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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 北京首天国际有限公司

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  • 深圳市恒达亿科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 北京首天国际有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市正信鑫科技有限公司

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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市芯鹏泰科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 厂家NXP 
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 0755-83209630 QQ:2885348317QQ:2885348339
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  • 深圳市楚胜电子有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 厂家PHI 
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  • 深圳市宇集芯电子有限公司

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  • 数量99000 
  • 厂家PHILIPS 
  • 封装TO220 
  • 批号23+ 
  • 一级代理进口原装现货、假一罚十价格合理
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 数量18300 
  • 厂家PH 
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  • 批号23+ 
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 数量78800 
  • 厂家NXP-恩智浦 
  • 封装TO-220-3 
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  • 深圳市正纳电子有限公司

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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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产品型号BT139X-600的概述

芯片BT139X-600的概述 BT139X-600是一款功能强大的可控硅(Thyristor)器件,广泛应用于电子控制和电力电子领域。该芯片的主要特性是能够在高压、高电流的条件下进行高效开关控制,使其成为各种功率控制和调速应用的理想选择。BT139X-600主要用于交流电力切换、调光器、马达控制以及其他需要高功率开关的电路中。该器件的600V额定工作电压和15A的额定电流使其在工业和居民电路中具备了良好的应用前景。 BT139X-600的基本工作原理是利用触发电流控制其导通状态。该器件具有较高的开关速度和相对较低的导通电阻,从而确保在进行电流和电压切换时能够迅速而有效地响应,避免了传统激活方式中出现的延迟现象。 BT139X-600的详细参数 BT139X-600的关键参数包括: 1. 最大直流伏特(V_DR): 600V 2. 额定电流(I_T(RMS)): 15A 3. 门极触发...

产品型号BT139X-600的Datasheet PDF文件预览

Philips Semiconductors  
Product specification  
Triacs  
BT139X series  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
Glass passivated triacs in a full pack,  
plastic envelope, intended for use in  
SYMBOL PARAMETER  
MAX. MAX. MAX. UNIT  
applications  
requiring  
high  
BT139X-  
500  
600  
800  
bidirectional transient and blocking  
voltage capability and high thermal  
BT139X- 500F 600F 800F  
BT139X- 500G 600G 800G  
cycling  
performance.  
Typical  
VDRM  
Repetitive peak off-state  
voltages  
500  
600  
800  
V
applications include motor control,  
industrial and domestic lighting,  
heating and static switching.  
IT(RMS)  
ITSM  
RMS on-state current  
Non-repetitive peak on-state  
current  
16  
140  
16  
140  
16  
140  
A
A
PINNING - SOT186A  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
main terminal 1  
case  
T2  
T1  
2
main terminal 2  
gate  
3
G
1
2 3  
case isolated  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
V
-500  
-600  
-800  
800  
VDRM  
Repetitive peak off-state  
voltages  
-
-
5001  
6001  
IT(RMS)  
ITSM  
RMS on-state current  
Non-repetitive peak  
on-state current  
full sine wave; Ths 38 ˚C  
full sine wave; Tj = 25 ˚C prior to  
surge  
16  
A
t = 20 ms  
-
-
-
140  
150  
98  
A
A
t = 16.7 ms  
I2t  
dIT/dt  
I2t for fusing  
Repetitive rate of rise of  
on-state current after  
triggering  
t = 10 ms  
A2s  
ITM = 20 A; IG = 0.2 A;  
dIG/dt = 0.2 A/µs  
T2+ G+  
-
50  
50  
50  
10  
2
5
5
0.5  
150  
125  
A/µs  
A/µs  
A/µs  
A/µs  
A
T2+ G-  
-
T2- G-  
-
T2- G+  
-
IGM  
Peak gate current  
Peak gate voltage  
Peak gate power  
Average gate power  
Storage temperature  
Operating junction  
temperature  
-
VGM  
PGM  
PG(AV)  
Tstg  
Tj  
-
V
-
-
W
over any 20 ms period  
W
-40  
-
˚C  
˚C  
1 Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the triac may  
switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 15 A/µs.  
September 1997  
1
Rev 1.200  
Philips Semiconductors  
Product specification  
Triacs  
BT139X series  
ISOLATION LIMITING VALUE & CHARACTERISTIC  
Ths = 25 ˚C unless otherwise specified  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. TYP. MAX. UNIT  
Visol  
Cisol  
R.M.S. isolation voltage from all f = 50-60 Hz; sinusoidal  
-
2500  
V
three terminals to external  
heatsink  
waveform;  
R.H. 65% ; clean and dustfree  
Capacitance from T2 to external f = 1 MHz  
heatsink  
-
10  
-
pF  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. TYP. MAX. UNIT  
Rth j-hs  
Rth j-a  
Thermal resistance  
junction to heatsink  
full or half cycle  
with heatsink compound  
without heatsink compound  
in free air  
-
-
-
-
-
55  
4.0  
5.5  
-
K/W  
K/W  
K/W  
Thermal resistance  
junction to ambient  
STATIC CHARACTERISTICS  
Tj = 25 ˚C unless otherwise stated  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. TYP.  
MAX.  
...F  
UNIT  
BT139X-  
VD = 12 V; IT = 0.1 A  
T2+ G+  
...  
...G  
IGT  
Gate trigger current  
Latching current  
Holding current  
-
-
-
-
5
8
10  
22  
35  
35  
35  
70  
25  
25  
25  
70  
50  
50  
mA  
mA  
mA  
mA  
T2+ G-  
T2- G-  
50  
T2- G+  
100  
IL  
VD = 12 V; IGT = 0.1 A  
T2+ G+  
-
-
-
-
-
7
20  
8
10  
6
40  
60  
40  
60  
30  
40  
60  
40  
60  
30  
60  
90  
60  
90  
60  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
T2+ G-  
T2- G-  
T2- G+  
IH  
VD = 12 V; IGT = 0.1 A  
VT  
On-state voltage  
IT = 20 A  
-
-
1.2  
0.7  
0.4  
1.6  
1.5  
-
V
V
V
VGT  
Gate trigger voltage  
VD = 12 V; IT = 0.1 A  
VD = 400 V; IT = 0.1 A;  
Tj = 125 ˚C  
0.25  
ID  
Off-state leakage current VD = VDRM(max)  
;
-
0.1  
0.5  
mA  
Tj = 125 ˚C  
September 1997  
2
Rev 1.200  
Philips Semiconductors  
Product specification  
Triacs  
BT139X series  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Tj = 25 ˚C unless otherwise stated  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
TYP. MAX. UNIT  
BT139X-  
VDM = 67% VDRM(max)  
...  
...F  
...G  
dVD/dt  
dVcom/dt  
tgt  
Critical rate of rise of  
off-state voltage  
;
100  
50  
200  
250  
20  
2
-
-
-
V/µs  
V/µs  
µs  
Tj = 125 ˚C; exponential  
waveform; gate open  
circuit  
Critical rate of change of  
commutating voltage  
VDM = 400 V; Tj = 95 ˚C;  
IT(RMS) = 16 A;  
-
-
-
-
10  
-
dIcom/dt = 7.2 A/ms; gate  
open circuit  
Gate controlled turn-on  
time  
ITM = 20 A; VD = VDRM(max);  
IG = 0.1 A; dIG/dt = 5 A/µs  
September 1997  
3
Rev 1.200  
Philips Semiconductors  
Product specification  
Triacs  
BT139X series  
IT(RMS) / A  
38 C  
Ths(max) / C  
= 180  
Ptot / W  
25  
20  
15  
10  
5
25  
45  
65  
20  
1
120  
90  
15  
10  
5
60  
30  
85  
105  
125  
0
0
-50  
0
50  
Ths / C  
100  
150  
0
5
10  
15  
20  
IT(RMS) / A  
Fig.1. Maximum on-state dissipation, Ptot, versus rms  
on-state current, IT(RMS), where α = conduction angle.  
Fig.4. Maximum permissible rms current IT(RMS)  
versus heatsink temperature Ths.  
,
ITSM / A  
IT(RMS) / A  
1000  
100  
10  
50  
40  
30  
20  
10  
0
dIT/dt limit  
I
TSM  
time  
I
T
T2- G+ quadrant  
T
Tj initial = 25 C max  
10ms 100ms  
10us  
100us  
1ms  
T / s  
0.01  
0.1  
surge duration / s  
1
10  
Fig.2. Maximum permissible non-repetitive peak  
on-state current ITSM, versus pulse width tp, for  
sinusoidal currents, tp 20ms.  
Fig.5. Maximum permissible repetitive rms on-state  
current IT(RMS), versus surge duration, for sinusoidal  
currents, f = 50 Hz; Ths 38˚C.  
VGT(Tj)  
VGT(25 C)  
ITSM / A  
150  
100  
50  
1.6  
1.4  
1.2  
1
I
TSM  
time  
I
T
T
Tj initial = 25 C max  
0.8  
0.6  
0.4  
0
1
10  
100  
1000  
-50  
0
50  
Tj / C  
100  
150  
Number of cycles at 50Hz  
Fig.3. Maximum permissible non-repetitive peak  
on-state current ITSM, versus number of cycles, for  
sinusoidal currents, f = 50 Hz.  
Fig.6. Normalised gate trigger voltage  
VGT(Tj)/ VGT(25˚C), versus junction temperature Tj.  
September 1997  
4
Rev 1.200  
Philips Semiconductors  
Product specification  
Triacs  
BT139X series  
IGT(Tj)  
IGT(25 C)  
typ  
IT / A  
50  
40  
30  
20  
10  
0
Tj = 125 C  
Tj = 25 C  
3
T2+ G+  
T2+ G-  
T2- G-  
T2- G+  
max  
2.5  
2
Vo = 1.195 V  
Rs = 0.018 Ohms  
1.5  
1
0.5  
0
0
0.5  
1
1.5  
VT / V  
2
2.5  
3
-50  
0
50  
100  
150  
Tj / C  
Fig.7. Normalised gate trigger current  
IGT(Tj)/ IGT(25˚C), versus junction temperature Tj.  
Fig.10. Typical and maximum on-state characteristic.  
IL(Tj)  
IL(25 C)  
Zth j-hs (K/W)  
10  
1
with heatsink compound  
3
2.5  
2
without heatsink compound  
unidirectional  
bidirectional  
0.1  
1.5  
1
t
P
p
D
0.01  
0.001  
t
0.5  
0
10us  
0.1ms  
1ms  
10ms  
tp / s  
0.1s  
1s  
10s  
-50  
0
50  
Tj / C  
100  
150  
Fig.8. Normalised latching current IL(Tj)/ IL(25˚C),  
versus junction temperature Tj.  
Fig.11. Transient thermal impedance Zth j-hs, versus  
pulse width tp.  
dV/dt (V/us)  
1000  
IH(Tj)  
IH(25C)  
off-state dV/dt limit  
BT139...G SERIES  
3
2.5  
2
BT139 SERIES  
100  
BT139...F SERIES  
1.5  
1
dIcom/dt =  
20 A/ms  
16  
12  
9.3 7.2 5.6  
10  
0.5  
0
1
-50  
0
50  
Tj / C  
100  
150  
0
50  
100  
150  
Tj / C  
Fig.9. Normalised holding current IH(Tj)/ IH(25˚C),  
versus junction temperature Tj.  
Fig.12. Typical commutation dV/dt versus junction  
temperature, parameter commutation dIT/dt. The triac  
should commutate when the dV/dt is below the value  
on the appropriate curve for pre-commutation dIT/dt.  
September 1997  
5
Rev 1.200  
Philips Semiconductors  
Product specification  
Triacs  
BT139X series  
MECHANICAL DATA  
Dimensions in mm  
Net Mass: 2 g  
10.3  
max  
4.6  
max  
3.2  
3.0  
2.9 max  
2.8  
Recesses (2x)  
6.4  
2.5  
0.8 max. depth  
15.8  
max  
seating  
plane  
15.8  
max.  
19  
max.  
3 max.  
not tinned  
3
2.5  
13.5  
min.  
1
2
3
M
0.4  
1.0 (2x)  
0.6  
2.5  
0.9  
0.7  
2.54  
0.5  
5.08  
1.3  
Fig.13. SOT186A; The seating plane is electrically isolated from all terminals.  
Notes  
1. Refer to mounting instructions for F-pack envelopes.  
2. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".  
September 1997  
6
Rev 1.200  
Philips Semiconductors  
Product specification  
Triacs  
BT139X series  
DEFINITIONS  
Data sheet status  
Objective specification  
This data sheet contains target or goal specifications for product development.  
Preliminary specification This data sheet contains preliminary data; supplementary data may be published later.  
Product specification  
This data sheet contains final product specifications.  
Limiting values  
Limiting values are given in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134). Stress above one  
or more of the limiting values may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only and  
operation of the device at these or at any other conditions above those given in the Characteristics sections of  
this specification is not implied. Exposure to limiting values for extended periods may affect device reliability.  
Application information  
Where application information is given, it is advisory and does not form part of the specification.  
Philips Electronics N.V. 1997  
All rights are reserved. Reproduction in whole or in part is prohibited without the prior written consent of the  
copyright owner.  
The information presented in this document does not form part of any quotation or contract, it is believed to be  
accurate and reliable and may be changed without notice. No liability will be accepted by the publisher for any  
consequence of its use. Publication thereof does not convey nor imply any license under patent or other  
industrial or intellectual property rights.  
LIFE SUPPORT APPLICATIONS  
These products are not designed for use in life support appliances, devices or systems where malfunction of these  
products can be reasonably expected to result in personal injury. Philips customers using or selling these products  
for use in such applications do so at their own risk and agree to fully indemnify Philips for any damages resulting  
from such improper use or sale.  
September 1997  
7
Rev 1.200  
配单直通车
BT139X-600产品参数
型号:BT139X-600
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
包装说明:TO-220F
Reach Compliance Code:not_compliant
HTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.56
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE
JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:125 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:16 A
参考标准:IEC-60134
断态重复峰值电压:600 V
表面贴装:NO
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
触发设备类型:4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
Base Number Matches:1
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