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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 深圳市拓亿芯电子有限公司

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  • 封装SSOP28 
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  • 原装现货,价格优势
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  • 深圳市瑞天芯科技有限公司

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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 深圳市宗天技术开发有限公司

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产品型号BU306F的Datasheet PDF文件预览

INCHANGE Semiconductor  
isc Product Specification  
isc Silicon NPN Power Transistor  
BU306F/307F  
DESCRIPTION  
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-  
: VCEO(SUS) = 300V(Min)- BD306F  
400V(Min)- BD307F  
·Collector Current-8A  
APPLICATIONS  
·Designed for use in switching regulators, inverters, motor  
controls, solenoid/relay drivers and deflection circuits.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)  
SYMBOL  
PARAMETER  
VALUE  
600  
700  
300  
400  
9
UNIT  
BU306F  
BU307F  
BU306F  
BU307F  
VCBO  
Collector-Base Voltage  
V
VCEO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
VEBO  
IC  
ICM  
IB  
V
A
Collector Current-Continuous  
Collector Current-Peak  
Base Current  
8
16  
A
4
A
IBM  
PC  
TJ  
Base Current-Peak  
8
A
Collector Power Dissipation  
@ TC=25℃  
20  
W
Junction Temperature  
150  
-65~150  
Storage Temperature Range  
Tstg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX  
UNIT  
Thermal Resistance, Junction to Case  
6.12  
/W  
Rth j-c  
isc Websitewww.iscsemi.cn  
INCHANGE Semiconductor  
isc Product Specification  
isc Silicon NPN Power Transistor  
BU306F/307F  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
TC=25unless otherwise specified  
SYMBOL  
PARAMETER  
CONDITIONS  
IC= 0.1A ;IB= 0; L=25mH  
IC= 2A; IB= 0.4A  
MIN TYP. MAX UNIT  
BU306F  
BU307F  
300  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
V(BR)CEO  
V
400  
VCE(sat)-1  
VCE(sat)-2  
VCE(sat)-3  
VBE(sat)-1  
VBE(sat)-2  
ICES  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Collector Cutoff Current  
1.0  
V
V
IC= 5A; IB= 1A  
IC= 5A; IB= 1A; TJ= 100℃  
1.5  
2.0  
IC= 8A; IB= 2A  
3.0  
1.2  
V
IC= 2A; IB= 0.4A  
V
IC= 5A; IB= 1A  
IC= 5A; IB= 1A; TJ= 100℃  
1.6  
1.5  
V
VCE= VCESmax;VBE= -1.5V  
VCE= VCESmax;VBE= -1.5V;TJ= 100℃  
1
5
mA  
mA  
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
VEB= 9V; IC=0  
1
hFE-1  
DC Current Gain  
IC= 0.5A ; VCE= 5V  
IC= 2A ; VCE= 5V  
15  
8
50  
40  
30  
hFE-2  
DC Current Gain  
hFE-3  
DC Current Gain  
IC= 5A ; VCE= 5V  
6
COB  
Output Capacitance  
IE= 0 ; VCB= 10V  
80  
4
pF  
fT  
Current-Gain—Bandwidth Product  
MHz  
IC= 0.5A ; VCE= 10V, ftest= 1.0MHz  
Switching Times ; Resistive Load  
td  
tr  
Delay Time  
Rise Time  
Storage Time  
Fall Time  
0.1  
1.0  
μs  
μs  
μs  
μs  
IC= 5A; IB1= -IB2= 1A;  
VCC= 125V; tp= 25μs  
3.0  
ts  
tf  
0.7  
2
isc Websitewww.iscsemi.cn  
配单直通车
BU3071HFV产品参数
型号:BU3071HFV
是否无铅:不含铅
是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:ROHM CO LTD
零件包装代码:SOIC
包装说明:VSOF, TSSOP6,.11,20
针数:6
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.84
Is Samacsys:N
JESD-30 代码:R-PDSO-F6
JESD-609代码:e2
长度:2.6 mm
端子数量:6
最高工作温度:75 °C
最低工作温度:-5 °C
最大输出时钟频率:54 MHz
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:VSOF
封装等效代码:TSSOP6,.11,20
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):260
电源:3.3 V
主时钟/晶体标称频率:28.636363 MHz
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:0.75 mm
子类别:Clock Generators
最大压摆率:15 mA
最大供电电压:3.6 V
最小供电电压:3 V
标称供电电压:3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL EXTENDED
端子面层:Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式:FLAT
端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:10
宽度:1.6 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型:CLOCK GENERATOR, OTHER
Base Number Matches:1
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