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产品型号BUV20的概述

芯片BUV20的概述 BUV20是一款广泛应用于高性能功率放大器和开关电源电路中的功率晶体管。它属于NPN型功率晶体管,具有优秀的电流放大特性和高速开关能力。由于其出色的电气性能和较高的耐压能力,BUV20被许多电子工程师视为设计电力电子设备的首选。 BUV20的设计目的是能够处理较高的电流和电压,这使得它尤其适用于需要高效率和高稳定性的应用。例如,BUV20可被用于自动化设备中的驱动电路,数字电路中的信号传输,以及某些音频设备中用于功率放大的应用。此外,它也以其较高的温度可靠性在工业领域获得了广泛的应用。 芯片BUV20的详细参数 BUV20的详细参数通常包括以下几个方面: - 最大集电极至发射极电压(Vce):80V - 最大耗散功率(Pd):65W - 输入电流(Ib):10A - 直流电流增益(hFE):最低60,最高250(在不同的工作条件下) - 工作结温(Tj):150°...

产品型号BUV20的Datasheet PDF文件预览

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by BUV20/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
50 AMPERES  
NPN SILICON  
POWER  
. . . designed for high speed, high current, high power applications.  
METAL TRANSISTOR  
125 VOLTS  
High DC current gain:  
h
h
min = 20 at I = 25 A  
250 WATTS  
FE  
FE  
C
min = 10 at I = 50 A  
C
Low V  
:
CE(sat)  
V
V
max. = 0.6 V at I = 25 A  
CE(sat)  
CE(sat)  
C
C
max. = 1.2 V at I = 50 A  
Very fast switching times:  
= 0.25 µs at I = 50 A  
T
F
C
CASE 197A–05  
TO–204AE  
(TO–3)  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Collector–Emititer Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
125  
160  
7
CEO(sus)  
V
CBO  
EBO  
V
Collector–Emitter Voltage (V  
= –1.5 V)  
V
160  
150  
BE  
CEX  
CER  
Collector–Emitter voltage (R  
= 100 )  
V
BE  
Collector–Current — Continuous  
— Peak (pw  
I
50  
60  
Adc  
Apk  
C
10 ms)  
I
CM  
Base–Current continuous  
I
10  
250  
Adc  
Watts  
C
B
Total Power Dissipation @ T = 25 C  
C
P
D
Operating and Storage Junction Temperature Range  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
T , T  
65 to 200  
J
stg  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
θ
0.7  
C/W  
JC  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
40  
80  
120  
160  
200  
T
, TEMPERATURE (°C)  
C
Figure 1. Power Derating  
SWITCHMODE is a trademark of Motorola, Inc.  
REV 7  
Motorola, Inc. 1995
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
1
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Sustaining Voltage  
(I = 200 mA, I = 0, L = 25 mH)  
V
125  
Vdc  
CEO(sus)  
C
B
Collector Cutoff Current at Reverse Bias  
I
mAdc  
CEX  
(V  
CE  
(V  
CE  
= 140 V, V  
= 140 V, V  
= – 1.5 V)  
= – 1.5 V, T = 125 C)  
3.0  
12  
BE  
BE  
C
Collector–Emitter Cutoff Current  
(V = 100 V)  
I
3.0  
mAdc  
V
CEO  
CE  
Emitter–Base Reverse Voltage  
V
7
EBO  
(I = 50 mA)  
E
Emitter–Cutoff Current  
I
1.0  
mAdc  
EBO  
(V  
EB  
= 5 V)  
SECOND BREAKDOWN  
Second Breakdown Collector Current with base forward biased  
I
Adc  
S/b  
(V  
CE  
(V  
CE  
= 20 V, t = 1 s)  
= 40 V, t = 1 s)  
12  
1.5  
1
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain  
h
FE  
(I = 25 A, V  
= 2 V)  
= 4 V)  
20  
10  
60  
C
CE  
CE  
(I = 50 A, V  
C
Collector–Emitter Saturation Voltage  
(I = 25 A, I = 2.5 A)  
V
Vdc  
Vdc  
CE(sat)  
0.6  
1.2  
C
B
(I = 50 A, I = 5 A)  
C
B
Base–Emitter Saturation Voltage  
(I = 50 A, I = 5 A)  
V
2.0  
BE(sat)  
C
B
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Current Gain — Bandwidth Product  
f
T
8.0  
MHz  
(V  
CE  
= 15 V, I = 2 A, f = 4 MHz)  
C
SWITCHING CHARACTERISTICS (Resistive Load)  
Turn–on Time  
t
1.5  
1.2  
µs  
on  
(I = 50 A, I = I = 5 A,  
C
B1 B2  
Storage Time  
t
s
V
CC  
= 30 V, R = 0.6 )  
C
Fall Time  
t
f
0.25  
1
Pulse Test: Pulse Width  
300 µs, Duty Cycle  
2%.  
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data  
100  
50  
There are two limitations on the power handling ability of a  
transistor: average junction temperature and second break-  
down. Safe operating area curves indicate I – V  
limits of  
C
CE  
the transistor that must be observed for reliable operation  
i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa-  
tion than the curves indicate.  
10  
1
The data of Figure 2 is based on T = 25 C. T  
is  
J(pk)  
C
variable depending on power level. Second breakdown  
limitations do not derate the same as thermal limitations.  
At high case temperatures, thermal limitations will reduce  
the power that can be handled to values less than the limita-  
tions imposed by second breakdown.  
1
10  
100125  
V
, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (V)  
CE  
Figure 2. Active Region Safe Operating Area  
2.0  
100  
V
= 4 V  
I
/I = 10  
CE  
C B  
1.6  
1.2  
0.8  
80  
60  
40  
20  
0
V
BE(sat)  
V
CE(sat)  
0.4  
0
1
10  
100  
1
10  
I
, COLLECTOR CURRENT (A)  
I
, COLLECTOR CURRENT (A)  
C
C
Figure 3. “On” Voltages  
Figure 4. DC Current Gain  
V
I
= 30 V  
CC  
/I = 10  
V
C B1  
= I  
CC  
I
B1 B2  
3.0  
2.0  
4
µF  
10  
R
C
I
1.0  
B2  
t
S
V
R
= 30 V  
= 0.6 Ω  
CC  
C
I
B1  
0.4  
0.3  
t
on  
t
0.2  
F
R
— Non inductive resistance  
C
0
10  
20  
30  
40  
50  
I
, COLLECTOR CURRENT (A)  
C
Figure 6. Switching Times Test Circuit  
Figure 5. Resistive Switching Performance  
3
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data  
PACKAGE DIMENSIONS  
A
N
C
NOTES:  
SEATING  
PLANE  
–T–  
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI  
Y14.5M, 1982.  
E
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.  
K
D 2 PL  
0.30 (0.012)  
INCHES  
MIN MAX  
1.530 REF  
MILLIMETERS  
MIN  
38.86 REF  
25.15  
6.35  
1.45  
1.53  
M
M
M
T
Q
Y
DIM  
A
B
C
D
E
MAX  
U
0.990  
1.050  
0.335  
0.063  
0.070  
26.67  
8.51  
1.60  
1.77  
–Y–  
L
V
H
0.250  
0.057  
0.060  
2
1
G
H
K
L
0.430 BSC  
0.215 BSC  
0.440 0.480  
0.665 BSC  
10.92 BSC  
5.46 BSC  
11.18 12.19  
16.89 BSC  
B
G
N
Q
U
V
0.760  
0.830  
0.165  
19.31  
21.08  
4.19  
–Q–  
0.151  
0.131  
3.84  
3.33  
M
M
0.25 (0.010)  
T Y  
1.187 BSC  
30.15 BSC  
0.188  
4.77  
STYLE 1:  
PIN 1. BASE  
2. EMITTER  
CASE: COLLECTOR  
CASE 197A–05  
TO–204AE (TO–3)  
ISSUE J  
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USA / EUROPE: Motorola Literature Distribution;  
JAPAN: Nippon Motorola Ltd.; Tatsumi–SPD–JLDC, Toshikatsu Otsuki,  
P.O. Box 20912; Phoenix, Arizona 85036. 1–800–441–2447  
6F Seibu–Butsuryu–Center, 3–14–2 Tatsumi Koto–Ku, Tokyo 135, Japan. 03–3521–8315  
MFAX: RMFAX0@email.sps.mot.com – TOUCHTONE (602) 244–6609  
INTERNET: http://Design–NET.com  
HONG KONG: Motorola Semiconductors H.K. Ltd.; 8B Tai Ping Industrial Park,  
51 Ting Kok Road, Tai Po, N.T., Hong Kong. 852–26629298  
BUV20/D  
配单直通车
BUV20产品参数
型号:BUV20
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active
IHS 制造商:TT ELECTRONICS PLC
包装说明:TO-3, 2 PIN
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.74
其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):50 A
集电极-发射极最大电压:125 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):10
JEDEC-95代码:TO-3
JESD-30 代码:O-MBFM-P2
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:200 °C
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO
端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):8 MHz
Base Number Matches:1
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