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P-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ISSUE 2 MARCH 94

ZVP0120A

FEATURES

200 Volt V_DS

R_DS(on)=32Ω

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Drain-Source Voltage

-200

-110

Continuous Drain Current at T_amb=25°C

Pulsed Drain Current

I_D

I_DM

-1

Gate Source Voltage

V_GS

± 20

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

P_tot

700

°C

T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS.

Drain-Source

Breakdown Voltage

BV_DSS

-200

I_D=-1mA, V_GS=0V

ID=-1mA, V_DS= V_GS

V_GS=± 20V, V_DS=0V

Gate-Source

Threshold Voltage

V_GS(th)

-1.5 -3.5

Gate-Body Leakage

I_GSS

I_DSS

Zero Gate Voltage

Drain Current

-10

-100

V_DS=-200 V, V_GS=0

V_DS=-160 V, V_GS=0V,

T=125°C(2)

µA

On-State Drain Current(1)

I_D(on)

-250

mA V_DS=-25 V, V_GS=-10V

Static Drain-Source On-State

Resistance (1)

R_DS(on)

V_GS=-10V,I_D=-125mA

Ω

Forward Transconductance

(1)(2)

g_fs

V_DS=-25V,I_D=-125mA

Input Capacitance (2)

C_iss

100 pF

Common Source Output

Capacitance (2)

C_oss

V_DS=-25 V, V_GS=0V, f=1MHz

Reverse Transfer Capacitance C_rss

(2)

Turn-On Delay Time (2)(3)

Rise Time (2)(3)

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

V_DD≈−25V, I_D=-125mA

Turn-Off Delay Time (2)(3)

Fall Time (2)(3)

(

)

3-406

Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2% (2) Sample test.

ZVP0120A

TYPICAL CHARACTERISTICS

GS=

VGS=

-0.7

-0.6

-0.5

-0.4

-10V

-8V

-10V

-8V

-7V

-6V

-7V

-0.3

-6V

-0.4

-5V

-0.2

-0.3

-0.2

-0.1

-4.5V

-4V

-5V

-0.1

-4.5V

-4V

-3.5V

-10 -20 -30 -40 -50 -60 -70 -80 -90 -100

-1 -2

-3

-4 -5 -6

-7 -8 -9 -10

VDS - Drain Source Voltage (Volts)

Output Characteristics

Saturation Characteristics

DS=

-0.7

-0.6

-0.5

-20

-18

-16

-14

-12

-10

-8

-25V

-0.4

-10V

-0.3

-0.2

-0.1

-300m A

-6

-200mA

-4

-100mA

-50m A

-2

-1 -2

-3

-4

-5 -6

-7 -8

-9 -10

-1 -2

-3

-4

-5 -6

-7 -8

-9 -10

VGS-Gate Source Voltage (Volts)

Transfer Characteristics

Voltage Saturation Characteristics

100

2.6

2.4

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

GS=-10V

D=-0.1A

-300m A

-200m A

-I00m A

-50m A

GS=

VDS

D=-1m A

0.6

-40

120

-20

20 40 60 80 100

140 160

180

-1

-2

-3

-4 -5 -6 -7 -8-9-10

-20

VGS-Gate Source Voltage (Volts)

Temperature (°C)

Normalised R^DS(on)and V^GS(th)vs Temperature

3-407

On-resistance vs gate-source voltage

ZVP0120A

TYPICAL CHARACTERISTICS

200

180

160

200

180

VDS=-25V

160

140

120

100

140

120

VDS=-25V

100

-0.1 -0.2

-0.3 -0.4 -0.5

-0.6

-0.7

-0.8

-1 -2

-3

-4 -5 -6

-7 -8 -9 -10

VGS-Gate Source Voltage (Volts)

ID- Drain Current (Amps)

Transconductance v drain current

Transconductance v gate-source voltage

110

ID=- 0.4A

100

-2

VDS=

-4

-6

-100V

-180V

-50V

iss

-8

-10

-12

-14

-16

Coss

Crss

-10

-20

-30

-40

-50

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4

Q-Charge (nC)

DS-Drain Source Voltage (Volts)

Capacitance v drain-source voltage

Gate charge v gate-source voltage

3-408

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ZVP0120A产品参数

型号:	ZVP0120A
是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred
IHS 制造商：	ZETEX PLC
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.07
配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.11 A
最大漏极电流 (ID)：	0.11 A
最大漏源导通电阻：	32 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	7 pF
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
JESD-609代码：	e0
元件数量：	1
端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.7 W
认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

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