  
    QG(0V...4.5V)  
    12  
    Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
    Package  
    PG-TSDSON-8 FL  
    Marking  
    RelatedꢀLinks  
    BSZ096N10LS5  
    096N10L  
    -
    1) J-STD20 and JESD22  
    Final Data Sheet  
    1
    Rev.ꢀ2.3,ꢀꢀ2020-12-22  
    OptiMOSTM5ꢀPower-Transistor,ꢀ100ꢀV  
    BSZ096N10LS5  
    TableꢀofꢀContents  
    Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1  
    Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3  
    Thermal characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3  
    Electrical characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4  
    Electrical characteristics diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6  
    Package Outlines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10  
    Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11  
    Trademarks . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11  
    Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11  
    Final Data Sheet  
    2
    Rev.ꢀ2.3,ꢀꢀ2020-12-22  
    OptiMOSTM5ꢀPower-Transistor,ꢀ100ꢀV  
    BSZ096N10LS5  
    1ꢀꢀꢀꢀꢀMaximumꢀratings  
    atꢀTA=25ꢀ°C,ꢀunlessꢀotherwiseꢀspecified  
    Tableꢀ2ꢀꢀꢀꢀꢀMaximumꢀratings  
    Values  
    Typ.  
    Parameter  
    Symbol  
    Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition  
    Min.  
    Max.  
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    62  
    39  
    11  
    VGS=10ꢀV,ꢀTC=25ꢀ°C  
    Continuous drain current1)  
    ID  
    A
    VGS=10ꢀV,ꢀTC=100ꢀ°C  
    VGS=10ꢀV,ꢀTA=25ꢀ°C,ꢀRthJA=60K/W2)  
    Pulsed drain current3)  
    Avalanche energy, single pulse4)  
    ID,pulse  
    EAS  
    -
    -
    -
    -
    248  
    82  
    A
    TC=25ꢀ°C  
    -
    mJ  
    V
    ID=20ꢀA,ꢀRGS=25ꢀΩ  
    Gate source voltage  
    VGS  
    -20  
    20  
    -
    -
    -
    -
    -
    69  
    2.1  
    TC=25ꢀ°C  
    Power dissipation  
    Ptot  
    W
    TA=25ꢀ°C,ꢀRthJA=60ꢀK/W2)  
    IEC climatic category;  
    DIN IEC 68-1: 55/150/56  
    Operating and storage temperature  
    Tj,ꢀTstg  
    -55  
    -
    150  
    °C  
    2ꢀꢀꢀꢀꢀThermalꢀcharacteristics  
    Tableꢀ3ꢀꢀꢀꢀꢀThermalꢀcharacteristics  
    Values  
    Typ.  
    1.1  
    Parameter  
    Symbol  
    Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition  
    Min.  
    Max.  
    Thermal resistance, junction - case  
    RthJC  
    RthJA  
    -
    1.8  
    K/W  
    K/W  
    -
    -
    Device on PCB,  
    minimal footprint  
    -
    -
    -
    -
    62  
    60  
    Device on PCB,  
    RthJA  
    K/W  
    -
    6 cm2 cooling area2)  
    1) Rating refers to the product only with datasheet specified absolute maximum values, maintaining case temperature  
    at 25°C. For higher case temperature please refer to Diagram 2. De-rating will be required based on the actual  
    environmental conditions.  
    2) Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70 µm thick) copper area for drain  
    connection. PCB is vertical in still air.  
    3) See Diagram 3 for more detailed information  
    4) >See Diagram 13 for more detailed information  
    Final Data Sheet  
    3
    Rev.ꢀ2.3,ꢀꢀ2020-12-22  
    OptiMOSTM5ꢀPower-Transistor,ꢀ100ꢀV  
    BSZ096N10LS5  
    3ꢀꢀꢀꢀꢀElectricalꢀcharacteristics  
    atꢀTj=25ꢀ°C,ꢀunlessꢀotherwiseꢀspecified  
    Tableꢀ4ꢀꢀꢀꢀꢀStaticꢀcharacteristics  
    Values  
    Typ.  
    -
    Parameter  
    Symbol  
    Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition  
    Min.  
    100  
    1.1  
    Max.  
    -
    Drain-source breakdown voltage  
    Gate threshold voltage  
    V(BR)DSS  
    VGS(th)  
    V
    V
    VGS=0ꢀV,ꢀID=1ꢀmA  
    VDS=VGS,ꢀID=36ꢀµA  
    1.7  
    2.3  
    -
    -
    0.1  
    10  
    1
    100  
    VDS=100ꢀV,ꢀVGS=0ꢀV,ꢀTj=25ꢀ°C  
    VDS=100ꢀV,ꢀVGS=0ꢀV,ꢀTj=125ꢀ°C  
    Zero gate voltage drain current  
    Gate-source leakage current  
    Drain-source on-state resistance  
    IDSS  
    µA  
    nA  
    IGSS  
    -
    10  
    100  
    VGS=20ꢀV,ꢀVDS=0ꢀV  
    -
    -
    10.5  
    8.2  
    13.5  
    9.6  
    VGS=4.5ꢀV,ꢀID=10ꢀA  
    VGS=10ꢀV,ꢀID=20ꢀA  
    RDS(on)  
    mΩ  
    Gate resistance1)  
    Transconductance  
    RG  
    gfs  
    -
    1.2  
    44  
    1.8  
    -
    Ω
    -
    22  
    S
    |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ꢀID=20ꢀA  
    Tableꢀ5ꢀꢀꢀꢀꢀDynamicꢀcharacteristics  
    Values  
    Typ.  
    Parameter  
    Symbol  
    Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition  
    Min.  
    Max.  
    Input capacitance1)  
    Output capacitance1)  
    Reverse transfer capacitance1)  
    Ciss  
    Coss  
    Crss  
    -
    -
    -
    1600 2100 pF  
    VGS=0ꢀV,ꢀVDS=50ꢀV,ꢀf=1ꢀMHz  
    VGS=0ꢀV,ꢀVDS=50ꢀV,ꢀf=1ꢀMHz  
    VGS=0ꢀV,ꢀVDS=50ꢀV,ꢀf=1ꢀMHz  
    250  
    12  
    320  
    21  
    pF  
    pF  
    VDD=50ꢀV,ꢀVGS=10ꢀV,ꢀID=20ꢀA,  
    RG,ext=3ꢀΩ  
    Turn-on delay time  
    Rise time  
    td(on)  
    tr  
    td(off)  
    tf  
    -
    -
    -
    -
    5.7  
    4.6  
    21  
    -
    -
    -
    -
    ns  
    ns  
    ns  
    ns  
    VDD=50ꢀV,ꢀVGS=10ꢀV,ꢀID=20ꢀA,  
    RG,ext=3ꢀΩ  
    VDD=50ꢀV,ꢀVGS=10ꢀV,ꢀID=20ꢀA,  
    RG,ext=3ꢀΩ  
    Turn-off delay time  
    Fall time  
    VDD=50ꢀV,ꢀVGS=10ꢀV,ꢀID=20ꢀA,  
    RG,ext=3ꢀΩ  
    5.3  
    Tableꢀ6ꢀꢀꢀꢀꢀGateꢀchargeꢀcharacteristics2)ꢀ  
    Values  
    Typ.  
    4.7  
    Parameter  
    Symbol  
    Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition  
    Min.  
    Max.  
    Gate to source charge  
    Gate charge at threshold  
    Gate to drain charge1)  
    Switching charge  
    Gate charge total1)  
    Gate plateau voltage  
    Gate charge total  
    Qgs  
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    nC  
    nC  
    nC  
    nC  
    nC  
    V
    VDD=50ꢀV,ꢀID=20ꢀA,ꢀVGS=0ꢀtoꢀ4.5ꢀV  
    VDD=50ꢀV,ꢀID=20ꢀA,ꢀVGS=0ꢀtoꢀ4.5ꢀV  
    VDD=50ꢀV,ꢀID=20ꢀA,ꢀVGS=0ꢀtoꢀ4.5ꢀV  
    VDD=50ꢀV,ꢀID=20ꢀA,ꢀVGS=0ꢀtoꢀ4.5ꢀV  
    VDD=50ꢀV,ꢀID=20ꢀA,ꢀVGS=0ꢀtoꢀ4.5ꢀV  
    VDD=50ꢀV,ꢀID=20ꢀA,ꢀVGS=0ꢀtoꢀ4.5ꢀV  
    VDD=50ꢀV,ꢀID=20ꢀA,ꢀVGS=0ꢀtoꢀ10ꢀV  
    VDD=50ꢀV,ꢀVGS=0ꢀV  
    Qg(th)  
    Qgd  
    2.5  
    -
    4.1  
    6.1  
    -
    Qsw  
    Qg  
    6.3  
    12  
    15  
    -
    Vplateau  
    Qg  
    3.0  
    22  
    -
    nC  
    nC  
    Output charge1)  
    Qoss  
    30  
    40  
    1) Defined by design. Not subject to production test  
    2) See ″Gate charge waveforms″ for parameter definition  
    Final Data Sheet  
    4
    Rev.ꢀ2.3,ꢀꢀ2020-12-22  
    OptiMOSTM5ꢀPower-Transistor,ꢀ100ꢀV  
    BSZ096N10LS5  
    Tableꢀ7ꢀꢀꢀꢀꢀReverseꢀdiode  
    Values  
    Parameter  
    Symbol  
    Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition  
    Min.  
    Typ.  
    -
    Max.  
    58  
    Diode continuous forward current  
    Diode pulse current  
    IS  
    -
    -
    -
    -
    -
    A
    TC=25ꢀ°C  
    IS,pulse  
    VSD  
    trr  
    -
    248  
    1.2  
    68  
    A
    TC=25ꢀ°C  
    Diode forward voltage  
    0.85  
    34  
    29  
    V
    VGS=0ꢀV,ꢀIF=20ꢀA,ꢀTj=25ꢀ°C  
    VR=50ꢀV,ꢀIF=20ꢀA,ꢀdiF/dt=100ꢀA/µs  
    VR=50ꢀV,ꢀIF=20ꢀA,ꢀdiF/dt=100ꢀA/µs  
    Reverse recovery time1)  
    Reverse recovery charge1)  
    ns  
    nC  
    Qrr  
    58  
    1) Defined by design. Not subject to production test  
    Final Data Sheet  
    5
    Rev.ꢀ2.3,ꢀꢀ2020-12-22  
    OptiMOSTM5ꢀPower-Transistor,ꢀ100ꢀV  
    BSZ096N10LS5  
    4ꢀꢀꢀꢀꢀElectricalꢀcharacteristicsꢀdiagrams  
    Diagramꢀ1:ꢀPowerꢀdissipation  
    Diagramꢀ2:ꢀDrainꢀcurrent  
    80  
    70  
    70  
    60  
    50  
    40  
    30  
    20  
    10  
    0
    60  
    50  
    40  
    30  
    20  
    10  
    0
    0
    25  
    50  
    75  
    100  
    125  
    150  
    175  
    0
    20  
    40  
    60  
    80  
    100  
    120  
    140  
    160  
    TCꢀ[°C]  
    TCꢀ[°C]  
    Ptot=f(TC)  
    ID=f(TC);ꢀVGS≥10ꢀV  
    Diagramꢀ3:ꢀSafeꢀoperatingꢀarea  
    Diagramꢀ4:ꢀMax.ꢀtransientꢀthermalꢀimpedance  
    103  
    101  
    1 µs  
    102  
    10 µs  
    100  
    0.5  
    DC  
    100 µs  
    101  
    0.2  
    0.1  
    1 ms  
    100  
    10-1  
    10-2  
    10 ms  
    0.05  
    10-1  
    0.02  
    0.01  
    single pulse  
    10-2  
    10-1  
    100  
    101  
    102  
    103  
    10-6  
    10-5  
    10-4  
    10-3  
    10-2  
    10-1  
    100  
    VDSꢀ[V]  
    tpꢀ[s]  
    ID=f(VDS);ꢀTC=25ꢀ°C;ꢀD=0;ꢀparameter:ꢀtp  
    ZthJC=f(tp);ꢀparameter:ꢀD=tp/T  
    Final Data Sheet  
    6
    Rev.ꢀ2.3,ꢀꢀ2020-12-22  
    OptiMOSTM5ꢀPower-Transistor,ꢀ100ꢀV  
    BSZ096N10LS5  
    Diagramꢀ5:ꢀTyp.ꢀoutputꢀcharacteristics  
    Diagramꢀ6:ꢀTyp.ꢀdrain-sourceꢀonꢀresistance  
    160  
    20  
    10 V  
    5 V  
    140  
    6 V  
    16  
    4.5 V  
    120  
    4 V  
    4.5 V  
    5 V  
    100  
    12  
    8
    5.5 V  
    80  
    4 V  
    6 V  
    7 V  
    10 V  
    60  
    3.5 V  
    40  
    20  
    0
    4
    3 V  
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    0
    20  
    40  
    60  
    80  
    100  
    VDSꢀ[V]  
    IDꢀ[A]  
    ID=f(VDS);ꢀTj=25ꢀ°C;ꢀparameter:ꢀVGS  
    RDS(on)=f(ID);ꢀTj=25ꢀ°C;ꢀparameter:ꢀVGS  
    Diagramꢀ7:ꢀTyp.ꢀtransferꢀcharacteristics  
    Diagramꢀ8:ꢀTyp.ꢀforwardꢀtransconductance  
    100  
    80  
    70  
    60  
    50  
    40  
    30  
    20  
    10  
    0
    80  
    60  
    40  
    20  
    150 °C  
    25 °C  
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    0
    10  
    20  
    30  
    40  
    50  
    60  
    70  
    VGSꢀ[V]  
    IDꢀ[A]  
    ID=f(VGS);ꢀ|VDS|>2|ID|RDS(on)max;ꢀparameter:ꢀTj  
    gfs=f(ID);ꢀTj=25ꢀ°C  
    Final Data Sheet  
    7
    Rev.ꢀ2.3,ꢀꢀ2020-12-22  
    OptiMOSTM5ꢀPower-Transistor,ꢀ100ꢀV  
    BSZ096N10LS5  
    Diagramꢀ9:ꢀDrain-sourceꢀon-stateꢀresistance  
    Diagramꢀ10:ꢀTyp.ꢀgateꢀthresholdꢀvoltage  
    20  
    2.5  
    2.0  
    15  
    360 µA  
    36 µA  
    1.5  
    1.0  
    0.5  
    0.0  
    max  
    10  
    Typ  
    5
    0
    -60  
    -20  
    20  
    60  
    100  
    140  
    180  
    -60  
    -20  
    20  
    60  
    100  
    140  
    180  
    Tjꢀ[°C]  
    Tjꢀ[°C]  
    RDS(on)=f(Tj);ꢀID=20ꢀA;ꢀVGS=10ꢀV  
    VGS(th)=f(Tj);ꢀVGS=VDS  
    Diagramꢀ11:ꢀTyp.ꢀcapacitances  
    Diagramꢀ12:ꢀForwardꢀcharacteristicsꢀofꢀreverseꢀdiode  
    104  
    103  
    25 °C  
    25 °C, max  
    150 °C  
    150 °C, max  
    Ciss  
    103  
    102  
    101  
    100  
    102  
    101  
    100  
    Coss  
    Crss  
    0
    25  
    50  
    75  
    100  
    0.00  
    0.25  
    0.50  
    0.75  
    1.00  
    1.25  
    1.50  
    VDSꢀ[V]  
    VSDꢀ[V]  
    C=f(VDS);ꢀVGS=0ꢀV;ꢀf=1ꢀMHz  
    IF=f(VSD);ꢀparameter:ꢀTj  
    Final Data Sheet  
    8
    Rev.ꢀ2.3,ꢀꢀ2020-12-22  
    OptiMOSTM5ꢀPower-Transistor,ꢀ100ꢀV  
    BSZ096N10LS5  
    Diagramꢀ13:ꢀAvalancheꢀcharacteristics  
    Diagramꢀ14:ꢀTyp.ꢀgateꢀcharge  
    102  
    10  
    9
    8
    7
    6
    50 V  
    80 V  
    20 V  
    101  
    5
    4
    3
    2
    1
    0
    25 °C  
    100 °C  
    125 °C  
    100  
    10-1  
    100  
    101  
    102  
    103  
    0
    5
    10  
    15  
    20  
    25  
    tAVꢀ[µs]  
    Qgateꢀ[nC]  
    IAS=f(tAV);ꢀRGS=25ꢀΩ;ꢀparameter:ꢀTj(start)  
    VGS=f(Qgate);ꢀID=20ꢀAꢀpulsed;ꢀparameter:ꢀVDD  
    Diagramꢀ15:ꢀDrain-sourceꢀbreakdownꢀvoltage  
    Diagram Gate charge waveforms  
    110  
    105  
    100  
    95  
    90  
    -60  
    -20  
    20  
    60  
    100  
    140  
    180  
    Tjꢀ[°C]  
    VBR(DSS)=f(Tj);ꢀID=1ꢀmA  
    Final Data Sheet  
    9
    Rev.ꢀ2.3,ꢀꢀ2020-12-22  
    OptiMOSTM5ꢀPower-Transistor,ꢀ100ꢀV  
    BSZ096N10LS5  
    5ꢀꢀꢀꢀꢀPackageꢀOutlines  
    PACKAGE - GROUP  
    NUMBER:  
    PG-TSDSON-8-U03  
    REVISION: 03  
    DATE: 20.10.2020  
    MILLIMETERS  
    DIMENSIONS  
    MIN.  
    MAX.  
    1.10  
    0.44  
    A
    b
    0.90  
    0.24  
    c
    (0.20)  
    D
    3.20  
    2.19  
    1.54  
    3.20  
    2.01  
    0.10  
    3.40  
    2.39  
    1.74  
    3.40  
    2.21  
    0.30  
    D1  
    D2  
    E
    E1  
    E2  
    e
    0.65  
    0.06  
    L
    0.30  
    0.40  
    0.50  
    0.50  
    0.60  
    0.70  
    L1  
    L2  
    aaa  
    Figureꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀOutlineꢀPG-TSDSON-8ꢀFL,ꢀdimensionsꢀinꢀmm  
    Final Data Sheet  
    10  
    Rev.ꢀ2.3,ꢀꢀ2020-12-22  
    OptiMOSTM5ꢀPower-Transistor,ꢀ100ꢀV  
    BSZ096N10LS5  
    RevisionꢀHistory  
    BSZ096N10LS5  
    Revision:ꢀ2020-12-22,ꢀRev.ꢀ2.3  
    Previous Revision  
    Revision Date  
    Subjects (major changes since last revision)  
    2.0  
    2.1  
    2.2  
    2.3  
    Release of final version  
    2016-03-07  
    2016-04-21  
    2020-06-26  
    2020-12-22  
    Update Gate threshold voltage  
    Update max current rating  
    Update package drawing  
    Trademarks  
    Allꢀreferencedꢀproductꢀorꢀserviceꢀnamesꢀandꢀtrademarksꢀareꢀtheꢀpropertyꢀofꢀtheirꢀrespectiveꢀowners.  
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    81726ꢀMünchen,ꢀGermany  
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    Withꢀrespectꢀtoꢀanyꢀexamples,ꢀhintsꢀorꢀanyꢀtypicalꢀvaluesꢀstatedꢀhereinꢀand/orꢀanyꢀinformationꢀregardingꢀtheꢀapplicationꢀofꢀthe  
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    documentꢀandꢀanyꢀapplicableꢀlegalꢀrequirements,ꢀnormsꢀandꢀstandardsꢀconcerningꢀcustomer’sꢀproductsꢀandꢀanyꢀuseꢀofꢀthe  
    productꢀofꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀcustomer’sꢀapplications.  
    Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀItꢀisꢀtheꢀresponsibilityꢀofꢀcustomer’s  
    technicalꢀdepartmentsꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproduct  
    informationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuchꢀapplication.  
    Information  
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    pleaseꢀcontactꢀtheꢀnearestꢀInfineonꢀTechnologiesꢀOffice.  
    TheꢀInfineonꢀTechnologiesꢀcomponentꢀdescribedꢀinꢀthisꢀDataꢀSheetꢀmayꢀbeꢀusedꢀinꢀlife-supportꢀdevicesꢀorꢀsystemsꢀand/or  
    automotive,ꢀaviationꢀandꢀaerospaceꢀapplicationsꢀorꢀsystemsꢀonlyꢀwithꢀtheꢀexpressꢀwrittenꢀapprovalꢀofꢀInfineonꢀTechnologies,ꢀifꢀa  
    failureꢀofꢀsuchꢀcomponentsꢀcanꢀreasonablyꢀbeꢀexpectedꢀtoꢀcauseꢀtheꢀfailureꢀofꢀthatꢀlife-support,ꢀautomotive,ꢀaviationꢀand  
    aerospaceꢀdeviceꢀorꢀsystemꢀorꢀtoꢀaffectꢀtheꢀsafetyꢀorꢀeffectivenessꢀofꢀthatꢀdeviceꢀorꢀsystem.ꢀLifeꢀsupportꢀdevicesꢀorꢀsystemsꢀare  
    intendedꢀtoꢀbeꢀimplantedꢀinꢀtheꢀhumanꢀbodyꢀorꢀtoꢀsupportꢀand/orꢀmaintainꢀandꢀsustainꢀand/orꢀprotectꢀhumanꢀlife.ꢀIfꢀtheyꢀfail,ꢀitꢀis  
    reasonableꢀtoꢀassumeꢀthatꢀtheꢀhealthꢀofꢀtheꢀuserꢀorꢀotherꢀpersonsꢀmayꢀbeꢀendangered.  
    Final Data Sheet  
    11  
    Rev.ꢀ2.3,ꢀꢀ2020-12-22  
    配单直通车
    BSZ097N04LSG产品参数
    型号:BSZ097N04LSG
    是否无铅： 不含铅
    是否Rohs认证： 符合
    生命周期：Active
    包装说明：GREEN, PLASTIC, TSDSON-8
    针数：8
    Reach Compliance Code：not_compliant
    ECCN代码：EAR99
    风险等级：5.65
    Is Samacsys：N
    其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    雪崩能效等级（Eas）：20 mJ
    外壳连接：DRAIN
    配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    最小漏源击穿电压：40 V
    最大漏极电流 (Abs) (ID)：40 A
    最大漏极电流 (ID)：12 A
    最大漏源导通电阻：0.0142 Ω
    FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    JESD-30 代码：R-PDSO-N5
    JESD-609代码：e3
    湿度敏感等级：1
    元件数量：1
    端子数量：5
    工作模式：ENHANCEMENT MODE
    最高工作温度：175 °C
    封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
    封装形状：RECTANGULAR
    封装形式：SMALL OUTLINE
    峰值回流温度（摄氏度）：260
    极性/信道类型：N-CHANNEL
    最大功率耗散 (Abs)：35 W
    最大脉冲漏极电流 (IDM)：160 A
    认证状态：Not Qualified
    子类别：FET General Purpose Power
    表面贴装：YES
    端子面层：Matte Tin (Sn)
    端子形式：NO LEAD
    端子位置：DUAL
    处于峰值回流温度下的最长时间：40
    晶体管应用：SWITCHING
    晶体管元件材料：SILICON
    Base Number Matches：1
    •  
    • 供货商
    • 型号 *
    • 数量*
    • 厂商
    • 封装
    • 批号
    • 交易说明
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