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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • ▉▉¥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
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  • 深圳市雅维特电子有限公司

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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 深圳市华来深电子有限公司

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  • 深圳市勤思达科技有限公司

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  • 厂家PHILIPS 
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  • 上海振基实业有限公司

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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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产品型号BU4522AX的概述

芯片BU4522AX的概述 BU4522AX是一款集成电路芯片,广泛应用于电子产品的电源管理领域。作为一个高性能的稳压器,BU4522AX具有优良的电压稳定性、低功耗和高效率等特性,使其成为现代电子设备设计中的重要组件。其主要功能是将输入电源转换为稳定的输出电压,以满足各种数字、模拟设备的需求,特别是在对于电压波动敏感的应用场景中尤为重要。 BU4522AX通常用于对电源管理要求较高的设备,如无线通信设备、数码相机、手持终端等。通过使用BU4522AX,设计师能够有效解决电源噪声问题,提升设备的稳定性和可靠性。此外,BU4522AX还具备过流、过温等保护机制,从而在严苛环境下继续安全工作。 芯片BU4522AX的详细参数 BU4522AX的主要技术参数包括: - 输入电压范围:通常为2.7V至20V,支持宽范围的电源输入。 - 输出电压:可调节,通常在1.2V至15V之间,满足多种需求...

产品型号BU4522AX的Datasheet PDF文件预览

Philips Semiconductors  
Product specification  
Silicon Diffused Power Transistor  
BU4522AX  
GENERAL DESCRIPTION  
New generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic full-pack envelope intended for use in  
horizontal deflection circuits of colour TV receivers and PC monitors.  
QUICK REFERENCE DATA  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP. MAX. UNIT  
VCESM  
VCEO  
IC  
Collector-emitter voltage peak value  
VBE = 0 V  
-
1500  
800  
10  
V
V
Collector-emitter voltage (open base)  
Collector current (DC)  
-
-
A
ICM  
Collector current peak value  
Total power dissipation  
Collector-emitter saturation voltage  
Collector saturation current (Fig 17)  
-
-
25  
A
Ptot  
VCEsat  
ICsat  
Ths 25 ˚C  
45  
W
V
IC = 7 A; IB = 1.75 A  
f = 16 kHz  
-
3.0  
-
7
A
A
f = 64 kHz  
6
-
tf  
Fall time  
ICsat = 7 A; f = 16 kHz  
ICsat = 6 A; f = 64 kHz  
285  
170  
400  
230  
ns  
ns  
PINNING - SOT399  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
case  
c
base  
2
collector  
emitter  
b
3
case isolated  
1
2 3  
e
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. MAX. UNIT  
VCESM  
VCEO  
IC  
Collector-emitter voltage peak value  
VBE = 0 V  
-
1500  
800  
10  
25  
6
V
V
Collector-emitter voltage (open base)  
Collector current (DC)  
-
-
A
ICM  
IB  
Collector current peak value  
Base current (DC)  
-
A
-
A
IBM  
Base current peak value  
Reverse base current peak value 1  
Total power dissipation  
-
9
A
-IBM  
Ptot  
Tstg  
Tj  
-
-
6
A
Ths 25 ˚C  
45  
150  
150  
W
˚C  
˚C  
Storage temperature  
Junction temperature  
-55  
-
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP. MAX. UNIT  
Rth j-hs  
Rth j-a  
Junction to heatsink  
Junction to ambient  
with heatsink compound  
in free air  
-
2.8  
-
K/W  
K/W  
35  
1 Turn-off current.  
December 1997  
1
Rev 1.000  
Philips Semiconductors  
Product specification  
Silicon Diffused Power Transistor  
BU4522AX  
ISOLATION LIMITING VALUE & CHARACTERISTIC  
Ths = 25 ˚C unless otherwise specified  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. TYP. MAX. UNIT  
Visol  
Cisol  
Repetitive peak voltage from all R.H. 65 % ; clean and dustfree  
-
-
2500  
V
three terminals to external  
heatsink  
Capacitance from T2 to external f = 1 MHz  
heatsink  
-
22  
-
pF  
STATIC CHARACTERISTICS  
Ths = 25 ˚C unless otherwise specified  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. TYP. MAX. UNIT  
ICES  
ICES  
Collector cut-off current 2  
VBE = 0 V; VCE = VCESMmax  
VBE = 0 V; VCE = VCESMmax  
Tj = 125 ˚C  
-
-
-
-
1.0  
2.0  
mA  
mA  
;
IEBO  
BVEBO  
VCEOsust  
Emitter cut-off current  
Emitter-base breakdown voltage  
VEB = 7.5 V; IC = 0 A  
IB = 1 mA  
-
-
13.5  
-
1.0  
-
-
mA  
V
V
7.5  
800  
Collector-emitter sustaining voltage IB = 0 A; IC = 100 mA;  
L = 25 mH  
VCEsat  
VBEsat  
hFE  
Collector-emitter saturation voltage IC = 7 A; IB = 1.75 A  
-
0.85  
-
-
3.0  
1.03  
-
V
V
Base-emitter saturation voltage  
DC current gain  
IC = 7 A; IB = 1.75 A  
IC = 1 A; VCE = 5 V  
IC = 7 A; VCE = 5 V  
0.94  
10  
hFE  
4.2  
5.8  
7.3  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Ths = 25 ˚C unless otherwise specified  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP. MAX. UNIT  
Switching times (16 kHz line  
deflection circuit)  
Turn-off storage time  
Turn-off fall time  
f = 16 kHz; ICsat = 7 A; IB1 = 1.4 A;  
(IB2 = -3.5 A)  
ts  
tf  
3.5  
285  
4.3  
400  
µs  
ns  
Switching times (64 kHz line  
deflection circuit)  
Turn-off storage time  
Turn-off fall time  
f = 64 kHz; ICsat = 6 A; IB1 = 1.2 A;  
(IB2 = -3.6 A)  
ts  
tf  
2.3  
170  
2.7  
230  
µs  
ns  
2 Measured with half sine-wave voltage (curve tracer).  
December 1997  
2
Rev 1.000  
Philips Semiconductors  
Product specification  
Silicon Diffused Power Transistor  
BU4522AX  
ICsat  
TRANSISTOR  
DIODE  
+ 50v  
I
I
C
B
100-200R  
t
IB1  
Horizontal  
t
Oscilloscope  
IB2  
5 us  
6.5 us  
16 us  
Vertical  
1R  
100R  
V
CE  
6V  
30-60 Hz  
t
Fig.1. Test circuit for VCEOsust  
.
Fig.4. Switching times waveforms (64 kHz).  
IC / mA  
ICsat  
90 %  
IC  
250  
200  
10 %  
tf  
t
ts  
IB  
IB1  
100  
0
t
min  
VCE / V  
VCEOsust  
- IB2  
Fig.2. Oscilloscope display for VCEOsust  
.
Fig.5. Switching times definitions.  
ICsat  
+ 150 v nominal  
adjust for ICsat  
TRANSISTOR  
IC  
IB  
DIODE  
t
t
Lc  
IB1  
20us  
26us  
64us  
IB2  
LB  
T.U.T.  
IBend  
-VBB  
Cfb  
VCE  
t
Fig.3. Switching times waveforms (16 kHz).  
Fig.6. Switching times test circuit.  
December 1997  
3
Rev 1.000  
Philips Semiconductors  
Product specification  
Silicon Diffused Power Transistor  
BU4522AX  
VBEsat \ V  
hFE  
1.3  
1.2  
1.1  
1
100  
10  
1
Ths = 25 C  
Ths = 85 C  
Ths = 25 C  
Ths = 85 C  
VCE = 1 V  
IC = 7 A  
0.9  
0.8  
0.7  
0.6  
IC = 6 A  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
IC / A  
0
1
2
3
4
IB / A  
Fig.7. High and low DC current gain.  
Fig.10. Typical base-emitter saturation voltage.  
ts/tf/ us  
5
4
3
2
1
0
100  
ICsat = 7 A  
Ths = 85 C  
Freq = 16 kHz  
Ths = 25 C  
Ths = 85 C  
VCE = 5 V  
10  
1
0
0.5  
1
1.5  
2
0.01  
0.1  
1
10  
100  
IC / A  
IBend / A  
Fig.8. High and low DC current gain.  
Fig.11. Typical collector storage and fall time.  
IC =7 A; Tj = 85˚C; f = 16kHz  
ts/tf/ us  
VCEsat (V)  
5
4
3
2
1
0
10  
1
ICsat = 6 A  
Ths = 85 C  
Freq = 64 kHz  
Ths = 25 C  
Ths = 85 C  
IC/IB = 5  
0.1  
0.01  
0
0.5  
1
1.5  
2
0.1  
1
10  
100  
IB / A  
IC / A  
Fig.9. Typical collector-emitter saturation voltage.  
Fig.12. Typical collector storage and fall time.  
IC = 6 A; Tj = 85˚C; f = 64 kHz  
December 1997  
4
Rev 1.000  
Philips Semiconductors  
Product specification  
Silicon Diffused Power Transistor  
BU4522AX  
Normalised Power Derating  
PD%  
120  
IC / A  
30  
20  
10  
0
with heatsink compound  
110  
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
0
20  
40  
60  
80  
Ths /  
100  
120  
140  
0
500  
1000  
1500  
C
VCE / V  
Fig.13. Normalised power dissipation.  
PD% = 100 PD/PD 25˚C  
Fig.16. Reverse bias safe operating area. Tj Tjmax  
Ic(sat) (A)  
10  
Zth / (K/W)  
10  
1
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0.5  
0.2  
0.1  
0.05  
0.1  
0.02  
t
p
t
p
P
0.01  
D
D =  
T
t
T
0
0.001  
1.0E-07  
1.0E-05  
1.0E-03  
1.0E-01  
1.0E-01  
0
20  
40  
60  
80  
100  
10  
30  
50  
70  
90  
t / s  
Horizontal frequency (kHz)  
Fig.14. Transient thermal impedance.  
Fig.17. ICsat during normal running vs. frequency of  
operation for optimum performance  
VCC  
LC  
VCL  
IBend  
-VBB  
LB  
CFB  
T.U.T.  
Fig.15. Test Circuit RBSOA.  
December 1997  
5
Rev 1.000  
Philips Semiconductors  
Product specification  
Silicon Diffused Power Transistor  
BU4522AX  
MECHANICAL DATA  
Dimensions in mm  
5.8 max  
3.0  
16.0 max  
Net Mass: 5.88 g  
0.7  
4.5  
3.3  
10.0  
27  
max  
25  
25.1  
25.7  
22.5  
max  
5.1  
2.2 max  
4.5  
18.1  
min  
1.1  
0.4 M  
2
3.3  
0.95 max  
5.45 5.45  
Fig.18. SOT399; The seating plane is electrically isolated from all terminals.  
Notes  
1. Refer to mounting instructions for F-pack envelopes.  
2. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".  
December 1997  
6
Rev 1.000  
Philips Semiconductors  
Product specification  
Silicon Diffused Power Transistor  
BU4522AX  
DEFINITIONS  
Data sheet status  
Objective specification  
This data sheet contains target or goal specifications for product development.  
Preliminary specification This data sheet contains preliminary data; supplementary data may be published later.  
Product specification  
This data sheet contains final product specifications.  
Limiting values  
Limiting values are given in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134). Stress above one  
or more of the limiting values may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only and  
operation of the device at these or at any other conditions above those given in the Characteristics sections of  
this specification is not implied. Exposure to limiting values for extended periods may affect device reliability.  
Application information  
Where application information is given, it is advisory and does not form part of the specification.  
Philips Electronics N.V. 1998  
All rights are reserved. Reproduction in whole or in part is prohibited without the prior written consent of the  
copyright owner.  
The information presented in this document does not form part of any quotation or contract, it is believed to be  
accurate and reliable and may be changed without notice. No liability will be accepted by the publisher for any  
consequence of its use. Publication thereof does not convey nor imply any license under patent or other  
industrial or intellectual property rights.  
LIFE SUPPORT APPLICATIONS  
These products are not designed for use in life support appliances, devices or systems where malfunction of these  
products can be reasonably expected to result in personal injury. Philips customers using or selling these products  
for use in such applications do so at their own risk and agree to fully indemnify Philips for any damages resulting  
from such improper use or sale.  
December 1997  
7
Rev 1.000  
配单直通车
BU4522AX产品参数
型号:BU4522AX
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.56
最大集电极电流 (IC):10 A
配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):4.2
JESD-609代码:e3
最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):45 W
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)
Base Number Matches:1
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