BD7211MUV-P应用文章市场行情现货热卖使用介绍供应商报价-中国IC网-芯三七

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深圳市芯福林电子有限公司
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柒号芯城电子商务（深圳）有限公司
BD7211MUV-P
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北京元坤伟业科技有限公司
BD7211MUV-P
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深圳市中利达电子科技有限公司
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首天国际（深圳）科技有限公司
BD7211MUV-P
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深圳市楷兴电子科技有限公司
BD7211MUV-P

数量98800
厂家ROHM/??
封装QFN
批号21+
????
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
BD7211MUV-P

数量35500
厂家ROHM
封装QFN
批号2023+
原装无铅现货
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0755-22669259

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INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistor

BD722

DESCRIPTION

·DC Current Gain-

: h_FE= 40@ I_C= -0.5A

·Collector-Emitter Breakdown Voltage -

: V_(BR)CEO= -80V(Min)

·Complement to type BD721

APPLICATIONS

·Designed for use in audio output and general purpose

amplifier applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

-80

-5

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

-4

I_CM

-7

I_B

-1

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

-65~150

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

Thermal Resistance,Junction to Ambient

3.5

℃/W

R_{th j-c}

100

R_{th j-a}

isc Website：www.iscsemi.cn

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistor

BD722

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

T_C=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

V_(BR)CEO

V_CE(

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX UNIT

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter On Voltage

I_C= -30mA ; I_B= 0

-80

I_C= -2A; I_B= -0.2A

I_C= -2A; V_CE= -4V

V_CB= -80V; I_E= 0

-1.0

-1.4

-50

-1

)

sat

V_BE(

)

μA

I_CBO

Collector Cutoff Current

V_CB= -40V; I_E= 0; T_C= 150℃

V_CE= -40V; I_B= 0

I_CEO

I_EBO

h_FE-1

h_FE-2

f_T

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

-0.1

-0.2

V_EB= -5V; I_C= 0

I_C= -0.5A; V_CE= -4V

I_C= -2A; V_CE= -4V

I_C= -0.5A; V_CE= -4V

DC Current Gain

Current-Gain—Bandwidth Product

MHz

Switching Times

Turn-On time

0.1

0.4

μs

t_on

I_C= -1A; I_B1= -I_B2= -0.1A;

V_CC= -20V

Turn-Off time

t_off

isc Website：www.iscsemi.cn

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BD7411G产品参数

型号:	BD7411G
是否无铅：	不含铅
是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active
IHS 制造商：	ROHM CO LTD
Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75
Is Samacsys：	N
其他特性：	SEATED HEIGHT-MAX
主体宽度：	1.6 mm
主体高度：	1.25 mm
主体长度或直径：	2.9 mm
滞后：	0.4 mT
JESD-609代码：	e2
最大磁场范围：	5.6 mT
最小磁场范围：	1.5 mT
安装特点：	SURFACE MOUNT
最大工作电流：	4 mA
最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C
输出范围：	0.40-4.60V
输出类型：	VOLTAGE OUTPUT
封装形状/形式：	RECTANGULAR
传感器/换能器类型：	MAGNETIC FIELD SENSOR,HALL EFFECT
最大供电电压：	5.5 V
最小供电电压：	4.5 V
表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Copper (Sn/Cu)
端接类型：	SOLDER
Base Number Matches：	1

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