Gallium(I)oxide

Gallium(I)oxide
Algemeen
Molecuulformule
IUPAC-naam	Gallium(I)oxide
Andere namen	Galliumsuboxide; Digalliummonoxide
Molmassa	155,445 g/mol
SMILES	O([Ga])[Ga]
CAS-nummer	12024-20-3
PubChem	16702109
Wikidata	Q4332806
Beschrijving	Bruin poeder
Waarschuwingen en veiligheidsmaatregelen
VN-nummer	EJS6TG9SIN
Fysische eigenschappen
Dichtheid	4,77 g/cm³
Smeltpunt	(ontleed) >800 °C
Thermodynamische eigenschappen
ΔfHos	−356.2 kJ/mol
Tenzij anders vermeld zijn standaardomstandigheden gebruikt (298,15 K of 25 °C, 1 bar).
Portaal	Scheikunde

Gallium(I)oxide, ook bekend onder de namen galliumsuboxide en digalliummonoxide is een anorganische verbinding van gallium en zuurstof met de formule ${\ce {Ga2O}}$ .

Synthese

Gallium(I)oxide kan op verschillende manieren verkregen worden:

door gallium(III)oxide in vacuüm te verhitten met metallisch gallium:^[3]

{\ce {Ga2O3\ +\ 4Ga\longrightarrow \ 3Ga2O}}

door metallisch gallium in vacuüm bij 850 °C te laten reageren met koolstofdioxide:^[4]

{\ce {2Ga\ +\ CO2\ \longrightarrow \ Ga2O\ +\ CO}}

Gallium(I)oxide is een bijproduct in the productie van galliumarsenide-wafers:^[5]^[6]

{\ce {4Ga\ +\ SiO2\ \longrightarrow \ 2Ga2O\ +\ Si}}

Eigenschappen

Gallium(I)oxide is een bruin-zwart diamagnetische vaste stof, die in droge lucht bestand is tegen verdere oxidatie. Bij temperaturen boven de 500 °C gaat de stof ontleden. De ontledingssnelheid is afhankelijk van de atmosfeer (vacuüm, inert gas, lucht) waarin de reactie plaatsvindt.^[3]

Bronnen, noten en/of referenties

Dit artikel of een eerdere versie ervan is een (gedeeltelijke) vertaling van het artikel Gallium(I) oxide op de Engelstalige Wikipedia, dat onder de licentie Creative Commons Naamsvermelding/Gelijk delen valt. Zie de bewerkingsgeschiedenis aldaar.

↑ ^a ^b ^c ^d Haynes, William M., ed. (2011). CRC Handbook of Chemistry and Physics (92nd ed.). Boca Raton, FL: CRC Press. p. 4.64. ISBN 1-4398-5511-0.
↑ Haynes, William M., ed. (2011). CRC Handbook of Chemistry and Physics (92nd ed.). Boca Raton, FL: CRC Press. p. 4.133. ISBN 1-4398-5511-0.
↑ ^a ^b Brauer, Georg (1975). Handbuch der Präparativen Anorganischen Chemie, p. 857. ISBN 3-432-02328-6.
↑ Emeléus, H. J. and Sharpe, A. G. (1963). Advances in Inorganic Chemistry and Radiochemistry. Academic Press, p. 94. ISBN 008057854-3.
↑ Siffert, Paul and Krimmel, Eberhard (2004). Silicon: Evolution and Future of a Technology. Springer, p. 439. ISBN 354040546-1.
↑ Chou, L. -J (2007). Nanoscale One-dimensional Electronic and Photonic Devices (NODEPD). The Electrochemical Society, p. 47. ISBN 978-156677574-8.

[b92-1] Haynes, William M., ed. (2011). CRC Handbook of Chemistry and Physics (92nd ed.). Boca Raton, FL: CRC Press. p. 4.64. ISBN 1-4398-5511-0.

[b92t-2] Haynes, William M., ed. (2011). CRC Handbook of Chemistry and Physics (92nd ed.). Boca Raton, FL: CRC Press. p. 4.133. ISBN 1-4398-5511-0.

[brauer-3] Brauer, Georg (1975). Handbuch der Präparativen Anorganischen Chemie, p. 857. ISBN 3-432-02328-6.

[Sharp-4] Emeléus, H. J. and Sharpe, A. G. (1963). Advances in Inorganic Chemistry and Radiochemistry. Academic Press, p. 94. ISBN 008057854-3.

[5] Siffert, Paul and Krimmel, Eberhard (2004). Silicon: Evolution and Future of a Technology. Springer, p. 439. ISBN 354040546-1.

[6] Chou, L. -J (2007). Nanoscale One-dimensional Electronic and Photonic Devices (NODEPD). The Electrochemical Society, p. 47. ISBN 978-156677574-8.

[1]

[2]

[3]

[4]

[5]

[6]