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  • 深圳市恒达亿科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 厂家Infineon 
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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 厂家INFINEON 
  • 封装SOT23 
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  • 原装正品,假一罚十
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥0.9元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
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  • 深圳市福田区恒科电子商行

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  • 厂家NXP/恩智浦 
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  • 原装现货实单可谈样品可出
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  • 深圳市正信鑫科技有限公司

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  • 厂家INFINEON  
  • 封装原厂封装 
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  • 原装正品★真实库存★价格优势★欢迎来电洽谈
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 厂家INFINEON-英飞凌 
  • 封装SOT-23-3 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥2.6元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 厂家INFINEON 
  • 封装SOT-23 
  • 批号23+ 
  • 真实库存全新原装正品!代理此型号
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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 数量6450 
  • 厂家INF 
  • 封装NA/ 
  • 批号23+ 
  • 原装现货,当天可交货,原型号开票
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  • 深圳市恒达亿科技有限公司

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  • 厂家Infineon 
  • 封装SOT23 
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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 厂家INF 
  • 封装-3 
  • 批号2024+ 
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  • 深圳市积美福电子科技有限公司

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  • 数量1560 
  • 厂家INFINEON/英飞凌 
  • 封装NA 
  • 批号21+ 
  • 只做原装正品,深圳现货库存
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 厂家infineon 
  • 封装 
  • 批号23+ 
  • 全新原装正品现货热卖
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  • 深圳市赛尔通科技有限公司

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  • 厂家INF 
  • 封装SOT23 
  • 批号NEW(原装正品) 
  • █★全新原装现货 可开17%增值税票 量大价优
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  • 深圳市三得电子有限公司

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  • 数量91752 
  • 厂家INF 
  • 封装SOT23 
  • 批号2024 
  • 深圳原装现货库存,欢迎咨询合作
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  • 现代芯城(深圳)科技有限公司

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  • 数量69000 
  • 厂家一级代理 
  • 封装一级代理 
  • 批号一级代理 
  • 一级代理正品采购
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  • 深圳市英德州科技有限公司

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  • 数量22500 
  • 厂家Infineon(英飞凌) 
  • 封装 
  • 批号2年内 
  • 全新原装 货源稳定 长期供应 提供配单
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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • BCR555
  • 数量85000 
  • 厂家INF 
  • 封装18+ 
  • 批号23+ 
  • 真实库存全新原装正品!代理此型号
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • BCR555E6327
  • 数量11631 
  • 厂家INFINDEON 
  • 封装SOT-23 
  • 批号23+ 
  • 全新原装正品现货热卖
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  • 深圳市正纳电子有限公司

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  • 数量26700 
  • 厂家Infineon(英飞凌) 
  • 封装▊原厂封装▊ 
  • 批号▊ROHS环保▊ 
  • 十年以上分销商原装进口件服务型企业0755-83790645
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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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  • 厂家INFINEON 
  • 封装原厂指定分销商,有意请来电或QQ洽谈 
  • 批号17+ 
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  • 深圳市迈锐达科技有限公司

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  • 数量760500 
  • 厂家INF 
  • 封装 
  • 批号08+ 
  • 原装现货!冷门优势库存
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  • 深圳市昌和盛利电子有限公司

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  • 厂家INFINEON【原装正品专卖★价格最低】 
  • 封装SOT23 
  • 批号▊ NEW ▊ 
  • ◆★█【专注原装正品现货】★价格最低★!量大可定!欢迎惠顾!(长期高价回收全新原装正品电子元器件)
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  • 深圳市芳益电子科技有限公司

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  • 厂家INFINEON 
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  • 原装现货大量库存 低价出售 欢迎加Q详谈
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  • 深圳市西源信息科技有限公司

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  • 数量8800 
  • 厂家INFINEON 
  • 封装11856 
  • 批号最新批号 
  • 原装现货零成本有接受价格就出
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  • 深圳市卓越微芯电子有限公司

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  • 封装SOT23 
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  • 百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可开13%增值税发票,支持样品,欢迎来电咨询!
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  • 上海金庆电子技术有限公司

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  • 厂家infineon 
  • 封装SOT-23 
  • 批号新 
  • 全新原装 货期两周
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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 数量488 
  • 厂家INFINEON 
  • 封装SOT-23 
  • 批号22+ 
  • 新到现货、一手货源、当天发货、bom配单
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  • 深圳市鹏睿康科技有限公司

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  • 数量54000 
  • 厂家Infineon 
  • 封装只做原装 
  • 批号23+ 
  • 原装现货假一赔万,原包原标,支持实单
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 数量6500000 
  • 厂家Infineon 
  • 封装原厂原装 
  • 批号22+ 
  • 万三科技 秉承原装 实单可议
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  • 0755-21008751 QQ:3008961396

产品型号BCR555的概述

芯片BCR555的全面解析 概述 BCR555 是一款广泛应用于定时器、电压控制与信号调制等多种功能的集成电路(IC)。该芯片的设计灵活,使其在各类电子项目中具有较高的适用性。BCR555的引入极大地简化了复杂电子电路的设计,尤其是在时间控制和脉冲产生方面的应用。 详细参数 BCR555 芯片的技术参数可以从多个方面进行分析,包括电气特性、性能限制、工作条件等。以下是一些关键技术参数: - 工作电压:4.5V 至 15V,适合绝大多数低功耗应用。 - 功耗:在常规工作模式下,功耗低至几个毫瓦,具备良好的节能性质。 - 工作温度范围:-40°C 至 125°C,适应各种工作环境。 - 输出电流:最大输出电流通常为200mA,适应多种负载。 - 频率范围:常规频率范围为0.1Hz到100kHz,可通过外部元件调整。 除此之外,BCR555 还支持单稳态和双稳态模式,使得用户在设计电路时拥...

产品型号BCR555的Datasheet PDF文件预览

BCR 555  
PNP Silicon Digital Transistor  
• Switching circuit, inverter, interface circuit,  
driver circuit  
• Built in resistor (R = 2.2k , R = 10k )  
1
2
Type  
Marking Ordering Code  
XDs Q62702-C2383  
Pin Configuration  
Package  
BCR 555  
1=B  
2=E  
3=C  
SOT-23  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Input on Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
V
i(on)  
50  
V
50  
5
12  
DC collector current  
I
500  
mA  
mW  
°C  
C
Total power dissipation, T = 79 °C  
P
330  
S
tot  
j
Junction temperature  
Storage temperature  
T
T
150  
- 65 ... + 150  
stg  
Thermal Resistance  
1)  
Junction ambient  
R
R
325  
215  
K/W  
thJA  
Junction - soldering point  
thJS  
1) Package mounted on pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 6cm2 Cu  
Semiconductor Group  
1
Nov-27-1996  
BCR 555  
Electrical Characteristics at T =25°C, unless otherwise specified  
A
Parameter  
Symbol  
Values  
typ.  
Unit  
min.  
max.  
DC Characteristics  
Collector-emitter breakdown voltage  
V
V
V
(BR)CEO  
(BR)CBO  
CBO  
I = 100 µA, I = 0  
50  
50  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
C
B
Collector-base breakdown voltage  
I = 10 µA, I = 0  
-
C
B
Collector cutoff current  
= 40 V, I = 0  
I
I
nA  
mA  
-
V
CB  
100  
0.65  
-
E
Emitter cutoff current  
= 5 V, I = 0  
EBO  
V
EB  
-
C
DC current gain  
I = 50 mA, V = 5 V  
h
FE  
70  
-
C
CE  
Collector-emitter saturation voltage 1)  
I = 50 mA, I = 2.5 mA  
V
V
V
V
CEsat  
i(off)  
0.3  
1
C
B
Input off voltage  
I = 100 µA, V = 5 V  
0.4  
C
CE  
Input on Voltage  
i(on)  
I = 10 mA, V = 0.3 V  
0.5  
-
1.4  
C
CE  
Input resistor  
R
1.5  
2.2  
0.22  
2.9  
k
-
1
Resistor ratio  
R /R  
1
0.19  
0.24  
2
AC Characteristics  
Transition frequency  
f
MHz  
T
I = 50 mA, V = 5 V, f = 100 MHz  
-
150  
-
C
CE  
µ
1) Pulse test: t < 300 s; D < 2%  
Semiconductor Group  
2
Nov-27-1996  
BCR 555  
DC Current Gain h = f (I )  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
V = f(I ), h = 20  
CEsat  
FE  
C
V
CE  
= 5V (common emitter configuration)  
C
FE  
10 3  
10 3  
-
mA  
hFE  
IC  
10 2  
10 1  
10 0  
10 -1  
10 2  
10 1  
10 0  
0.0  
10 -1  
10 0  
10 1  
10 2  
mA  
IC  
0.2  
0.4  
0.6  
V
1.0  
VCEsat  
Input on Voltage V  
= f(I )  
Input off voltage V = f(I )  
i(off) C  
i(on)  
C
V
CE  
= 0.3V (common emitter configuration)  
V
CE  
= 5V (common emitter configuration)  
10 3  
mA  
10 1  
mA  
10 2  
10 1  
10 0  
10 -1  
10 -2  
IC  
IC  
10 0  
10 -1  
10 -2  
10 -1  
10 0  
10 1  
V
0.0  
0.5  
1.0  
V
2.0  
Vi(on)  
Vi(off)  
Semiconductor Group  
3
Nov-27-1996  
BCR 555  
Total power dissipation P = f (T *;T )  
tot  
A
S
* Package mounted on epoxy  
400  
mW  
Ptot  
TS  
300  
250  
200  
150  
100  
TA  
50  
0
0
20  
40  
60  
80  
100 120 °C 150  
TA,TS  
Permissible Pulse Load R  
= f(t )  
Permissible Pulse Load P  
/ P = f(t )  
totDC p  
thJS  
p
totmax  
10 3  
K/W  
10 4  
-
RthJS  
10 2  
Ptotmax/PtotDC  
10 3  
D = 0  
0.005  
0.01  
0.02  
0.05  
0.1  
10 1  
10 2  
10 1  
10 0  
0.2  
0.5  
0.5  
0.2  
0.1  
0.05  
0.02  
0.01  
0.005  
D = 0  
10 0  
10 -1  
10 -6  
10 -5  
10 -4  
10 -3  
10 -2  
10 -1 s 10 0  
tp  
10 -6  
10 -5  
10 -4  
10 -3  
10 -2  
10 -1 s 10 0  
tp  
Semiconductor Group  
4
Nov-27-1996  
配单直通车
BCR555产品参数
型号:BCR555
生命周期:Transferred
IHS 制造商:SIEMENS A G
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.5
Is Samacsys:N
其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.545
最大集电极电流 (IC):0.5 A
集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):70
JESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:PNP
功耗环境最大值:0.33 W
认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):150 MHz
VCEsat-Max:0.3 V
Base Number Matches:1
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