ZVNL120GTC原理图各脚功能电路原理芯片引脚定义引脚图及功能-中国IC网-芯三七

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N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ZVNL120A

ISSUE 2 – MARCH 94

FEATURES

200 Volt V_DS

R_DS(on)=10Ω

Low threshold

APPLICATIONS

Telephone handsets

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

S YMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Dra in -S o u rce Vo lta g e

200

180

Co n tin u o u s Drain Cu rren t at T_{a m b}=25°C

Pu ls ed Dra in Cu rre n t

I_D

m A

I_DM

Ga te S o u rce Vo lta g e

V_GS

± 20

Po w er Dis s ip a tio n a t T_{a m b}=25°C

Op e ratin g a n d S to ra g e Te m p e ratu re Ra n g e

P_{to t}

700

m W

°C

T_j:T_{s tg}

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherw ise stated).

am b

PARAMETER

S YMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS .

Dra in -S o u rce Bre a kd o w n

Vo lta g e

BV_{DS S}

200

I_D=1m A, V_GS=0V

Ga te-S o u rce Th re s h o ld

Vo lta g e

V_{GS (th )}

0.5

1.5

ID=1m A, V_DS= V_GS

Ga te-Bo d y Lea ka g e

I_{GS S}

I_{DS S}

100

n A

_GS=± 20V, V_DS=0V

Ze ro Ga te Vo lta g e Dra in

Cu rre n t

100

V_DS=200 V, V_GS=0

V_DS=160 V, V_GS=0V, T=125°C(2)

µA

On -S ta te Dra in Cu rre n t(1)

I_{D(o n )}

500

200

m A

V_DS=25 V, V_GS=5V

V_GS=5V,I_D=250m A

S tatic Drain -S o u rce On -S ta te

Res ista n ce (1)

R_{DS (o n )}

Ω

V_GS=3V, I_D=125m A

Fo rw a rd Tra n s co n d u ctan ce

(1)(2)

g _fs

m S

V_DS=25V,I_D=250m A

In p u t Ca p a cita n ce (2)

C_{is s}

p F

Co m m o n S o u rce Ou tp u t

Cap acita n ce (2)

C_{o s s}

V_DS=25 V, V_GS=0V, f=1MHz

Reve rs e Tra n s fe r Cap acita n ce C_{rs s}

(2)

p F

Tu rn -On De la y Tim e (2)(3)

Ris e Tim e (2)(3)

t_{d (o n )}

n s

t_r

V_DD≈25V, I_D=250m A

Tu rn -Off De la y Tim e (2)(3)

Fa ll Tim e (2)(3)

t_{d (o ff)}

t_f

(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2% (2) Sam ple test.

(3) Switching tim es m easured with 50Ω source im pedance and <5ns rise tim e on a pulse generator

3-401

ZVNL120A

TYPICAL CHARACTERISTICS

VGS=

10V

1.6

1.4

1.2

10V

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

1.0

0.8

0.6

0.4

10 15 20 25 30 35 40 45 50

0.2

VDS - Drain Source Voltage (Volts)

Output Characteristics

Saturation Characteristics

VDS=

40V

1.6

1.4

500

400

300

200

20V

10V

1.2

1.0

VDS=25V

0.8

0.6

0.4

0.2

100

VGS-Gate Source Voltage (Volts)

V^GS-Gate Source Voltage (Volts)

Transconductance v gate-source voltage

Transfer Characteristics

500

100

400

300

VDS=25V

Ciss

200

100

Coss

Crss

0.4

1.4

1.6 1.8 2.0

0.2

0.6 0.8 1.0 1.2

VDS-Drain Source Voltage (Volts)

ID- Drain Current (Amps)

Capacitance v drain-source voltage

Transconductance v drain current

3-402

ZVNL120A

TYPICAL CHARACTERISTICS

VGS=2V

100

VDS=

50V

ID= 700m A

100V

150V

10V

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

2.4

1000

100

I^D-Drain Current (m A)

Q-Charge (nC)

Gate charge v gate-source voltage

On-resistance v drain current

100

2.4

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

VGS=5V

ID=250m A

VGS=3V

ID=

I^D=125m A

0.5A

0.1A

Drai

VGS=VDS

ID=1mA

0.4

-80 -60 -40 -20

20 40 60 80 100 120 140 160

V^GS-Gate Source Voltage (Volts)

Tj-Junction Temperature (C°)

Normalised R^DS(on)and V^GS(th)vs Temperature

On-resistance vs gate-source voltage

3-403

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ZVNL120GTC产品参数

型号:	ZVNL120GTC
是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active
IHS 制造商：	DIODES INC
零件包装代码：	SOT-223
包装说明：	SOT-223, 4 PIN
针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.11
外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (ID)：	0.32 A
最大漏源导通电阻：	10 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1
元件数量：	1
端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	2 A
认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

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