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BCR185S	文件：43.94 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon Digital Transistor Array (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit) PNPSiliconDigitalTransistorArray •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Two(galvanic)internalisolatedTransistorsinonepackage •Builtinbiaseresistor(R1=10kΩ,R2=47kΩ)	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BCR185S	文件：497.52 Kbytes Page：10 Pages	PNP Silicon Digital Transistor PNPSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=10kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackag	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCR185S	文件：115.32 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon Digital Transistor Array PNPSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=10kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackag	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCR185S	文件：259.74 Kbytes Page：12 Pages	PNP Silicon Digital Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCR185S	文件：873.27 Kbytes Page：11 Pages	PNP Silicon Digital Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCR185T	文件：497.52 Kbytes Page：10 Pages	PNPSiliconDigitalTransistor PNPSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=10kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackag	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCR185U	文件：497.52 Kbytes Page：10 Pages	PNPSiliconDigitalTransistor PNPSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=10kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackag	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCR185U	文件：44.42 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconDigitalTransistorArray PNPSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=10kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackag	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCR185W	文件：34.81 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconDigitalTransistor(Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit) PNPSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=10kΩ,R2=47kΩ)	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BCR185W	文件：497.52 Kbytes Page：10 Pages	PNPSiliconDigitalTransistor PNPSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=10kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackag	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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BD185	文件：108.7 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICALDATA 4AMPEREPOWERTRANSISTORNPNSILICON30,45,60VOLTS40WATTS	Motorola Motorola, Inc	Motorola
BD185	文件：89.07 Kbytes Page：1 Pages	PLASTICMEDIUMPOWERSILICONNPNTRANSISTOR	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BF185	文件：127.97 Kbytes Page：1 Pages	GeneralPurposeDiodes GeneralPurposeDiodes	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BF185	文件：127.97 Kbytes Page：1 Pages	Electricalcharacterlitics GeneralPurposeDiodes	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BF185	文件：116.1 Kbytes Page：1 Pages	2.0mmPitchPinHeaderDualRow,SurfaceMount	GCT Global Connector Technology	GCT
BH185	文件：126.61 Kbytes Page：1 Pages	BATTERYHOLDERS&SNAPSAA,AAA,C,D&COINCELL	ADAM-TECHAdam Technologies, Inc. 亚当科技亚当科技股份有限公司	ADAM-TECH
C185	文件：171.46 Kbytes Page：2 Pages	SiliconControlledRectifier	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
C185A	文件：171.46 Kbytes Page：2 Pages	SiliconControlledRectifier	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

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晶体管资料

型号：
BCR185S
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+R
性质：
差分放大器射极输出（Dual）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
6
可代换的型号：
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-23
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0

详细参数

型号：
BCR185S
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
Transistor Array PNP/PNP 10K 47K SOT363

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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