基于Tsmc0.18μmCMOS工艺的全差分的共源共栅低噪声放大器设计
随着半导体技术和无线通讯技术的发展，无线移动产品已得到广泛使用。作为无线信息接收的最前端部件，低噪声放大器具有其特殊的地位和作用，其性能尤其是噪声系数几乎决定了...
设计应用 时间：2020/1/2 阅读：1357
Synopsys新思科技为ADAS设计推出支持TSMC 7nm工艺技术的汽车级IP
十余家ADAS设计和自动驾驶芯片公司已在FinFET工艺中采用DesignWare IP重点： · 基于7nm工艺技术的控制器和PHY IP具有丰富的产品组合，包括LPDDR4X、MIPI CSI-2、D-PHY、PCI Express 4.0以及安全IP。 · IP解决方案支持TSMC 7n...
新品速递 时间：2018/12/21 阅读：680
MentorGraphics公司宣布，基于台积电（TSMC）的SPICE模拟工具认证程序，AnalogFastSPICE（AFS）平台（包括AFSMega及Eldo）通过了16奈米FinFET+V0.9制程认证。V1.0的认证正进行中，将于2014
新品速递 时间：2014/10/13 阅读：1157
TSMC推出模组化BCD(Bipolar,CMOSDMOS)工艺，将可为客户生产高电压之整合LED驱动集成电路产品。此一新的BCD工艺特色在于提供12伏特至60伏特的工作电压范围，可支持多种LED的应用，包括：LCD平面显示器的背光源、LED显示器
新品速递 时间：2009/12/18 阅读：2685
ARM公司新近发布了其Artisan物理IP系列中的ARMVelocityDDR1和DDR2(1/2)存储器接口，支持TSMC的90纳米通用工艺。ARMVelocityDDR1/2存储器接口是第一个通过TSMCIP质量安全测试的90纳米、可即量产的
新品速递 时间：2007/12/3 阅读：1604
Cadence与台积电公司(TSMC)宣布，针对全新CadenceVirtuoso客制化设计平台，推出专属的台积电公司的90纳米RF工艺设计套件(PDK)。90纳米RF工艺设计套件是全系列支持最新Virtuoso设计平台的工艺设计套件之一；Virt
新品速递 时间：2007/11/30 阅读：1670
Predictions发力DUF工艺，校准良品率模型获TSMC导入
PredictionsSoftwareLtd.公司日前宣布，其DFM一体化支持(DUF)工艺即校准良品率模型将被台湾半导体制造公司TSMC导入。定义每片晶片总模子数GrossDiePerWafer(GDPW)的二个因子是每片晶片的芯片良品率和芯片数
新品速递 时间：2007/4/29 阅读：1313