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产品型号BCR198的概述

芯片BCR198的概述 BCR198是一款广泛应用于LED照明和电源管理的线性电流调节器。这种芯片主要用于驱动恒定电流负载，特别适合用于LED照明系统中。由于其优异的性能和较低的成本，BCR198逐渐成为市场上热门的选择之一。 BCR198以其高效的控制机制和简单的应用电路而受到关注。此外，BCR198能够提供稳定的输出电流，确保LED灯在各种条件下的亮度一致性。芯片BCR198的详细参数 BCR198的主要技术参数包括但不限于： - 电源电压范围：适用电压通常为3V至60V，确保其在多种应用环境下均能工作。 - 最大输出电流：通常约为1A，满足大多数中小功率LED的驱动需求。 - 电流精度：典型值为±5%，在不同温度和电源条件下保持较高的一致性。 - 效率：在适当的工作条件下，通常为85%至95%。这样高的效率降低了发热，增强了系统的稳定性。 - 工作温度范围：-40°C至+125...

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BCR 198

PNP Silicon Digital Transistor

• Switching circuit, inverter, interface circuit,

driver circuit

Ω

• Built in bias resistor (R =47k , R =47k )

Type

Marking Ordering Code

WRs Q62702-C2266

Pin Configuration

Package

BCR 198

1=B

2=E

3=C

SOT-23

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Input on Voltage

CEO

CBO

EBO

i(on)

DC collector current

°C

Total power dissipation, T = 102°C

200

tot

Junction temperature

Storage temperature

150

- 65 ... + 150

stg

Thermal Resistance

≤

Junction ambient

350

240

K/W

thJA

Junction - soldering point

thJS

1) Package mounted on pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 6cm²Cu

Semiconductor Group

Nov-27-1996

BCR 198

Electrical Characteristics at T =25°C, unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Values

typ.

Unit

min.

max.

DC Characteristics

Collector-emitter breakdown voltage

(BR)CEO

(BR)CBO

CBO

I = 100 µA, I = 0

Collector-base breakdown voltage

I = 10 µA, I = 0

Collector cutoff current

= 40 V, I = 0

µA

100

164

Emitter cutoff current

= 10 V, I = 0

EBO

DC current gain

I = 5 mA, V = 5 V

Collector-emitter saturation voltage 1)

I = 10 mA, I = 0.5 mA

CEsat

i(off)

0.3

1.5

Input off voltage

I = 100 µA, V = 5 V

0.8

Input on Voltage

I = 2 mA, V = 0.3 V

i(on)

Ω

Input resistor

Resistor ratio

0.9

1.1

R /R

AC Characteristics

Transition frequency

MHz

I = 10 mA, V = 5 V, f = 100 MHz

190

Collector-base capacitance

= 10 V, f = 1 MHz

1) Pulse test: t < 300 s; D < 2%

Semiconductor Group

Nov-27-1996

BCR 198

DC Current Gain h = f (I )

Collector-Emitter Saturation Voltage

V = f(I ), h = 20

CEsat

= 5V (common emitter configuration)

10 ²

10 ³

h_FE

I_C

10 ²

10 ¹

10 ⁰

10 ¹

10 ⁰

10 ^-1

10 ⁰

10 ¹

I_C

0.0

0.2

0.4

0.6

1.0

V_CEsat

Input on Voltage V

= f(I )

Input off voltage V = f(I )

i(off) C

i(on)

= 0.3V (common emitter configuration)

= 5V (common emitter configuration)

10 ¹

10 ²

I_C

10 ⁰

10 ^-1

10 ^-2

10 ^-3

10 ¹

10 ⁰

10 ^-1

10 ⁰

10 ¹

V_i(on)

V_i(off)

Semiconductor Group

Nov-27-1996

BCR 198

Total power dissipation P = f (T *;T )

tot

* Package mounted on epoxy

300

P_tot

200

T_S

T_A

150

100

100 120 °C 150

T_A,T_S

Permissible Pulse Load R

= f(t )

Permissible Pulse Load P

/ P = f(t )

totDC p

thJS

totmax

10 ³

K/W

10 ³

R_thJS

10 ²

P_totmax/P_totDC

D = 0

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

10 ²

10 ¹

10 ⁰

10 ¹

0.2

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.005

D = 0

10 ⁰

10 ^-1

10 ^-6

10 ^-5

10 ^-4

10 ^-3

10 ^-2

10 ^-1s 10 ⁰

t_p

10 ^-6

10 ^-5

10 ^-4

10 ^-3

10 ^-2

10 ^-1s 10 ⁰

t_p

Semiconductor Group

Nov-27-1996

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BCR198产品参数

型号:	BCR198
生命周期：	Transferred
IHS 制造商：	SIEMENS A G
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.45
Is Samacsys：	N
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.07 A
集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	70
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1
端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	190 MHz
VCEsat-Max：	0.3 V
Base Number Matches：	1

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