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    • ZVP0535A图

    • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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    • ZVP0535A
    • 数量12500 
    • 厂家ZETEX/DIO 
    • 封装TO92 
    • 批号2023+ 
    • 绝对原装全新正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
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    • 美驻深办0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:1002316308QQ:515102657
    • ZVP0535图

    • 北京中其伟业科技有限公司

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    • ZVP0535
    • 数量3895 
    • 厂家ZETEX 
    • 封装 
    • 批号16+ 
    • 特价,原装正品,绝对公司现货库存,原装特价!
    • QQ:2880824479QQ：2880824479 复制
    • 010-62104891 QQ:2880824479
    • ZVP0535A图

    • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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    • ZVP0535A
    • 数量24170 
    • 厂家ZETEX 
    • 封装TO-92S 
    • 批号17+ 
    • 原厂指定分销商，有意请来电或QQ洽谈
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      QQ:916896414QQ：916896414 复制
    • 0755-82772151 QQ:1091796029QQ:916896414
    • ZVP0535A图

    • 北京齐天芯科技有限公司

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    • ZVP0535A
    • 数量10000 
    • 厂家ZETEX/DIODES 
    • 封装TO92 
    • 批号2024+ 
    • 原装正品，假一罚十
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    • 010-62104931 QQ:2880824479QQ:1344056792
    • ZVP0535A图

    • 深圳市惊羽科技有限公司

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    • ZVP0535A
    • 数量78800 
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    • 批号▉▉：2年内 
    • ▉▉￥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
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    • ZVP0535A图

    • 深圳市福田区恒科电子商行

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    • ZVP0535A
    • 数量73829 
    • 厂家ZETEX 
    • 封装TO92 
    • 批号23+ 
    • 原装现货价钱优势实单可谈
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    • -0755-83981760 QQ:2885433641QQ:360990916
    • ZVP0535A图

    • 深圳市惊羽科技有限公司

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    • ZVP0535A
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    • 厂家ZETEX 
    • 封装TO-92-3 
    • 批号▉▉：2年内 
    • ▉▉￥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
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    • ZVP0535L图

    • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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    • ZVP0535L
    • 数量876500 
    • 厂家ZETEX 
    • 封装原厂封装 
    • 批号最新批号 
    • 一级代理,原装特价现货！
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    • 0755-83225692 QQ:2881475757
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    • 深圳市三得电子有限公司

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    • 深圳原装现货库存，欢迎咨询合作
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    • ZVP0535图

    • 上海熠富电子科技有限公司

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    • 数量35220 
    • 厂家ZETEX 
    • 封装 
    • 批号2024 
    • 上海原装现货库存，欢迎咨询
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    • ZVP0535图

    • 深圳市一线半导体有限公司

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    • ZVP0535
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    • 全新原装部分现货其他订货
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    • ZVP0535A图

    • 深圳市一线半导体有限公司

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    • ZVP0535A
    • 数量15000 
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    • ZVP0535N3图

    • 深圳市一线半导体有限公司

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    • ZVP0535N3
    • 数量15000 
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    • 全新原装部分现货其他订货
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    产品型号ZVP0535A的Datasheet PDF文件预览

    P-CHANNEL ENHANCEMENT  
    MODE VERTICAL DMOS FET  
    ISSUE 2 – MARCH 94  
    ZVP0535A  
    FEATURES  
    *
    *
    350 Volt VDS  
    RDS(on)=100Ω  
    D
    G
    S
    E-Line  
    TO92 Compatible  
    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
    PARAMETER  
    SYMBOL  
    VDS  
    VALUE  
    UNIT  
    V
    Drain-Source Voltage  
    -350  
    -50  
    Continuous Drain Current at Tamb=25°C  
    Pulsed Drain Current  
    ID  
    mA  
    mA  
    V
    IDM  
    -480  
    Gate Source Voltage  
    VGS  
    ± 20  
    Power Dissipation at Tamb=25°C  
    Operating and Storage Temperature Range  
    Ptot  
    700  
    mW  
    °C  
    Tj:Tstg  
    -55 to +150  
    ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
    = 25°C unless otherwise stated).  
    amb  
    SYMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS.  
    PARAMETER  
    Drain-Source  
    Breakdown Voltage  
    BVDSS  
    VGS(th)  
    -350  
    V
    V
    ID=-1mA, VGS=0V  
    ID=-1mA, VDS= VGS  
    VGS=± 20V, VDS=0V  
    Gate-Source  
    Threshold Voltage  
    -1.5 -4.5  
    Gate-Body Leakage  
    IGSS  
    IDSS  
    100 nA  
    Zero Gate Voltage  
    Drain Current  
    -20  
    -2  
    VDS=-350 V, VGS=0  
    VDS=-280 V, VGS=0V,  
    T=125°C(2)  
    µA  
    mA  
    On-State Drain Current(1)  
    ID(on)  
    -120  
    40  
    mA VDS=-25 V, VGS=-10V  
    Static Drain-Source On-State RDS(on)  
    Resistance (1)  
    100  
    VGS=-10V,ID=-50mA  
    Ω
    Forward Transconductance  
    (1)(2)  
    gfs  
    mS  
    VDS=-25V,ID=-50mA  
    Input Capacitance (2)  
    Ciss  
    120 pF  
    Common Source Output  
    Capacitance (2)  
    Coss  
    20  
    pF  
    VDS=-25 V, VGS=0V, f=1MHz  
    Reverse Transfer Capacitance Crss  
    (2)  
    5
    pF  
    Turn-On Delay Time (2)(3)  
    Rise Time (2)(3)  
    td(on)  
    tr  
    td(off)  
    tf  
    10  
    15  
    15  
    20  
    ns  
    ns  
    ns  
    ns  
    VDD≈-25V, ID=-50mA  
    Turn-Off Delay Time (2)(3)  
    Fall Time (2)(3)  
    (1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2%  
    3-409  
    (
    2
    ZVP0535A  
    TYPICAL CHARACTERISTICS  
    -700  
    -600  
    -500  
    -160  
    -140  
    VGS=  
    -10V  
    -8V  
    V
    GS=  
    -120  
    -100  
    -80  
    -10V  
    -6V  
    -8V  
    -5V  
    -400  
    -300  
    -200  
    -100  
    0
    -60  
    -40  
    -20  
    -6V  
    -4V  
    -5V  
    -4V  
    0
    0
    -20  
    -40  
    -60  
    -80  
    -100  
    0
    -2  
    -4  
    -6  
    -8  
    -10  
    VDS - Drain Source Voltage (Volts)  
    VDS - Drain Source Voltage (Volts)  
    Output Characteristics  
    Saturation Characteristics  
    -10  
    -140  
    -120  
    -100  
    -80  
    -60  
    -40  
    -20  
    0
    -8  
    -6  
    V
    DS=-10V  
    I
    D=  
    -4  
    -2  
    -75mA  
    -50m A  
    -25m A  
    0
    0
    -2  
    -4  
    -6  
    -8  
    -10  
    0
    -2  
    -4  
    -6  
    -8  
    -10  
    VGS-Gate Source Voltage (Volts)  
    VGS-Gate Source Voltage (Volts)  
    Transfer Characteristics  
    Voltage Saturation Characteristics  
    100  
    80  
    60  
    50  
    40  
    VDS=-10V  
    60  
    30  
    20  
    40  
    Ciss  
    20  
    0
    10  
    C
    C
    -100  
    oss  
    rss  
    -120  
    0
    -20  
    -40  
    -60  
    -80  
    -100  
    0
    -20  
    -40  
    -60  
    -80  
    VDS-Drain Source Voltage (Volts)  
    D
    I -Drain Current (m A)  
    Transconductance v drain current  
    Capacitance v drain-source voltage  
    3-410  
    ZVP0535A  
    TYPICAL CHARACTERISTICS  
    0
    60  
    50  
    -2  
    ID= -250mA  
    VDS=  
    VDS=-10V  
    -4  
    -6  
    -200V  
    -100V  
    -350V  
    40  
    30  
    -8  
    -10  
    20  
    10  
    -12  
    -14  
    -16  
    0
    0
    -1 -2  
    -3  
    -4 -5 -6  
    -7 -8 -9 -10  
    0.5  
    1.0  
    1.5  
    2.0  
    2.5  
    3.0  
    0
    VGS-Gate Source Voltage (Volts)  
    Q-Charge (nC)  
    Transconductance v gate-source voltage  
    Gate charge v gate-source voltage  
    2.4  
    1000  
    -5V  
    2.2  
    2.0  
    1.8  
    1.6  
    VGS=-4V  
    -6V  
    R
    e
    -8V  
    c
    n
    ta  
    s
    i
    VGS=-10V  
    ID=-50m A  
    s
    e
    e R  
    rc  
    u
    1.4  
    o
    -10V  
    100  
    S
    -
    n
    ai  
    1.2  
    1.0  
    0.8  
    0.6  
    0.4  
    Dr  
    VGS=VDS  
    ID=-1mA  
    -40  
    120  
    -20  
    0
    20 40 60 80 100  
    140 160 180  
    10  
    -1  
    -10  
    -100  
    -1000  
    ID-Drain Current (mA)  
    T-Temperature (°C)  
    On-resistance v Gate-Source Voltage  
    Normalised RDS(on) and VGS(th) vs Temperature  
    3-411  
    配单直通车
    ZVP0535A产品参数
    型号:ZVP0535A
    生命周期：Obsolete
    IHS 制造商：DIODES INC
    零件包装代码：TO-92
    包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
    针数：3
    Reach Compliance Code：unknown
    ECCN代码：EAR99
    HTS代码：8541.21.00.95
    风险等级：5.07
    Is Samacsys：N
    配置：SINGLE
    最小漏源击穿电压：350 V
    最大漏极电流 (ID)：0.05 A
    最大漏源导通电阻：100 Ω
    FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    最大反馈电容 (Crss)：5 pF
    JESD-30 代码：O-PBCY-W3
    元件数量：1
    端子数量：3
    工作模式：ENHANCEMENT MODE
    封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
    封装形状：ROUND
    封装形式：CYLINDRICAL
    极性/信道类型：P-CHANNEL
    认证状态：Not Qualified
    表面贴装：NO
    端子形式：WIRE
    端子位置：BOTTOM
    晶体管应用：SWITCHING
    晶体管元件材料：SILICON
    Base Number Matches：1
    •  
    • 供货商
    • 型号 *
    • 数量*
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