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  • 北京元坤伟业科技有限公司

         该会员已使用本站17年以上

  • ZVP0545ASTOA
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  • ZVP0545ASTOA图
  • 深圳市和谐世家电子有限公司

     该会员已使用本站13年以上
  • ZVP0545ASTOA
  • 数量1580 
  • 厂家Diodes Incorporated 
  • 封装E-Line(TO-92 兼容) 
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  • 全新原装假一贴十!
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产品型号ZVP0545ASTOA的Datasheet PDF文件预览

P-CHANNEL ENHANCEMENT  
MODE VERTICAL DMOS FET  
ISSUE 2 – MARCH 94  
ZVP0545A  
FEATURES  
*
*
450 Volt VDS  
RDS(on)=150  
D
G
S
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VDS  
VALUE  
UNIT  
V
Drain-Source Voltage  
-450  
-45  
Continuous Drain Current at Tamb=25°C  
Pulsed Drain Current  
ID  
mA  
mA  
V
IDM  
-400  
Gate Source Voltage  
VGS  
± 20  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Ptot  
700  
mW  
°C  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
SYMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS.  
PARAMETER  
Drain-Source Breakdown  
Voltage  
BVDSS  
-450  
V
ID=-1mA, VGS=0V  
Gate-Source Threshold  
Voltage  
VGS(th)  
-1.5  
-4.5  
20  
V
ID=-1mA, VDS= VGS  
Gate-Body Leakage  
IGSS  
IDSS  
nA  
VGS=± 20V, VDS=0V  
Zero Gate Voltage Drain  
Current  
-20  
-2  
VDS=-450 V, VGS=0  
VDS=-360 V, VGS=0V,  
T=125°C(2)  
µA  
mA  
On-State Drain Current(1)  
ID(on)  
-100  
40  
mA  
VDS=-25 V, VGS=-10V  
VGS=-10V,ID=-50mA  
Static Drain-Source  
On-State Resistance (1)  
RDS(on)  
150  
Forward Transconductance  
(1)(2)  
gfs  
mS  
VDS=-25V,ID=-50mA  
Input Capacitance (2)  
Ciss  
120  
20  
pF  
pF  
Common Source Output  
Capacitance (2)  
Coss  
VDS=-25 V, VGS=0V, f=1MHz  
Reverse Transfer  
Capacitance (2)  
Crss  
5
pF  
Turn-On Delay Time (2)(3)  
Rise Time (2)(3)  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
10  
15  
15  
20  
ns  
ns  
ns  
ns  
VDD-25V, ID=-50mA  
Turn-Off Delay Time (2)(3)  
Fall Time (2)(3)  
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle 2%  
(2) Sample test.  
3-413  
(
3
配单直通车
ZVP0545ASTOA产品参数
型号:ZVP0545ASTOA
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:ZETEX PLC
包装说明:TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.07
配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:450 V
最大漏极电流 (ID):0.045 A
最大漏源导通电阻:150 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSIP-W3
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:200 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:P-CHANNEL
认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:WIRE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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