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  • 支持实单/只做原装
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  • 深圳市特拉特科技有限公司

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  • 深圳德田科技有限公司

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BYG10  
Vishay Semiconductors  
VISHAY  
Standard Avalanche Sinterglass Diode  
Features  
• Controlled avalanche characteristics  
• Glass passivated junction  
• Low reverse current  
• High surge current capability  
• Wave and reflow solderable  
15811  
Applications  
Surface mounting  
General purpose rectifier  
Parts Table  
Part  
Type differentiation  
Package  
BYG10D  
BYG10G  
BYG10J  
BYG10K  
BYG10M  
BYG10Y  
VR = 200 V @ IFAV = 1.5 A  
DO-214AC  
V
V
V
R = 400 V @ IFAV = 1.5 A  
R = 600 V @ IFAV = 1.5 A  
R = 800 V @ IFAV = 1.5 A  
DO-214AC  
DO-214AC  
DO-214AC  
DO-214AC  
DO-214AC  
VR = 1000 V @ IFAV = 1.5 A  
R = 1600 V @ IFAV = 1.5 A  
V
Absolute Maximum Ratings  
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified  
Parameter  
Test condition  
Part  
Symbol  
Value  
200  
Unit  
V
Reverse voltage = Repetitive  
peak reverse voltage  
BYG10D  
VR = VRRM  
BYG10G  
BYG10J  
BYG10K  
BYG10M  
BYG10Y  
VR = VRRM  
400  
600  
V
V
V
V
V
V
R = VRRM  
R = VRRM  
R = VRRM  
R = VRRM  
IFSM  
800  
V
1000  
V
1600  
V
Peak forward surge current  
Average forward current  
tp = 10 ms, half sinewave  
30  
A
IFAV  
1.5  
A
Junction and storage  
temperature range  
Tj = Tstg  
- 55 to + 150  
°C  
Pulse energy in avalanche  
mode, non repetitive (inductive  
load switch off)  
I
(BR)R = 1 A, Tj = 25 °C  
BYG10D-  
BYG10M  
ER  
20  
mJ  
Document Number 86008  
Rev. 1.5, 09-Oct-00  
www.vishay.com  
1
BYG10  
Vishay Semiconductors  
VISHAY  
Maximum Thermal Resistance  
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified  
Parameter  
Junction lead  
Junction ambient  
Test condition  
Part  
Symbol  
RthJL  
Value  
25  
Unit  
K/W  
TL = const.  
mounted on epoxy-glass hard  
tissue  
RthJA  
150  
K/W  
mounted on epoxy-glass hard  
tissue, 50 mm2 35 µm Cu  
mounted on Al-oxid-ceramic  
(Al2O3), 50 mm2 35 µm Cu  
RthJA  
125  
K/W  
RthJA  
100  
K/W  
Electrical Characteristics  
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified  
Parameter  
Test condition  
Part  
Symbol  
VF  
Min  
Typ.  
Max  
1.1  
Unit  
V
Forward voltage  
IF = 1 A  
IF = 1.5 A  
VF  
IR  
IR  
trr  
1.15  
1
V
Reverse current  
V
V
R = VRRM  
µA  
µA  
µs  
R = VRRM, Tj = 100 °C  
10  
4
Reverse recovery time  
IF = 0.5 A, IR = 1 A, iR = 0.25 A  
Typical Characteristics (Tamb = 25 °C unless otherwise specified)  
100.000  
10.000  
1.000  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0.0  
V =V  
half sinewave  
R
RRM  
R
v25K/W  
thJA  
T =150°C  
j
0.100  
T =25°C  
j
0.010  
R
v125K/W  
v150K/W  
thJA  
R
thJA  
0.001  
0.0  
0.5  
V
1.0  
1.5  
2.0  
2.5  
3.0  
0
20 40 60 80 100 120 140 160  
– Ambient Temperature ( °C )  
16438  
– Forward Voltage ( V )  
16439  
T
amb  
F
Figure 1. Forward Current vs. Forward Voltage  
Figure 2. Max. Average Forward Current vs. Ambient Temperature  
www.vishay.com  
2
Document Number 86008  
Rev. 1.5, 09-Oct-00  
BYG10  
Vishay Semiconductors  
VISHAY  
5000  
4000  
3000  
1000  
T
=125°C  
amb  
V
R
= V  
RRM  
T
amb  
=100°C  
100  
10  
1
T
amb  
=75°C  
T
=50°C  
amb  
2000  
1000  
0
T
=25°C  
amb  
I =0.5A, i =0.125A  
R
R
1.0  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
I
F
– Forward Current ( A )  
16440  
T – Junction Temperature ( °C )  
j
94 9544  
Figure 3. Reverse Current vs. Junction Temperature  
Figure 6. Typ. Reverse Recovery Time vs. Forward Current  
2000  
T
=125°C  
=50°C  
amb  
400  
V
R
= V  
RRM  
T
=100°C  
amb  
350  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
1600  
1200  
T
amb  
=75°C  
P –Limit  
R
@100%V  
R
T
amb  
T
=25°C  
amb  
800  
400  
0
P –Limit  
R
@80%V  
R
I =0.5A, i =0.125A  
R
R
0
1.0  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
I
F
– Forward Current ( A )  
16441  
T – Junction Temperature ( °C )  
j
94 9338  
Figure 4. Max. Reverse Power Dissipation vs. Junction  
Temperature  
Figure 7. Typ. Reverse Recovery Charge vs. Forward Current  
30  
f=1MHz  
25  
20  
15  
10  
5
0
0.1  
1.0  
V – Reverse Voltage ( V )  
R
10.0  
100.0  
16442  
Figure 5. Diode Capacitance vs. Reverse Voltage  
Document Number 86008  
Rev. 1.5, 09-Oct-00  
www.vishay.com  
3
BYG10  
Vishay Semiconductors  
VISHAY  
1000  
125K/W DC  
100  
t /T=0.5  
p
t /T=0.2  
p
t /T=0.1  
p
10  
1
t /T=0.05  
p
t /T=0.02  
p
Single Pulse  
t /T=0.01  
p
–5  
–4  
–3  
–2  
–1  
0
1
2
10  
10  
10  
10  
10  
– Pulse Length ( s )  
10  
10  
10  
t
p
94 9339  
Figure 8. Thermal Response  
Package Dimensions in mm  
5.3 +0.2 / -0.4  
4.4 +0.1 / -0.2  
ISO Method E  
technical drawings  
according to DIN  
specifications  
0.1 0.07  
3 +0.3 / -0.5  
Plastic case JEDEC DO 214  
similar to SMA  
Cathode indicated by a band  
14275-1  
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4
Document Number 86008  
Rev. 1.5, 09-Oct-00  
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Vishay  
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Document Number: 91000  
Revision: 08-Apr-05  
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1
配单直通车
BYG10D-E3产品参数
型号:BYG10D-E3
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:VISHAY SEMICONDUCTORS
零件包装代码:DO-214AC
包装说明:R-PDSO-C2
针数:2
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.6
其他特性:HIGH SURGE CAPABILITY
应用:GENERAL PURPOSE
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-214AC
JESD-30 代码:R-PDSO-C2
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:30 A
元件数量:1
相数:1
端子数量:2
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:1.5 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:200 V
最大反向恢复时间:4 µs
表面贴装:YES
技术:AVALANCHE
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:C BEND
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
Base Number Matches:1
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