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    • ZVN4206NTC图

    • 深圳市惊羽科技有限公司

       该会员已使用本站11年以上
    • ZVN4206NTC
    • 数量78800 
    • 厂家DIODES-美台 
    • 封装SOT-223-8 
    • 批号▉▉：2年内 
    • ▉▉￥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
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    • 131-4700-5145---Q-微-恭-候---有-问-秒-回 QQ:43871025
    • ZVN4206NTC图

    • 深圳市华芯盛世科技有限公司

       该会员已使用本站13年以上
    • ZVN4206NTC
    • 数量865000 
    • 厂家Diodes 
    • 封装SOT223-8 
    • 批号最新批号 
    • 一级代理,原装特价现货！
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    • 0755-83225692 QQ:2881475757

    产品型号ZVN4206V的Datasheet PDF文件预览

    SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT  
    MODE VERTICAL DMOS FET  
    ZVN4206GV  
    ISSUE 3 - APRIL 1998  
    FEATURES  
    *
    *
    *
    *
    *
    60 Volt VDS  
    RDS(on)= 1Ω  
    Repetitive avalanche rating  
    No transient protection required  
    Characterised for 5V logic drive  
    D
    S
    D
    APPLICATIONS  
    G
    *
    *
    Automotive relay drivers  
    Stepper motor driver  
    PARTMARKING DETAIL -  
    ZVN4206V  
    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
    PARAMETER  
    SYMBOL  
    VDS  
    ID  
    VALUE  
    UNIT  
    V
    Drain-Source Voltage  
    60  
    1
    Continuous Drain Current at Tamb = 25°C  
    Pulsed Drain Current  
    A
    IDM  
    8
    A
    Gate-Source Voltage  
    VGS  
    Ptot  
    V
    ± 20  
    2
    Power Dissipation at Tamb = 25°C  
    W
    Continuous Body Diode Current at Tamb  
    25°C  
    =
    ISD  
    600  
    mA  
    Avalanche Current - Repetitive  
    IAR  
    600  
    15  
    mA  
    mJ  
    °C  
    Avalanche Energy - Repetitive  
    EAR  
    Operating and Storage Temperature Range  
    Tj:Tstg  
    -55 to +150  
    ZVN4206GV  
    ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
    = 25°C unless otherwise stated).  
    amb  
    PARAMETER  
    SYMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS.  
    Drain-Source Breakdown  
    Voltage  
    BVDSS  
    60  
    V
    ID=1mA, VGS=0V  
    Gate-Source Threshold  
    Voltage  
    VGS(th)  
    1.3  
    3
    V
    I =1mA, VDS= VGS  
    D
    Gate-Body Leakage  
    IGSS  
    IDSS  
    100  
    nA  
    V
    GS=± 20V, VDS=0V  
    Zero Gate Voltage Drain  
    Current  
    10  
    100  
    VDS=60V, VGS=0V  
    DS=48V, VGS=0V, T=125°C(2)  
    µA  
    µA  
    V
    On-State Drain Current (1)  
    ID(on)  
    3
    A
    VDS=25V, VGS=10V  
    VGS=10V, ID=1.5A  
    Static Drain-Source On-State  
    Resistance (1)  
    RDS(on)  
    1
    1.5  
    Ω
    Ω
    VGS=5V, ID=0.5A  
    Forward Transconductance  
    (1)(2)  
    gfs  
    300  
    mS  
    VDS=25V,ID=1.5A  
    Input Capacitance (2)  
    Ciss  
    100  
    60  
    pF  
    pF  
    Common Source Output  
    Capacitance (2)  
    Coss  
    VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz  
    Reverse Transfer Capacitance Crss  
    (2)  
    20  
    pF  
    Turn-On Delay Time (2)(3)  
    Rise Time (2)(3)  
    td(on)  
    tr  
    td(off)  
    tf  
    8
    ns  
    ns  
    ns  
    ns  
    12  
    12  
    15  
    V
    DD ≈25V, ID=1.5A, VGEN  
    =10V  
    Turn-Off Delay Time (2)(3)  
    Fall Time (2)(3)  
    (1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2%  
    (2) Sample test.  
    (3) Switching times measured with 50Ω source impedance and <5ns rise time on a pulse generator  
    ZVN4206GV  
    TYPICAL CHARACTERISTICS  
    10  
    8
    10  
    8
    V
    20V  
    16V  
    14V  
    12V  
    GS=  
    V
    GS=  
    20V  
    16V  
    14V  
    12V  
    6
    6
    10V  
    10V  
    9V  
    9V  
    8V  
    8V  
    4
    2
    4
    7V  
    7V  
    6V  
    5V  
    6V  
    2
    5V  
    4.5V  
    4.5V  
    4V  
    4V  
    0
    0
    3.5V  
    3.5V  
    2
    4
    6
    8
    10  
    0
    10  
    20  
    30  
    40  
    50  
    VDS - Drain Source Voltage (Volts)  
    VDS - Drain Source Voltage (Volts)  
    Output Characteristics  
    Saturation Characteristics  
    10  
    6
    4
    2
    0
    8
    6
    V
    DS=10V  
    4
    2
    I
    D=  
    3A  
    1.5A  
    0.5A  
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10  
    0
    2
    4
    6
    8
    10  
    VGS-Gate Source Voltage (Volts)  
    VGS-Gate Source Voltage (Volts)  
    Transfer Characteristics  
    Voltage Saturation Characteristics  
    4.5V  
    VGS=3.5V  
    8V 10V  
    6V  
    2.6  
    10  
    2.4  
    2.2  
    2.0  
    1.8  
    1.6  
    V
    GS=10V  
    ID=1.5A  
    14V  
    1.0  
    1.4  
    1.2  
    1.0  
    0.8  
    0.6  
    20V  
    V
    GS=  
    VDS  
    ID=1mA  
    0.1  
    -50  
    100  
    150  
    125 175 200 225  
    -25  
    0
    25 50 75  
    10  
    0.1  
    1.0  
    ID-Drain Current (Amps)  
    Tj-Junction Temperature (°C)  
    Normalised RDS(on) and VGS(th) v Temperature  
    On-resistance v drain current  
    ZVN4206GV  
    TYPICAL CHARACTERISTICS  
    1000  
    1000  
    900  
    800  
    900  
    800  
    700  
    600  
    700  
    600  
    VDS=10V  
    VDS=10V  
    500  
    500  
    400  
    300  
    400  
    300  
    200  
    100  
    200  
    100  
    0
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    8
    9
    10  
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    8
    9
    10  
    VGS-Gate Source Voltage (Volts)  
    ID- Drain Current (Amps)  
    Transconductance v drain current  
    Transconductance v gate-source voltage  
    VDS=  
    60V  
    40V  
    20V  
    16  
    14  
    200  
    ID=1.5A  
    160  
    120  
    12  
    10  
    8
    80  
    40  
    0
    6
    Ciss  
    4
    2
    0
    Coss  
    Crss  
    0
    10  
    20  
    30  
    40  
    50  
    60  
    70  
    80  
    0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0  
    Q-Charge (nC)  
    0
    VDS-Drain Source Voltage (Volts)  
    Capacitance v drain-source voltage  
    Gate charge v gate-source voltage  
    Tj - Junction Temperature (°C)  
    Tj - Junction Temperature (°C)  
    Maximum repetative avalanche energy  
    v Junction Temperature  
    Maximum repetative avalanche current  
    v Junction Temperature  
    配单直通车
    ZVN4206Z产品参数
    型号:ZVN4206Z
    是否Rohs认证： 符合
    生命周期：Obsolete
    包装说明：,
    Reach Compliance Code：unknown
    风险等级：5.84
    配置：Single
    最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.9 A
    FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    JESD-609代码：e3
    湿度敏感等级：1
    工作模式：ENHANCEMENT MODE
    最高工作温度：150 °C
    极性/信道类型：N-CHANNEL
    最大功率耗散 (Abs)：1.5 W
    子类别：FET General Purpose Power
    表面贴装：YES
    端子面层：Matte Tin (Sn)
    Base Number Matches：1
    •  
    • 供货商
    • 型号 *
    • 数量*
    • 厂商
    • 封装
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