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    • BYV50-200图

    • 深圳市一线半导体有限公司

       该会员已使用本站11年以上
    • BYV50-200
    • 数量22000 
    • 厂家原厂品牌 
    • 封装原厂外观 
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    • 全新原装部分现货其他订货
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    产品型号BYV52的Datasheet PDF文件预览

    BYV52/PI  
    HIGH EFFICIENCY FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES  
    FEATURES  
    SUITED FOR SMPS  
    A1  
    A2  
    VERY LOW FORWARD LOSSES  
    NEGLIGIBLESWITCHING LOSSES  
    HIGH SURGE CURRENT CAPABILITY  
    HIGH AVALANCHEENERGY CAPABILITY  
    K
    INSULATEDVERSIONTOP3I :  
    Insulatingvoltage = 2500 V DC  
    Capacitance = 12 pF  
    DESCRIPTION  
    Dual center tap rectifier suited for switchmode  
    power supply and high frequency DC to DC  
    converters.  
    Packaged in SOT93, or TOP3I this device is  
    intended for use in low voltage, high frequency  
    inverters, free wheeling and polarity protection  
    applications.  
    isolated  
    TOP3I  
    (Plastic)  
    SOT93  
    (Plastic)  
    BYV52-200  
    BYV52PI-200  
    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
    Symbol  
    Parameter  
    Value  
    Unit  
    IF(RMS)  
    50  
    A
    A
    Per diode  
    Tc=110°C Per diode  
    RMS forward current  
    IF(AV)  
    30  
    30  
    SOT93  
    TOP3I  
    Average forward current  
    δ = 0.5  
    Tc=90°C  
    Per diode  
    Per diode  
    IFSM  
    500  
    A
    tp=10ms  
    Surge non repetitiveforward current  
    sinusoidal  
    Tstg  
    Tj  
    - 40 to + 150  
    - 40 to + 150  
    °C  
    C
    Storage and junction temperature range  
    °
    Symbol  
    Parameter  
    Value  
    200  
    Unit  
    VRRM  
    V
    Repetitivepeak reverse voltage  
    October 1999  
    Ed : 2C  
    1/6  
    BYV52/PI  
    THERMAL RESISTANCE  
    Symbol  
    Parameter  
    Value  
    1.2  
    Unit  
    °
    Rth (j-c)  
    C/W  
    SOT93  
    Per diode  
    Total  
    Junctionto case  
    0.75  
    1.8  
    TOP3I  
    Per diode  
    Total  
    1.2  
    Rth (c)  
    0.3  
    °C/W  
    SOT93  
    TOP3I  
    Coupling  
    0.6  
    When the diodes 1 and 2 are used simultaneously :  
    Tj-Tc (diode 1) = P(diode 1) x Rth(j-c)(Per diode) + P(diode 2) x Rth(c)  
    ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Per diode)  
    STATIC CHARACTERISTICS  
    Symbol  
    Test Conditions  
    Min. Typ. Max. Unit  
    µ
    A
    IR *  
    25  
    Tj = 25°C  
    Tj = 100°C  
    Tj = 125°C  
    Tj = 125°C  
    Tj = 25°C  
    VR = VRRM  
    2.5  
    mA  
    V
    VF **  
    0.85  
    1.00  
    1.15  
    IF = 20 A  
    IF = 40 A  
    IF = 40 A  
    Pulse test : * tp = 5 ms, duty cycle < 2 %  
    ** tp = 380 s, duty cycle < 2 %  
    µ
    To evaluate the conductionlosses use the following equation :  
    2
    P = 0.7 x IF(AV) + 0.0075x IF (RMS)  
    RECOVERY CHARACTERISTICS  
    Symbol  
    Test Conditions  
    Min. Typ. Max. Unit  
    °
    trr  
    Tj = 25 C  
    IF = 0.5A  
    IR = 1A  
    Irr = 0.25A  
    dIF/dt = -50A/µs  
    tr = 5 ns  
    35  
    ns  
    IF = 1A  
    VR = 30V  
    50  
    tfr  
    Tj = 25°C  
    Tj = 25°C  
    IF = 1A  
    VFR = 1.1 x VF  
    10  
    ns  
    V
    VFP  
    IF = 1A  
    tr = 5 ns  
    1.5  
    2/6  
    BYV52/PI  
    Fig.1 : Average forward power dissipation versus  
    Fig.2 : Peak current versus form factor.  
    average forward current.  
    P
    I
    F(av)(W)  
    M(A)  
    40  
    500  
    450  
    T
    =1  
    =0.5  
    =0.2  
    35  
    30  
    25  
    20  
    15  
    10  
    5
    P=20W  
    400  
    =0.1  
    I
    M
    =0.05  
    350  
    =tp/T  
    300  
    250  
    200  
    150  
    100  
    50  
    tp  
    P=10W  
    T
    P=30W  
    I
    =tp/T  
    F(av)(A)  
    15  
    tp  
    0
    0
    0
    5
    10  
    20  
    25  
    30  
    35  
    0
    0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9  
    1
    Fig.3 : Forward voltage drop versus forward  
    current (maximum values).  
    Fig.4 : Relative variation of thermal impedance  
    junction to case versus pulse duration.  
    K
    1.0  
    VFM(V)  
    1.8  
    Zth(j-c) (tp.  
    K =  
    )
    Rth(j-c)  
    1.6  
    Tj=125 o  
    C
    1.4  
    1.2  
    1.0  
    0.8  
    0.6  
    0.4  
    0.2  
    0.0  
    =0.5  
    0.5  
    =0.2  
    = 0.1  
    T
    0.2  
    0.1  
    Single pulse  
    IFM(A)  
    10  
    =tp/T  
    tp  
    1.0E+00  
    tp(s)  
    0.1  
    1
    100 300  
    1.0E-03  
    1.0E-02  
    1.0E-01  
    Fig.5 :  
    versus overload duration.  
    (SOD93)  
    Fig.6 :  
    Non repetitive surge peak forward current  
    versus overload duration.  
    (TOP3I)  
    Non repetitive surge peak forward current  
    I
    I
    M(A)  
    M(A)  
    250  
    200  
    150  
    300  
    250  
    200  
    150  
    100  
    50  
    o
    Tc=25  
    C
    o
    o
    Tc=25  
    C
    100  
    o
    Tc=50  
    C
    Tc=50  
    Tc=90  
    C
    IM  
    IM  
    o
    50  
    C
    t
    t
    o
    Tc=110  
    C
    t(s)  
    t(s)  
    =0.5  
    =0.5  
    0
    0
    0.001  
    0.01  
    0.1  
    1
    0.001  
    0.01  
    0.1  
    1
    3/6  
    BYV52/PI  
    Fig.7  
    temperature.  
    :
    Fig.8  
    temperature.  
    :
    Average current versus ambient  
    Average current versus ambient  
    (duty cycle : 0.5) (SOD93)  
    (duty cycle : 0.5) (TOP3I)  
    I
    I
    F(av)(A)  
    =0.5  
    F(av)(A)  
    =0.5  
    35  
    30  
    25  
    20  
    15  
    10  
    5
    35  
    30  
    25  
    20  
    15  
    10  
    5
    Rth(j-a)=Rth(j-c)  
    Rth(j-a)=Rth(j-c)  
    T
    T
    =tp/T  
    =tp/T  
    tp  
    tp  
    o
    o
    Rth(j-a)=15 C/W  
    Rth(j-a)=15 C/W  
    o
    o
    Tamb( C)  
    Tamb( C)  
    0
    0
    0
    20  
    40  
    60 80 100 120 140 160  
    0
    20  
    40  
    60 80 100 120 140 160  
    Fig.9 : Junction capacitance versus reverse  
    voltage applied (Typical values).  
    Fig.10 : Recoverycharges versus dIF/dt.  
    C(pF)  
    QRR(nC)  
    200  
    100  
    o
    F=1Mhz Tj=25 C  
    190  
    90%CONFIDENCE  
    90  
    IF=IF(av)  
    80  
    180  
    170  
    160  
    150  
    140  
    130  
    120  
    70  
    O
    Tj=100 C  
    60  
    50  
    40  
    O
    Tj=25 C  
    30  
    20  
    10  
    0
    110  
    VR(V)  
    dIF/dt(A/us)  
    100  
    1
    10  
    100  
    200  
    1
    10  
    100  
    Fig.11 :  
    Fig.12 :  
    temperature.  
    Peakreverse current versus dIF/dt.  
    Dynamic parameters versus junction  
    o
    IRM(A)  
    QRR;IRM[Tj]/QRR;IRM[Tj=125 C]  
    3.0  
    2.5  
    2.0  
    1.5  
    1.0  
    0.5  
    0.0  
    1.50  
    1.25  
    1.00  
    0.75  
    0.50  
    0.25  
    0.00  
    90%CONFIDENCE  
    IF=IF(av)  
    O
    Tj=100  
    C
    IRM  
    QRR  
    O
    Tj=25  
    C
    Tj(oC)  
    dIF/dt(A/us)  
    20  
    0
    25  
    50  
    75  
    100  
    125  
    150  
    1
    10  
    100  
    4/6  
    BYV52/PI  
    PACKAGE MECHANICAL DATA  
    SOD93  
    DIMENSIONS  
    Millimeters Inches  
    Min. Typ. Max. Min. Typ. Max.  
    REF.  
    A
    C
    4.70  
    1.17  
    4.90 0.185  
    1.37 0.046  
    0.193  
    0.054  
    D
    2.50  
    1.27  
    0.098  
    0.050  
    D1  
    E
    F
    0.50  
    1.10  
    0.78 0.020  
    1.30 0.043  
    0.031  
    0.051  
    F3  
    G
    H
    1.75  
    0.069  
    10.80  
    14.70  
    11.10 0.425  
    15.20 0.578  
    12.20  
    0.437  
    0.598  
    0.480  
    0.638  
    L
    L2  
    L3  
    16.20  
    18.0  
    0.709  
    1.220  
    L5 3.95  
    L6  
    O
    4.15 0.156  
    4.10 0.157  
    0.163  
    0.161  
    31.00  
    4.00  
    Marking : Type number  
    Cooling method : C  
    Weight : 3.79 g  
    Recommended torque value : 0.8m.N  
    Maximum torque value : 1.0m.N  
    5/6  
    BYV52/PI  
    PACKAGE MECHANICAL DATA  
    TOP3I (isolated)  
    DIMENSIONS  
    Millimeters Inches  
    Min. Max.  
    REF.  
    Min.  
    4.4  
    Max.  
    4.6  
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    0.173 0.181  
    0.057 0.061  
    1.45  
    1.55  
    14.35 15.60 0.565 0.614  
    0.5  
    2.7  
    0.7  
    0.020 0.028  
    0.106 0.114  
    0.622 0.650  
    0.815 0.831  
    0.594 0.610  
    0.213 0.222  
    0.134 0.144  
    0.161 0.164  
    0.047 0.055  
    0.181 typ.  
    2.9  
    15.8  
    20.4  
    15.1  
    5.4  
    16.5  
    21.1  
    15.5  
    5.65  
    3.65  
    4.17  
    1.40  
    G
    H
    J
    K
    L
    3.4  
    4.08  
    1.20  
    P
    R
    4.60 typ.  
    Marking  
    : Type number  
    Cooling method : C  
    Weight : 4.46 g  
    Recommended torque value : 0.8m.N  
    Maximum torque value : 1.0m.N  
    Information furnished is believed to be accurate and reliable. However, STMicroelectronics assumes no responsibility for the consequences of  
    use ofsuch information nor for any infringementof patents or other rights of thirdparties which may result fromits use. No license is granted by  
    implication or otherwise under any patent or patent rights of STMicroelectronics. Specifications mentioned in this publication are subject to  
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    proval of STMicroelectronics.  
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    STMicroelectronics GROUP OF COMPANIES  
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    Malta - Morocco - Singapore - Spain - Sweden - Switzerland - United Kingdom - U.S.A.  
    http://www.st.com  
    6/6  
    配单直通车
    BYV52-100产品参数
    型号:BYV52-100
    是否Rohs认证：不符合
    生命周期：Obsolete
    IHS 制造商：STMICROELECTRONICS
    包装说明：R-PSFM-T3
    Reach Compliance Code：compliant
    ECCN代码：EAR99
    HTS代码：8541.10.00.80
    风险等级：5.92
    Is Samacsys：N
    应用：EFFICIENCY
    外壳连接：CATHODE
    配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
    二极管元件材料：SILICON
    二极管类型：RECTIFIER DIODE
    最大正向电压 (VF)：1 V
    JESD-30 代码：R-PSFM-T3
    最大非重复峰值正向电流：500 A
    元件数量：2
    相数：1
    端子数量：3
    最高工作温度：150 °C
    最低工作温度：-40 °C
    最大输出电流：30 A
    封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
    封装形状：RECTANGULAR
    封装形式：FLANGE MOUNT
    最大功率耗散：46 W
    认证状态：Not Qualified
    最大重复峰值反向电压：100 V
    最大反向电流：25 µA
    最大反向恢复时间：0.05 µs
    子类别：Rectifier Diodes
    表面贴装：NO
    端子形式：THROUGH-HOLE
    端子位置：SINGLE
    Base Number Matches：1
    •  
    • 供货商
    • 型号 *
    • 数量*
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