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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • BD7185GWL-E2
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产品型号BD719的Datasheet PDF文件预览

INCHANGE Semiconductor  
isc Product Specification  
isc Silicon NPN Power Transistor  
BD719  
DESCRIPTION  
·DC Current Gain-  
: hFE= 40@ IC= 0.5A  
·Collector-Emitter Breakdown Voltage -  
: V(BR)CEO= 60V(Min)  
·Complement to type BD720  
APPLICATIONS  
·Designed for use in audio output and general purpose  
amplifier applications.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
PARAMETER  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
VALUE  
UNIT  
V
60  
60  
V
5
V
Collector Current-Continuous  
Collector Current-Peak  
Base Current-Continuous  
4
A
ICM  
7
1
A
IB  
A
Collector Power Dissipation  
@ TC=25℃  
PC  
30  
W
TJ  
Junction Temperature  
150  
Storage Temperature Range  
-65~150  
Tstg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX  
UNIT  
Thermal Resistance,Junction to Case  
Thermal Resistance,Junction to Ambient  
3.5  
/W  
/W  
Rth j-c  
100  
Rth j-a  
isc Websitewww.iscsemi.cn  
INCHANGE Semiconductor  
isc Product Specification  
isc Silicon NPN Power Transistor  
BD719  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
TC=25unless otherwise specified  
SYMBOL  
V(BR)CEO  
VCE(  
PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN  
TYP.  
MAX UNIT  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
IC= 30mA ; IB= 0  
60  
V
IC= 2A; IB= 0.2A  
IC= 2A; VCE= 4V  
VCB= 60V; IE= 0  
1.0  
1.4  
50  
1
V
)
sat  
V
VBE(  
)
on  
μA  
mA  
mA  
mA  
ICBO  
Collector Cutoff Current  
VCB= 30V; IE= 0; TC= 150℃  
VCE= 30V; IB= 0  
ICEO  
IEBO  
hFE-1  
hFE-2  
fT  
Collector Cutoff Current  
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
0.1  
0.2  
VEB= 5V; IC= 0  
IC= 0.5A; VCE= 4V  
IC= 2A; VCE= 4V  
IC= 0.5A; VCE= 4V  
40  
20  
3
DC Current Gain  
Current-Gain—Bandwidth Product  
MHz  
Switching Times  
Turn-On time  
0.3  
1.5  
μs  
μs  
ton  
IC= 1A; IB1= -IB2= 0.1A;VCC= 20V  
Turn-Off time  
toff  
2
isc Websitewww.iscsemi.cn  
配单直通车
BD7411G产品参数
型号:BD7411G
是否无铅:不含铅
是否Rohs认证:符合
生命周期:Active
IHS 制造商:ROHM CO LTD
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.75
Is Samacsys:N
其他特性:SEATED HEIGHT-MAX
主体宽度:1.6 mm
主体高度:1.25 mm
主体长度或直径:2.9 mm
滞后:0.4 mT
JESD-609代码:e2
最大磁场范围:5.6 mT
最小磁场范围:1.5 mT
安装特点:SURFACE MOUNT
最大工作电流:4 mA
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
输出范围:0.40-4.60V
输出类型:VOLTAGE OUTPUT
封装形状/形式:RECTANGULAR
传感器/换能器类型:MAGNETIC FIELD SENSOR,HALL EFFECT
最大供电电压:5.5 V
最小供电电压:4.5 V
表面贴装:YES
端子面层:Tin/Copper (Sn/Cu)
端接类型:SOLDER
Base Number Matches:1
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