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    • BUV26AF图

    • 深圳市华科泰电子商行

       该会员已使用本站13年以上
    • BUV26AF
    • 数量6800 
    • 厂家ST 
    • 封装TO-220 
    • 批号05+ 
    • 绝对原装现货特价
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    • BUV26AF图

    • 北京首天国际有限公司

       该会员已使用本站16年以上
    • BUV26AF
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    • 厂家√ 欧美㊣品 
    • 封装贴◆插 
    • 批号2024+ 
    • 百分百原装正品，现货库存
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    • BUV26AF图

    • 深圳市芯福林电子有限公司

       该会员已使用本站15年以上
    • BUV26AF
    • 数量65000 
    • 厂家ST 
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    • 批号23+ 
    • 真实库存全新原装正品！代理此型号
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    • BUV26AF图

    • 深圳市创思克科技有限公司

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    • 封装TO-220 
    • 批号21+ 
    • 全新原装原厂实力挺实单欢迎来撩
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    • BUV26AF图

    • 深圳市一线半导体有限公司

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    • BUV26AF
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    产品型号BUV26AF的Datasheet PDF文件预览

    INCHANGE Semiconductor  
    isc Product Specification  
    isc Silicon NPN Power Transistors  
    BUV26F/AF  
    DESCRIPTION  
    ·Collector-Emitter Sustaining Voltage-  
    : VCEO(SUS) = 90V(Min)- BUV26F  
    100V(Min)- BUV26AF  
    ·High Switching Speed  
    APPLICATIONS  
    ·Designed for fast switching applications such as high  
    frequency and efficiency converters, switching regulators  
    and motor control.  
    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)  
    SYMBOL  
    PARAMETER  
    VALUE  
    180  
    200  
    90  
    UNIT  
    BUV26F  
    BUV26AF  
    BUV26F  
    BUV26AF  
    Collector-Emitter Voltage  
    VBE= 0  
    VCES  
    V
    VCEO  
    Collector-Emitter Voltage  
    Emitter-Base Voltage  
    V
    100  
    5
    VEBO  
    IC  
    ICM  
    IB  
    V
    A
    Collector Current-Continuous  
    Collector Current-Peak  
    Base Current-Continuous  
    Base Current-Peak  
    14  
    25  
    A
    4
    A
    IBM  
    PC  
    TJ  
    6
    A
    Collector Power Dissipation  
    18  
    W
    ℃
    ℃
    @ TC=25℃  
    Junction Temperature  
    150  
    -65~150  
    Storage Temperature Range  
    Tstg  
    THERMAL CHARACTERISTICS  
    SYMBOL  
    PARAMETER  
    MAX  
    7.0  
    UNIT  
    ℃/W  
    ℃/W  
    Thermal Resistance, Junction to Case  
    Thermal Resistance, Junction to Ambient  
    Rth j-c  
    55  
    Rth j-a  
    isc Website：www.iscsemi.cn  
    INCHANGE Semiconductor  
    isc Product Specification  
    isc Silicon NPN Power Transistors  
    BUV26F/AF  
    ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
    TC=25℃ unless otherwise specified  
    SYMBOL  
    PARAMETER  
    CONDITIONS  
    IC= 0.2A ;IB= 0; L= 25mH  
    IC= 12A; IB= 1.2A  
    MIN  
    90  
    TYP.  
    MAX  
    UNIT  
    BUV26F  
    BUV26AF  
    BUV26F  
    Collector-Emitter  
    Sustaining Voltage  
    VCEO(SUS)  
    V
    100  
    1.5  
    1.0  
    0.6  
    0.5  
    2.0  
    1.5  
    1.2  
    1.2  
    1.0  
    3.0  
    1.0  
    Collector-Emitter  
    Saturation Voltage  
    VCE(sat)-1  
    VCE(sat)-2  
    VBE(sat)-1  
    VBE(sat)-2  
    V
    V
    V
    V
    BUV26AF IC= 10A; IB= 1.0A  
    BUV26F IC= 6A; IB= 0.6A  
    BUV26AF IC= 5A; IB= 0.5A  
    BUV26F IC= 12A; IB= 1.2A  
    BUV26AF IC= 10A; IB= 1.0A  
    BUV26F IC= 6A; IB= 0.6A  
    BUV26AF IC= 5A; IB= 0.5A  
    VCE=VCESmax;VBE=-1.5V,TJ=125℃  
    Collector-Emitter  
    Saturation Voltage  
    Base-Emitter  
    Saturation Voltage  
    Base-Emitter  
    Saturation Voltage  
    ICEX  
    ICES  
    IEBO  
    Collector Cutoff Current  
    Collector Cutoff Current  
    Emitter Cutoff Current  
    mA  
    mA  
    mA  
    VCE=VCESmax;VBE=0,TJ=125℃  
    VEB= 5V; IC=0  
    Switching Times; Resistive Load  
    Turn-On Time  
    Storage Time  
    Fall Time  
    0.4  
    0.6  
    1.0  
    μs  
    μs  
    μs  
    ton  
    tstg  
    tf  
    For BUV26F  
    IC= 12A; IB1= 1.2A; IB2= -2.4A  
    0.45  
    0.12  
    For BUV26AF  
    IC= 10A; IB1= 1.0A; IB2= -2.0A  
    0.25  
    2
    isc Website：www.iscsemi.cn  
    配单直通车
    BUV26AF产品参数
    型号:BUV26AF
    是否Rohs认证： 不符合
    生命周期：Transferred
    包装说明：,
    Reach Compliance Code：unknown
    风险等级：5.69
    最大集电极电流 (IC)：14 A
    配置：Single
    最小直流电流增益 (hFE)：20
    JESD-609代码：e0
    最高工作温度：150 °C
    极性/信道类型：NPN
    最大功率耗散 (Abs)：18 W
    子类别：Other Transistors
    表面贴装：NO
    端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
    Base Number Matches：1
    •  
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