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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 深圳市勤思达科技有限公司

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  • 全新现货可以开税票
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 数量48356 
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  • 封装09NOPB 
  • 批号2023+ 
  • 绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货
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  • 数量9868 
  • 厂家ZETEX 
  • 封装TO92 
  • 批号07+ 
  • 绝对原装现货特价
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  • 0755-82567800 QQ:405945546QQ:1439873477
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  • 首天国际(深圳)集团有限公司

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  • 数量10000 
  • 厂家ZETEX 
  • 封装标准封装 
  • 批号2024+ 
  • 百分百原装正品,现货库存
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  • 数量34931 
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  • 封装EP3SC 
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产品型号ZVP0120A的Datasheet PDF文件预览

P-CHANNEL ENHANCEMENT  
MODE VERTICAL DMOS FET  
ISSUE 2 – MARCH 94  
ZVP0120A  
FEATURES  
*
*
200 Volt VDS  
RDS(on)=32  
D
G
S
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VDS  
VALUE  
UNIT  
V
Drain-Source Voltage  
-200  
-110  
Continuous Drain Current at Tamb=25°C  
Pulsed Drain Current  
ID  
mA  
A
IDM  
-1  
Gate Source Voltage  
VGS  
V
± 20  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Ptot  
700  
mW  
°C  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS.  
Drain-Source  
Breakdown Voltage  
BVDSS  
-200  
V
ID=-1mA, VGS=0V  
ID=-1mA, VDS= VGS  
VGS=± 20V, VDS=0V  
Gate-Source  
Threshold Voltage  
VGS(th)  
-1.5 -3.5  
V
Gate-Body Leakage  
IGSS  
IDSS  
20  
nA  
Zero Gate Voltage  
Drain Current  
-10  
-100  
VDS=-200 V, VGS=0  
VDS=-160 V, VGS=0V,  
T=125°C(2)  
µA  
µA  
On-State Drain Current(1)  
ID(on)  
-250  
32  
mA VDS=-25 V, VGS=-10V  
Static Drain-Source On-State  
Resistance (1)  
RDS(on)  
VGS=-10V,ID=-125mA  
Forward Transconductance  
(1)(2)  
gfs  
50  
mS  
VDS=-25V,ID=-125mA  
Input Capacitance (2)  
Ciss  
100 pF  
Common Source Output  
Capacitance (2)  
Coss  
25  
pF  
VDS=-25 V, VGS=0V, f=1MHz  
Reverse Transfer Capacitance Crss  
(2)  
7
pF  
Turn-On Delay Time (2)(3)  
Rise Time (2)(3)  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
7
ns  
ns  
ns  
ns  
15  
12  
15  
VDD≈−25V, ID=-125mA  
Turn-Off Delay Time (2)(3)  
Fall Time (2)(3)  
(
1
)
3-406  
Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle 2% (2) Sample test.  
ZVP0120A  
TYPICAL CHARACTERISTICS  
V
GS=  
VGS=  
-0.7  
-0.6  
-0.5  
-0.4  
-10V  
-8V  
-10V  
-8V  
-7V  
-6V  
-7V  
-0.3  
-6V  
-0.4  
-5V  
-0.2  
-0.3  
-0.2  
-0.1  
0
-4.5V  
-4V  
-5V  
-0.1  
-4.5V  
-4V  
-3.5V  
-3.5V  
0
0
-10 -20 -30 -40 -50 -60 -70 -80 -90 -100  
0
-1 -2  
-3  
-4 -5 -6  
-7 -8 -9 -10  
VDS - Drain Source Voltage (Volts)  
VDS - Drain Source Voltage (Volts)  
Output Characteristics  
Saturation Characteristics  
V
DS=  
-0.7  
-0.6  
-0.5  
-20  
-18  
-16  
-14  
-12  
-10  
-8  
-25V  
-0.4  
-10V  
-0.3  
-0.2  
-0.1  
0
I
D=  
-300m A  
-6  
-200mA  
-4  
-100mA  
-50m A  
-2  
0
0
-1 -2  
-3  
-4  
-5 -6  
-7 -8  
-9 -10  
0
-1 -2  
-3  
-4  
-5 -6  
-7 -8  
-9 -10  
VGS-Gate Source Voltage (Volts)  
VGS-Gate Source Voltage (Volts)  
Transfer Characteristics  
Voltage Saturation Characteristics  
100  
50  
2.6  
2.4  
2.2  
2.0  
1.8  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
V
I
GS=-10V  
D=-0.1A  
I
D=  
-300m A  
-200m A  
-I00m A  
-50m A  
V
I
GS=  
VDS  
D=-1m A  
0.6  
10  
-40  
120  
-20  
0
20 40 60 80 100  
140 160  
180  
-1  
-2  
-3  
-4 -5 -6 -7 -8-9-10  
-20  
VGS-Gate Source Voltage (Volts)  
Temperature (°C)  
Normalised RDS(on) and VGS(th) vs Temperature  
3-407  
On-resistance vs gate-source voltage  
ZVP0120A  
TYPICAL CHARACTERISTICS  
200  
180  
160  
200  
180  
VDS=-25V  
160  
140  
120  
100  
140  
120  
VDS=-25V  
100  
80  
60  
40  
20  
80  
60  
40  
20  
0
0
0
-0.1 -0.2  
-0.3 -0.4 -0.5  
-0.6  
-0.7  
-0.8  
0
-1 -2  
-3  
-4 -5 -6  
-7 -8 -9 -10  
VGS-Gate Source Voltage (Volts)  
ID- Drain Current (Amps)  
Transconductance v drain current  
Transconductance v gate-source voltage  
0
110  
ID=- 0.4A  
100  
90  
-2  
VDS=  
-4  
-6  
80  
70  
60  
50  
-100V  
-180V  
-50V  
C
iss  
-8  
-10  
40  
30  
20  
-12  
-14  
-16  
Coss  
10  
Crss  
0
0
-10  
-20  
-30  
-40  
-50  
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4  
Q-Charge (nC)  
V
DS-Drain Source Voltage (Volts)  
Capacitance v drain-source voltage  
Gate charge v gate-source voltage  
3-408  
配单直通车
ZVP0120A产品参数
型号:ZVP0120A
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:ZETEX PLC
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.07
配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.11 A
最大漏极电流 (ID):0.11 A
最大漏源导通电阻:32 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):7 pF
JESD-30 代码:O-PBCY-W3
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:200 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.7 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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